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电容的串并联计算方法  2009-09-19 11:46:11|  分类： 电子电器|字号 订阅 电容的串并联计算方法                 电容串联后容量是减小了，但是这样可以增加他的耐压值计算公式是：C1*C2/(C1+C2)电容并联后容量是增大了，并联耐压数值按最小的计算计算公式是：C1+C2串联分压比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........电容越大分得电压越小，交流直流条件下均如此并联分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........电容越大通过的电流越大，当然，这是交流条件下2009.11.30 PM电容的串并联容量公式-电容器的串并联分压公式                                                                                                                                                                                            1.串联公式：C = C1*C2/(C1 + C2)2.并联公式C = C1+C2+C3补充部分：串联分压比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........电容越大分得电压越小，交流直流条件下均如此并联分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........电容越大通过的电流越大，当然，这是交流条件下                                                                                                                                                                                   一个大的电容上并联一个小电容                                                                                                                                   大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。

    电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大    所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式    常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行)，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了    理想的电容，其阻抗随频率升高而变小（R＝1/jwc）, 但理想的电容是不存在的，由于电容引脚的分布电感效应， 在高频段电容不再是一个单纯的电容，更应该把它看成一个电容和电感的串联高频等效电路，当频率高于其谐振频率时， 阻抗表现出随频率升高而升高的特性，就是电感特性，这时电容就好比一个电感了。

相反电感也有同样的特性    大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛的用到，根本原因就在于电容的自谐振特性大小电容搭配可以很好的抑制低频到高频的电源干扰信号，小电容滤高频（自谐振频率高），大电容滤低频（自谐振频率低），两者互为补充     电容的并联电容并联电路图示电路为两电容相并联的电路由电容的伏安特性与KCL可知：两电容并联的等效电容等于两电容之和，即公式推导由电容元件的伏安特性可得：∵∴两电容并联的等效电容等于两电容之和电容并联电路的分流关系流过两个相并联电容上的电流与电容的容量成正比，电容越大，分得的电流越大公式推导∵由于并联电容两端的电压相同，∴即多个电容并联时的情况以上结论可推广到如图n个电容相并联时的情况。