光刻工艺介绍.docx

光刻工艺介绍一、定义与简介 光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的 photo ‘lithography , photomaski ng, maski ng,或 microlithography 在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的 各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或 者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部 分，最终在晶圆上保留特征图形的部分光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小 尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这 条线的目标6英寸砷化镓片上做到0. 1 1 um 光刻生产的目标是根据 电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置 正确且与其它部件的关联正确二、光刻工艺流程介绍光刻与照相类似，其工艺流程也类似：工艺流程图wafer相纸*HMDS.―4^ 1前处理4 resist丄银胶（相纸）“（表血处理卜（匕感光物质）光巍梓Exposure.（曝光系统）（显影化于剂）云亦SETCH vInspection底片实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：Substrate Pretreatmeut—►Spin Coat—►Soft Bake (Pre-bake)—k OverlayEtch1) Substrate Pretreatment 即预处理，目的是改变晶圆表面的性质，使其能和光刻胶(PR )粘连牢固。

主要方法就是涂HMDS，在 密闭腔体内晶圆下面加热到1209,上面用喷入氮气加压的雾状 HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽DevelopPost Exposure Bake (PEB)V Expose和亲水健结构，反应充分后在239冷板上降温该方法效果远 比传统的热板加热除湿好2) Spin coat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻胶薄膜的均匀性与稳定性光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm ,而最好的工作转速在2000〜3000rpm3) Soft Bake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂一般是 在909的热板中完成4) Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用 紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形 转移到晶圆表面上的光刻胶中这一步曝光的能量(Dose)和成像 焦点偏移(Focus offset)尤为重要.5) Post Exposure Bake(PEB)即后烘，这是非常重要的一步在 I-line光刻机中，这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应， 使侧壁平整竖直；而在DUV光刻机中这一步的目的则是起化学 放大反应，DUV设备曝光时，光刻胶不会完全反应，只是产生部 分反应生成少量H+离子，而在这一步烘烤中H+离子起到类似催 化剂的作用，使感光区光刻胶完全反应。

这一步主要控制的也是 温度与时间，而对于温度的均匀性要求也非常高，通常DUV的 光阻要求热板内温度偏差小于0.396) Develop即显影，就是把光刻胶光照后的可溶部分除去，留下想 要的图形光刻胶有正胶和负胶两种，正胶就是光照部分可溶于 显影液，而负胶就是未光照部分可溶一般来说正胶可以得到更 高的分辨率，而负胶则更耐腐蚀显影和清洗都在显影槽中完成， 每一步的转速和时间都至为重要，对最后图形的均匀性和质量影 响很大有的光刻工艺在显影完成后还有一步hard bake即硬烘来除 去光刻胶在显影槽中清洗而残留的水分而有的工艺流程中，在 光刻下一工序前会有一道坚膜来除去水分，hard bake就可以不 要了7) 显影完成后光刻工艺应该算基本完成，不过在将产品送到下一工 序前我们还是需要验证确认光刻工艺质量，不合格的产品可以除 去光刻胶来返工显影后检查首先就是ADI ( Afer DevelopInspection )，也就是在显微镜下检查晶圆表面有无异常光刻中 常见的问题有失焦(defocus),图形倒塌(peeling),异常颗粒 (particle)，刮伤等等8) CD measurement即线宽测量，目的是检查光刻得到的线宽是不 是符合设计的要求，同时要检查整片晶圆上线宽的均匀性。

9) Overlay即套刻精度测量，现在IC部件都是很多层光罩套刻累加 形成的，不同层之间需要对准，而O verla y就是专门测量不同层之间对准精度的三、光刻设备介绍在以上的工序中ADI ,CD和OVL都有专门的量测设备Exposure 是在光刻机中完成，而 Pretreatment, Spin coater，Soft bake, PEB 和Develop都是在track设备中完成的，为了提高效率，track和光刻 机通常是集成在一起的在我们采购的ASML光刻机和TEL track 都是自动化相当高的设备,手动条件下也只需要放上要做的产品片盒 后选好程序就行,而自动条件下只要放上片盒,自动化系统会自行选 择要用的程序一般情况下ASML光刻机的产能可以做到每小时60~90片就Track而言，目前咼端市场占有率最咼的是TEL，其次就是DNS，在产能和稳定性方面，TEL占有较大优势不管是DNS还是 TEL，其设备都是把spin coat, Develop,热板，冷板以及洗边的模块 堆叠起来，通过中间的机械手来传送晶圆就Scanner而言，目前在高端市场上，ASML在分辨率，稳定性 和产能方面都占有绝对优势，将其竞争者（Nik on，Canon ）远远甩 在后面。

ASML光刻机是一个非常负责的系统，一般来说包括以下几个子系统：Operator ■ ■ Control UnitLaserBeam DeliveryProjection lens1lllumi nmto「Wafer z TransportSystemScanning Reticle StageScanning Wafer StageAirmounts1) 晶圆处理系统(wafer handling)，就是晶圆传送和预对准系统， 通过CCD侦测晶圆边缘的预对准精度能达到40微米以下2) 光罩处理系统((reticle handling)，就是光罩传送和预对准系统3) 对准系统(Alignment),就是做晶圆和载片台(wafer stage )间 对准，载片台和光罩之间对准，载片台和光罩载物台间对准 ASML设备有不同的对准光源，主要是He-Ne激光和曝光用紫 外线单就设备能力而言，光刻后图形的对准精度一般可以做 到特征线宽的1/10左右，例如I-line stepper 100B的特征线宽 可以做到0.5um，设备对准精度就可以做到0.05um4) 成像系统(Imaging )，光刻机成像系统包括光源，光罩，投 影镜头组。

由于现在工艺的发展，线宽越来越小，即便是紫外 线在通过光罩时，也会发生衍射，而投影镜就是收集衍射后的 光线并用凹凸镜成像一般stepper (步进式光刻机)成像都 是光罩的1/5，而seanner则是1/4.5) 找平系统(Leveling )，光刻机成像系统包括光源，光罩，投影 镜头组，载片台和晶圆，其中任何一个有微小偏差，都会导致成像面和晶圆不在一个平面上leveling系统就是在曝光前测量晶圆表面与成像面是否平行，从而在曝光时可以调整载片台 的表面，使晶圆表面与成像面平行，得到最佳的光刻图形Leveling系统的侦测与调整都是在ppm或um的数量级内进行 的6） 照明系统（川umination ），就是把光源发出的光传送到光罩表 面的系统，在传送的过程中要滤波长与要求不符和的（I-line波 长 365nm，DUV KrF 是 248nm，而 ArF 则是 193nm ），并且 要使光束达到均匀一致，光束的大小也要符合曝光区域的要求 通常ASML光束不均匀性可以做到1.5%以下，而曝光范围精 度可以控制在100um以下7） 环境控制系统（C&T）,主要分成温度控制和洁净度两部分 温度控制主要通过循环冷却水和热交换机来实现，而洁净度由 dow nflow鼓入干净空气和向外的强排风来实现。

光刻机内部可 以达到class 1的环境四、光刻参数介绍光刻工艺中重要的参数很多，例如数值孔径（NA），空间相干 系数（Sigma ），能量（dose），焦点偏移（Focus offset），对准偏 差补值（OVL offset），曝光平面旋转等等，其中最为重要的就是 NA下面是光刻工艺中最为重要的两个公式：ResolutionR=kiNADepth of FocusDOF=kj—^―入是指曝光所用光源的波长Resolution就是分辨率，也就是我们表征光刻机能力最重要的 一个参数，分辨率越小表明设备能做到的线宽越小，设备越先进； DOF即景深，是有效成像对应的Focus范围，也是表征设备性能的 重要参数，DOF越大表明设备工艺容忍度越高，设备越先进而K2是两个与系统相关的系数，由这两个公式我们可以看到入与 resolution成正比，由此光刻机曝光光源由紫外线像深紫外线发展， 目前最先进的是ArF激光产生的193nm光源而NA则是与分辨率 成反比，从下面stepper和scanner的NA发展中就可发现但是 我们在要求分辨率越来越小的同时也希望尽量增加DOF，这要求减 小NA增加入所以NA的变化不能太大，好在随着光刻胶与光罩技 术的发展，对DOF的要求越来越小，1-line光刻机要求的DOF 一般 在0.6um以上，而ArF光刻机在0.2um就可以了。

Stepper Too I Spec i f i cationsSpecifications/22/100/200/250/3