微电子制造科学原理与工程技术总复习.ppt

微电子加工技术总复习,微电子加工技术,■ �微电子制造引论（第1章）■ �热氧化工艺（第4章）■ �扩散工艺（第3章）■ �离子注入工艺（第5章）■ �RTP工艺设备（第6章）■ �真空技术与等离子体简介（第10章）■ �化学气相淀积工艺（第13章）,参考资料：《微电子制造科学原理与工程技术》,■ �物理气相淀积工艺（第12章）■ �外延生长工艺（第14章）■ �光刻工艺（第7、8章）■ �刻蚀工艺（第11章）■ �金属化工艺（第15章）■ �工艺集成（第15、16章）,参考资料：《微电子制造科学原理与工程技术》,微电子加工技术,一、微电子制造引论,1、IC制造的步骤,2、IC制造中的单项工艺,3、微电子工艺举例,电阻分压器,二、热氧化工艺,1、二氧化硅在IC中的主要用途,2、热氧化原理(Deal-Grove 模型),b. 计算热氧化工艺生长SiO2厚度的方法,a. 主要结论,3、热氧化工艺（方法）和系统,4、热氧化工艺的质量检测,三、扩散工艺,1、扩散工艺在IC制造中的主要用途,2、扩散原理(模型与公式),a. 费克一维扩散方程,b. 扩散的原子模型、 Fair空位模型,c. 费克第二定律的分析解,预淀积扩散,推进扩散,3、影响实际扩散分布的因素,4、扩散工艺质量检测,四、离子注入工艺,1、离子注入工艺设备及其原理,2、射程与入射离子的分布,a. 离子源,b. 质量分析器,c. 加速管,d. 终端台,e. 离子注入工艺控制参数,根据离子注入条件计算杂质浓度的分布,3、实际的入射离子分布问题,4、注入损伤与退火,五、RTP工艺设备,1、RTP 与传统退火工艺的比较,2、RTP 设备与传统高温炉管的区别,3、RTP 设备的快速加热能力,4、RTP设备的关键问题,六、真空技术与等离子体简介,1、真空基础知识,2、等离子体简介,a. 直流等离子体的组成,b. 射频放电等离子体,七、化学气相淀积工艺,1、CVD工艺的主要特点,2、CVD 工艺原理,a. 简单的Si CVD反应器,b. 反应腔内的化学反应,c. 反应腔内的气体流动,3、CVD 淀积速率与温度的关系,a. 化学反应速率限制区,b. 质量输运速率限制区,4、CVD 技术分类,a. 常压化学气相淀积,b. 低压化学气相淀积,c. 等离子体增强化学气相淀积,5、典型物质（材料）的CVD工艺,a. 二氧化硅的淀积,b. 多晶硅（Poly-Si）的淀积,c. 氮化硅（Si3N4）的淀积,d. 金属材料的 CVD 淀积,八、物理气相淀积工艺,1、蒸发工艺,a. 蒸发工艺的淀积速率,b. 常用蒸发系统（加热器）,c. 蒸发工艺的限制因素,2、溅射工艺,a. 溅射原理,b. 淀积速率与溅射产额,c. 溅射薄膜形貌与台阶覆盖,d. 常用溅射工艺,九、外延生长工艺,1、外延工艺的分类,2、气相外延生长的热动力学,a. Deal 模型,b. 连续步骤模型,c. 超饱和度模型,d. 薄膜生长的三种模式,3、外延层的掺杂与缺陷,4、硅的气相外延工艺,十、光刻工艺,1、光刻工序：,2、掩膜版,3、光刻机,a. 主要性能指标,b. 曝光光源,c. 三种光刻机,4、光刻胶,5、典型的光刻工艺流程,正性胶和负性胶,十一、刻蚀工艺,1、湿法刻蚀,2、干法刻蚀,c. 物理化学性刻蚀。

a. 物理性刻蚀,b. 化学性刻蚀,十二、金属化工艺,1、形成欧姆接触的方法,2、常用的金属化材料,a. Al,b. 重掺杂多晶硅,c. 难熔金属硅化物,十三、工艺集成技术,1、器件隔离技术,2、亚微米CMOS工艺流程介绍,a. PN结隔离技术,b. LOCOS（硅的局部氧化）技术,c. 沟槽隔离,。