滁州功率半导体项目招商引资方案.docx

泓域咨询/滁州功率半导体项目招商引资方案目录第一章 市场预测 7一、 功率半导体：电能转换与电路控制的核心器件，关注IGBT、SiC器件的增量机遇 7二、 汽车“三化”推动汽车电子规模不断扩张 12第二章 总论 16一、 项目概述 16二、 项目提出的理由 18三、 项目总投资及资金构成 19四、 资金筹措方案 19五、 项目预期经济效益规划目标 20六、 项目建设进度规划 20七、 环境影响 20八、 报告编制依据和原则 21九、 研究范围 22十、 研究结论 22十一、 主要经济指标一览表 22主要经济指标一览表 22第三章 项目选址可行性分析 25一、 项目选址原则 25二、 建设区基本情况 25三、 提高产业链供应链稳定性和现代化水平 30四、 提升企业技术创新能力 31五、 项目选址综合评价 31第四章 建筑工程技术方案 33一、 项目工程设计总体要求 33二、 建设方案 34三、 建筑工程建设指标 35建筑工程投资一览表 35第五章 法人治理 37一、 股东权利及义务 37二、 董事 40三、 高级管理人员 45四、 监事 47第六章 发展规划分析 49一、 公司发展规划 49二、 保障措施 50第七章 组织机构及人力资源配置 52一、 人力资源配置 52劳动定员一览表 52二、 员工技能培训 52第八章 技术方案 55一、 企业技术研发分析 55二、 项目技术工艺分析 58三、 质量管理 59四、 设备选型方案 60主要设备购置一览表 61第九章 原辅材料供应及成品管理 63一、 项目建设期原辅材料供应情况 63二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理 63第十章 项目环境影响分析 65一、 编制依据 65二、 建设期大气环境影响分析 66三、 建设期水环境影响分析 70四、 建设期固体废弃物环境影响分析 70五、 建设期声环境影响分析 70六、 环境管理分析 71七、 结论 73八、 建议 74第十一章 节能分析 75一、 项目节能概述 75二、 能源消费种类和数量分析 76能耗分析一览表 77三、 项目节能措施 77四、 节能综合评价 79第十二章 投资方案 80一、 投资估算的编制说明 80二、 建设投资估算 80建设投资估算表 82三、 建设期利息 82建设期利息估算表 83四、 流动资金 84流动资金估算表 84五、 项目总投资 85总投资及构成一览表 85六、 资金筹措与投资计划 86项目投资计划与资金筹措一览表 87第十三章 项目经济效益评价 89一、 经济评价财务测算 89营业收入、税金及附加和增值税估算表 89综合总成本费用估算表 90固定资产折旧费估算表 91无形资产和其他资产摊销估算表 92利润及利润分配表 94二、 项目盈利能力分析 94项目投资现金流量表 96三、 偿债能力分析 97借款还本付息计划表 98第十四章 风险风险及应对措施 100一、 项目风险分析 100二、 项目风险对策 102第十五章 总结说明 105第十六章 补充表格 107主要经济指标一览表 107建设投资估算表 108建设期利息估算表 109固定资产投资估算表 110流动资金估算表 111总投资及构成一览表 112项目投资计划与资金筹措一览表 113营业收入、税金及附加和增值税估算表 114综合总成本费用估算表 114利润及利润分配表 115项目投资现金流量表 116借款还本付息计划表 118本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。

本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途第一章 市场预测一、 功率半导体：电能转换与电路控制的核心器件，关注IGBT、SiC器件的增量机遇功率半导体是电能转换与电路控制的核心器件主要功能为改变电路中的电压、电流、频率、导通状态等物理特性，以实现对电能的管理功率半导体在电子电路中起到功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，广泛应用于汽车、工业控制、轨道交通、消费电子、发电与配电、移动通讯等电力电子领域，其实现电力转换的核心目标是提高能量转换率、减少功率损耗功率半导体从早起简单的二极管向高性能、集成化方向发展按类别划分，功率半导体可分为功率器件和功率IC两大类，其中功率器件主要包括二极管、晶体管和晶闸管，晶体管根据应用领域和制程不同又可分为IGBT、MOSFET和双极型晶体管等；功率IC属于模拟IC，包含电源管理IC、驱动IC、AC/DC和DC/DC等为满足更广泛的应用需求和复杂的应用环境，器件设计及制造难度逐渐提高功率半导体器件根据不同的器件特性分别应用于不同应用领域，二极管、晶闸管等器件生产工艺相对简单，在中低端领域大量使用；IGBT、MOSFET等器件更多应用于高压、高可靠性领域，器件结构相对复杂并且生产工艺门槛较高，成本较高，在新能源汽车、轨道交通、工业变频等领域广泛使用。

功率半导体下游应用广泛，几乎涵盖所有电子制造业功率半导体的主要作用是电力转换和功率控制，核心目标为提高能量转换效率并减少功耗，其下游应用广泛，几乎涵盖所有电子制造业从下游应用领域的占比来看，汽车是功率半导体最主要的下游应用领域，2019年全球功率半导体细分市场规模占比从高到低依次为：汽车（35%）、工业（27%）、消费电子（13%）和其他（25%）领域；国内市场方面，2019年汽车、消费电子、工业电源、电力、通信等其他领域占功率半导体下游应用比重分别为27%、23%、19%、15%和16%功率半导体市场结构：电源管理IC、MOSFET和IGBT位列前三从市场结构来看，电源管理IC、MOSFET和IGBT为我国功率半导体占比最高的三个分支根据IHS数据，截至2018年，我国电源管理IC市场规模为84.3亿美元，份额占比达61%，MOSFET和IGBT份额分别为20%和14%，三者占比合计达95%近几年，受益下游消费电子、通讯行业和新能源汽车的快速发展，电源管理IC市场维持稳健增长态势，而未来随着新能源汽车行业快速发展，IGBT和MOSFET有望步入快速发展期而在功率器件方面，MOSFET、功率二极管和IGBT是功率器件中最重要的三个细分领域。

从市场份额看，根据Yole数据，2017年全球MOSFET规模占功率器件市场的35.4%，位列第一，功率二极管和IGBT市场份额分别为31.3%和25.0%，分列第二、三位汽车是功率最主要的下游应用领域，新能源汽车驱动功率市场发展从下游应用领域看，汽车是功率半导体最主要的下游应用领域，2019年细分市场规模占比达35%随着社会经济的快速发展及技术工艺的不断进步，新能源汽车及充电桩、智能装备制造、物联网、新能源发电、轨道交通等新兴应用领域逐渐成为功率半导体的重要应用市场，带动功率半导体需求快速增长以新能源汽车为例，电驱系统是新能源汽车的动力源，相当于传统汽车的发动机和变速箱，是新能源汽车的核心部件随着新能源汽车逐步渗透，对应功率半导体市场规模也有望迎来快速增长根据Omdia统计，预计2024年功率半导体全球市场规模将达到538亿美元，中国作为全球最大的功率半导体消费国，预计2024年市场规模达到197亿美元，占全球场比重为36.6%IGBT是工控领域的核心IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）全称为绝缘栅双极晶体管，结构上由BJT和MOSFET组合而成，兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是未来功率半导体应用的主要发展方向之一。

IGBT是一个非通即断的开关器件，通过栅源极电压的变化控制其关断状态，能够根据信号指令来调节电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，是能量变换与传输的核心器件行业格局：英飞凌保持领先，国内企业合计市场份额较低根据Omdia统计，全球IGBT市场竞争格局较为集中，2019年全球前五大IGBT标准模块厂商分别为英飞凌、三菱电机、富士电机、赛米控和日立功率半导体，合计市场份额约70%，其中英飞凌市场份额接近37%；在中国IGBT市场中，英飞凌仍保持领先的市场份额，国内企业合计市场份额较低，有巨大的发展空间新能源汽车拉动IGBT需求IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用，是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分显著，根据英飞凌年报显示，新能源汽车中功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上其中，IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%，是电控系统中最核心的电子器件之一，因此，未来新能源汽车市场的快速增长，有望带动以IGBT为代表的功率半导体器件的价值量显著提升，从而有力推动IGBT市场的发展EVTank指出，2018至2025年我国新能源汽车IGBT市场规模将从38亿元增长至165亿元，2018-2025年复合增长率为23.33%。

IGBT模块方面，从2020年全球IGBT模块应用占比来看，工业控制占比33.5%，是目前IGBT最大的应用领域，新能源汽车占比14.2%Omdia指出，未来，汽车电动化、智能化推动车规级IGBT成为增长最快的细分领域，新能源汽车在2024年将超过工业控制成为IGBT最大的下游应用领域，年均复合增长率达到29.4%，远超行业平均增速SiC：SiC为代表的第三代半导体具有较高功率密度，适用于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件目前车规级半导体主要采用硅基材料，但受自身性能极限限制，硅基器件的功率密度难以进一步提高，硅基材料在高开关频率及高压下损耗大幅提升与硅基半导体材料相比，以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件SiC器件整体成本仍处于较高水平，未来有望逐步下降与传统硅基材料相比，SiC在能量损耗、封装尺寸和工作频率等方面优势明显，但由于在生产成本但由于生产设备、制造工艺、良率与成本的劣势，碳化硅基器件过去仅在小范围内应用目前国际主流SiC衬底尺寸为4英寸和6英寸，晶圆面积较小、芯片裁切效率较低、单晶衬底及外延良率较低导致SiC器件成本高昂，叠加后续晶圆制造、封装良率较低，且载流能力和栅氧稳定性仍待提高，SiC器件整体成本仍处于较高水平。

未来随着全球半导体厂商加速研发及扩产，产线良率将逐步提高，从而提高晶圆利用率，SiC器件的整体成本有望逐步下降目前少量新能源汽车已采用SiC方案，未来行业整体格局仍存在不确定性受益于新能源汽车市场的快速发展，SiC的性能优势使得相关产品的研发和应用加速，随着技术进步和产能的逐步释放，SiC器件的制备成本相比之前有所降低，目前SiC方案已被少量新能源汽车高端车型采用，在新能源汽车市场开始替代部分IGBT器件；而从全球市场竞争格局来看，产业链中以美国、欧洲和日本企业居多，以科锐、英飞凌和罗姆半导体微店的IDM企业占据了较高市场份额，国内方面，比亚迪集团在整车中率先使用SiC器件，并率先实现了SiC三相全桥模块在电机驱动控制器中的大批量装车整体而言，SiC市场仍处于发展的初期阶段，未来几年竞争格局仍存在一定不确定性受益新能源及光伏领域需求量的高速增长，未来五年SiC市场复合增速有望超过20%根据Omdia统计，2019年全球SiC功率半导体市场规模为8.9亿。