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SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF4N60T TO-220-3L SVF4N60T 无铅 料管 SVF4N60F TO-220F-3L SVF4N60F 无铅 料管 SVF4N60FG TO-220F-3L SVF4N60FG 无卤 料管 SVF4N60K TO-262-3L SVF4N60K 无铅 料管 SVF4N60D TO-252-2L SVF4N60D 无铅 料管 SVF4N60DTR TO-252-2L SVF4N60D 无铅 编带 SVF4N60MJ TO-251J-3L SVF4N60MJ 无铅 料管 SVF4N60MJG TO-251J-3L SVF4N60MJG 无卤 料管 SVF4N60M TO-251D-3L SVF4N60M 无铅 料管 4A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJ/MJG N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 ∗ 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名称 符号 参数范围 单位 SVF4N 60T SVF4N 60F(G) SVF4N 60D/M SVF4N 60MJ(G) SVF4N 60K 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 TC=25°C ID 4.0 A TC=100°C 2.5 漏极脉冲电流 IDM 16 A 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 PD 100 33 77 86 95 W 0.8 0.26 0.62 0.69 0.76 W/°C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 217 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 单位 SVF4N60T SVF4N60F(G) SVF4N60D/M SVF4N60MJ(G) SVF4N60K 芯片对管壳热阻 RθJC 1.25 3.85 1.61 1.45 1.32 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 120 110 110 62.5 °C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V， ID=2A -- 2.0 2.4 Ω 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ -- 449.7 -- pF 输出电容 Coss -- 57 -- 反向传输电容 Crss -- 2.0 -- 开启延迟时间 td(on) VDD=300V，ID=4A， RG=25Ω (注 2，3) -- 16.8 -- ns 开启上升时间 tr -- 26.2 -- 关断延迟时间 td(off) -- 37.4 -- 关断下降时间 tf -- 20.2 -- 栅极电荷量 Qg VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3) -- 8.16 -- nC 栅极-源极电荷量 Qgs -- 2.63 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 3.01 -- 士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 -- -- 4.0 A 源极脉冲电流 ISM -- -- 16 源-漏二极管压降 VSD IS=4.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4.0A，VGS=0V， dIF/dt=100A/µs (注 2) -- 441.53 -- ns 反向恢复电荷 Qrr -- 1.98 -- µC 注：注： 1. L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线 图1.输出特性图2.传输特性漏极电流 – ID(A)0.110.1110100漏源电压 – VDS(V)漏极电流 – ID(A)0.1110024681013579栅源电压– VGS(V)1.52.03.03.54.0028VGS=10V VGS=20V注：TJ=25°C漏源导通电阻 – RDSON)(Ω)漏极电流 – ID(A)图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压0.20.40.60.81.21.00.11100反向漏极电流 – IDR(A)源漏电压 – VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs.源极电流、温度2.54.564VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V变量10注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V100-55°C 25°C 150°C-55°C 25°C 150°C注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V10士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 典型特性曲线（续） 图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(pF)0.1110100漏源电压 – VDS(V)栅源电压– VGS(V)0 02410总栅极电荷 – Qg(nC)VDS=480V VDS=300V VDS=120V01002004005001000注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz246810128300600700800Ciss Coss CrssCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd注：ID=4.0A60.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）– BVDSS结温 – TJ(°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化）– RDS(ON)图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – TJ(°C)1.2150注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5注： 1. VGS=10V 2. ID=2.0A漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103图9-1. 最大安全工作区域(SVF4N60T)漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲10ms1ms100µsDC102漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲10ms1ms100µsDC102图9-2. 最大安全工作区域(SVF4N60F(G))900士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 典型特性曲线（续） 2550751001251500123漏电流 - ID(A)壳温 – TC(°C)图 10. 最大漏电流vs. 壳温 4漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲10ms1ms100µsDC102图9-4. 最大安全工作区域(SVF4N60MJ(G))漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲10ms1ms100µsDC102图9-3. 最大安全工作区域(SVF4N60D/M)漏极电流 - ID(A)10-210-1100100101102103漏源电压 - VDS(V)101此区域工作受限于RDS(ON)注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲10ms1ms100µsDC102图9-5. 最大安全工作区域(SVF4N60K)士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 典型测试电路 12V50KΩ300nF与待测器件 参数一致待测器件VGS3mAVDSVGS10V电荷量QgQgsQgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDS VGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%td(on) tontrtd(off) tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =1 -2LIAS2BVDSS BVDSSVDD待测器件待测器件200nF士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 封装外形图 TO-220F-3L 单位: mm 3.30±0.252.80±0.304.72±0.3010.03±0.30 2.55±0.2515.75±0.509.80±0.502.54 TYPE1.47MAX0.80±0.150.50±0.1515.80±0.506.70±0.30Φ3.20±0.20TO-262-3L 单位: mm 0.81±0.055.083.78±0.208.65±0.102.69±0.104.70±0.081.27±0.030.42±0.051.27±0.0510.20±0.082.541.26±0.068.84±0.058.76±0.050.38±0.02士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 封装外形图（续） TO-252-2L 单位: mm 注：注： 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况。

6.60±0.310.10±0.502.30 TYP2.30±0.200.0～0.1276.1±0.30.80±0.200.76±0.101.4～1.70.45～0.65Eject pin（note1）2.90REF5.10～5.460.45～0.65TO-220-3L 单位: mm 6.10~7.004.5±0.210.0±0.3 1.2±0.213.1±0.52.54TYP0.80±0.200.5±0.215.1~16.13.95MAX3.7±0.21.80~2.801.30±0.30士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书 封装外形图（续） TO-251J-3L 单位: mm 2.18～2.390.46～0.890.46～0.612.29TYP4.95～5.466.35～6.735.97～6.228.89～9.650.89～1.270.64～0.890.89～1。