TV 关键电子零件介绍

1、FAETV 基本架构简介重要功能模块介绍-威健代理的产品线-基本原理电源板主板（系统板/接口板）按键板IR接收板喇叭Panel(液晶面板)前框，后壳，底座Audio R/L of CVIAudio AMPSTA339BWTRDIF +/-NVM 24C128SpeakersUART ( ISP & Factory alignment )SPDIF OutRCAudio R/L of SCART1 Audio R/L of CVBS1System I2CKey padYPbPr x 1Side CVBS x 1RF TunerHDMI x 2 ( or 3 :spot deal )Audio R/L of PC/ DVI Audio Pre-AmpNJM4580 SCART1 L/R outUSB x 1 Full SCART x 1 NAND Flash 128MByteDDR2 1GHz128 M Byte x 2PC VGATSCI card slot (CAM)Min LVDSLVDS Mutil DC/DCPF57Gamma/ V-comMAX966812V Headphone

2、 Amp TPA6132/TPA6211 for 1WHeadphoneNOR Flash 512KByteI2SMin LVDS HDMI 1x 2 SW TMDS 251/351DBV-T/C DEMOD CI+ controllerMT5135Tuner I2CCI/CI+Analog Audio inputs :Analog Video inputs :DVB-T/C modelDeMux I2CPanel (50Hz)w/o T-conSource /Gate boardMT5366.MCU ARM11.MPEG/video/audio decoder.Scaling.Video enhancement.3D comb.LVDS Transmitter.HDMI 1.4.ADC.H.264.T-con IC.Build-in HDMI EDID x4.min LVDS Transmitter.Sawless ATD build-inEDID 24C02EDID 24C02Level ShiftTPS65192RHDREDID 24C02Light sensorNVM 非挥发性

3、NOR flash 存放Boot loader用于启动主芯 片MT5366； NAND flash 存放SW，实现TV的各种功能飞索半导体兆易创新 海量存储器-NAND结构当成ROM使用-NOR结构NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应 用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系 统RAM中。NOR的读速度比NAND稍快一些 NAND的写入速度比NOR快很多 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口 。 EEPROM: 24C02 存放PC source 和 HDMI source的EDID 数据 24C128 存放System的数据 （如色温调整值，ADC校正值， HDMI HDCP KEY等）EDID: Extended Display Identification Data（扩展显示标识数据） 一种VESA 标准数据格式，其中包含有关监视器及其性能的参数，包括供应商信 息、最大图像大小、颜色设置、厂商预设置、频率范围的限制以及显示器名和序 列号的字符串。 这些信息保存

4、在 display 节中，用来通过一个 DDC（Display Data Channel）与 系统进行通信.对于E2P而言，可以实现每个字节的擦写操作，对 于Flash而言，一般只能支持页擦页写操作。相比 之下，E2P的电路实现要复杂一些，需要更大的芯 片面积，因此E2P不能做到很高的容量，而Flash的 容量则可以高得多。RAM 挥发性SDRAM是同步动态随机存储器的简称，采用3.3v工作电压，带宽 64位，将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU 能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作第三代DDR2 SDRAM 工作电压：1.8V力积电子三种电视制式NTSC制-正交平衡调幅制-主要国家有美国、加拿大和日本等。PAL制-正交平衡调幅逐行倒相制中国、德国、英国和其它一些西北欧国家采用这种制式 。SECAM制-行轮换调频制采用这种制式的有法国、前苏联和东欧一些国家。DVB - 数字视频广播按传输方式的不同可分为四种类别：卫星 (DVB-S 及 DVB-S2) ；有线 (DVB-C) ；地面无线 (DVB-T) ；手持地面无线 (DVB-H) 这些传输方式的主要区别

5、在于使用的调制方式，因为不同它们应用的频率 带宽的要求也不同。利用高频载波的DVB-S使用QPSK调制方式，利用低频载波的DVB-C使用 QAM-64调制方式，而利用VHF 及 UHF载波的DVB-T使用COFDM调制 方式。麦瑞半 导体松下半 导体瑞科美国卓然联咏科技HDMI1.4版本新增功能HDMI以太网通道音频回授通道 HDMI 3D功能支持更高分辨率分辨率将达到4K2K，四倍于目前的1080p具体格式：38402160 24Hz/25Hz/30Hz；40962160 24Hz 高清晰度多媒体接口（英文：High Definition Multimedia Interface， HDMI）是一种数字化视频/音频接口技术，是适合影像传输的专用型数字 化接口，其可同时传送音频和影音信号，最高数据传输速度为5Gbps。同 时无需在信号传送前进行数/模或者模/数转换。HDMI可搭配宽带数字内 容保护（HDCP），以防止具有著作权的影音内容遭到未经授权的复制。USB 3.0 优势：极大提高了带宽-高达5Gbps全双工（USB2.0则为480Mpbs半双工） 实现了更好的电源管理 -需要时能

6、提供更多电力 ,不需要时就自动减少耗电 能够使主机为器件提供更多的功率-实现USB-充电电池、LED照明和迷你风扇 等应用。 能够使主机更快的识别器件 新的协议使得数据处理的效率更高 USB 3.0可以在存储器件所限定的存储速率下传输大容量文件（如HD电 影）。例如，一个采用USB 3.0的闪存驱动器可以在3.3秒钟将1GB的数据转 移到一个主机，而USB 2.0则需要33秒。1.调制器 将音频信号调制到脉冲信号中，产生带音频信息的PWM波(脉宽调制)或 PDM波(脉冲持续时间调制)； 2.D类功放 一个脉冲控制的大电流开关放大器，把PWM信号变成一个高电压大电流的 大功率PWM信号； 3.音频信号还原 因为电流大，采用LC低通滤波电路，利用C通电时间长度来恢复信号。覆盖物铜铺铜铺 地铜铺铜铺 地电电容感应应按键键介质质CPCPCF感应电容 = CXCX = CP + CFReset的原因： 在上电或复位过程中，控制Scalar IC的复位状态 ：这段时间内让Scalar IC保持复位状态，而不是 一上电或刚复位完毕就工作，防止CPU发出错误 的指令、执行错误操作，也可以提高电磁兼容性

7、 能。如何实现reset: 比较电路TVS 瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲 击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高 达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的 精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。工作原理：在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不 影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当 电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电 压或脉冲电流时，它在极短的时间内（最高可达到110- 12秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所 要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器 件免受损坏。干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态 。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的 最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。29PFCControl AC InletBridge DiodeInverterControlInverter Transformer5V

8、 SBEMI FILTERPWM ControlPower TransformerLamp LStandby PowerStandby Transformer24V Audio power12V Panel powerLamp R压敏电阻以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。压敏电阻的最大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值“UN“时，流过它的电流极小，相当于一只 关死的阀门，当电压超过UN时，流过它的电流激增，相当于阀门打开。利用这一功能，可以抑制 电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害。 抑制二极管具有箝位限压功能，它是工作在反向击穿区 扼流线圈一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件，它由两个尺寸相同，匝数相同的线圈对称地绕制在同一 个铁氧体环形磁芯上，形成一个四端器件，对于共模信号呈现出大电感具有抑制作用，而对于差模 信号呈现出很小的漏电感几乎不起作用。扼流线圈使用在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号（ 如雷电干扰），而对线路正常传输的差模信号无影响。MOSFET IGBTPFC ICPWM ICDiodes & Rectifier国际整流 器公司美信麦瑞半导 体绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝 缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导 体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降 两方面的优点。原因：交流输入电源经整流和滤波后，非线性负载使得输入电流波形畸变，输入电 流呈脉冲波形，含有大量的谐波分量，使得功率因数很低。目的：将畸变电流校正为正弦电流，并使之与电压同相位，从而使功率因数接近于1 。Tks!

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