哈工大模拟电子技术基础习题册(计算机学院用)

1、习题解答【1-1】 填空： 1本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。 2在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。漂移电流是 在 作用下形成的。 3二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。 4稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。 5某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。6双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 7场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。 8场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。 9当温度升高时，双极性晶体管的将 ，反向饱和电流ICEO将 ，正向结压降UBE将 。 10用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出 最为方便。 11晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ；在饱和区，应保证 和 ；在截止区，应保证 和 。12当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲

2、线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解：1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。2. 杂质浓度，温度，少数载流子，(内)电场力。3. 单向导电性，正向导通压降UF和反向饱和电流IS。4. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ），工作电流（IEmin），最大管耗（PZmax）和动态电阻（rZ）5. 增大;6. NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。7. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。8. 电压，电流。9. 变大，变大，变小。10. 各管脚对地电压;11. 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。12. 左移，上移，增大.。【1-2】在图1-2的各电路图中，E=5V，ui=10V，二极管D视为理想二极管，试分别画出输出电压uo的波形。(a) (b)图1-2 题1-2电路图 解：波形如图1-2（a）（b） 图1-2 (a) (b)【1-3】 在图1-3中，试求下列几种情况下输出端对地的电压UY及各元件中通过的电流。（1）UA=10V，UB=0V；（2）UA=6V，UB=5V；（3）UA=UB=5V。设二极管为理

3、想二极管。图1-3 题1-3电路图 解：（1）导通，截止 （2）导通，截止 （3） 均导通 【1-4】设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V。求图1-4中各电路的输出电压UO。图1-4 题1-4电路图 解：图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V.【1-5】有两个稳压管DZ1和DZ2，其稳定电压值分别为5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V。如果要得到3V的稳定电压，应如何连接？ 解：连接方法如图1-5。图1-5【1-6】 有两个晶体管分别接在电路中，已知它们均工作在放大区，测得各管脚的对地电压分别如下表所列。试判别管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管?是NPN型还是PNP型?晶体管 晶体管管脚号123管脚123电压(V)43.49电压(V)-6-2.3-2 解：晶体管为NPN型硅管，1、2、3管脚依次是B、E、C；晶体管为PNP型锗管，1、2、3管脚依次是C、B、E。【1-7】在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图1-7所示，试确定晶体管各电极的名称；说明它是NPN，还是PNP型；计算晶体管的共射直流电流放大系数。

4、 图1-7 题1-7晶体管电极电流图 解：图中I30.03mA应改为I20.03mA，箭头向右。c，b，e ；PNP型 ； 40【1-8】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电压如图1-8所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？图1-8 题1-8晶体管对地电压图 解：晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。【1-9】两个场效应管的转移特性曲线分别如图1-9(a)和(b)所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。(a) (b)图1-9 题1-9转移特性曲线 解：（a）P沟道增强型MOS管，开启电压UGS（th）2V，IDO= -1mA 在工作点（UGS5V， ID2.25mA）处，gm= （b）N沟道耗尽型MOSFET，夹断电压，在工作点（UGS2V， ID1mA）处， gm=1【1-10】试分析图1-10所示电路的工作情况，图中二极管为理想，u2=10sin100p tV。要求画出uO的波形图，求输出电压的平均值UO(AV)。图1-10 题1-10电路图 解：

5、当u20时，VD1、VD3导通，VD2、VD4截止，uO为正；当u20时， VD2、VD4导通，VD1、VD3截止，uO仍为正。实现桥式整流，波形如图1-12。【1-11】分析图1-11所示电路的工作情况，图中I为电流源，I=2mA。设20时二极管的正向电压降UD=660mV，求在50时二极管的正向电压降。该电路有何用途？电路中为什么要使用电流源？图1-11 题1-11电路图 解：该电路利用二极管的负温度系数，可以用于温度的测量。其温度系数-2mV/。20时二极管的正向电压降UD=660mV，50时二极管的正向电压降 UD=660-（230）=600 mV 因为二极管的正向电压降UD是温度和正向电流的函数，所以应使用电流源以稳定电流，使二极管的正向电压降UD仅仅是温度一个变量的函数。【2-1】 填空、选择正确答案1对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； B将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C将输入交流信号加到晶体管的基极。 2在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是Rc，那么Rc中： A 只有直流； B 只有交

6、流； C 既有直流，又有交流。 3 基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（ ）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（ ）。（ICQ；ICQ） 4下列说法哪个正确： A基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； B在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5 放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流Ic减少，则Rb1应 。（a） (2) Rb1在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。（b；a；c） (3) Re在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上RL，静态工作点将 ，交流输出电压幅度要 。 （c；b） (5) Vcc减少时，直流负载线的斜率 。（c） 6放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（ ）。（越好） 7放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（ ）而引起的非线性失真。（饱和

7、区） 8在共射基本放大电路中，若适当增加b，放大电路的电压增益将（ ）。（基本不增加） 9在共射基本放大电路中，若适当增加IE，电压放大倍数将如何变化（ ）。（增加） 10在共射基本放大电路中，适当增大Rc，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 A放大倍数变大，输出电阻变大 B放大倍数变大，输出电阻不变 C放大倍数变小，输出电阻变大 D放大倍数变小，输出电阻变小 11有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载开路的条件下，也就是排除了输出电阻的影响，只剩下输入电阻这一个因素。甲、乙两个放大电路电压放大倍数相同，甲的输出小，说明甲的输入电阻小，乙的输入电阻大。） 12某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4V，接入3负载电阻后，输出电压的有效值降为3V，据此计算放大电路的输出电阻。 A1； B1.5 C2 D4 13有一个共集组态基本放大电路，它具有如下哪些特点： A输出与输入同相，电

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