半导体存储器
19页1、第二节 半导体存储器 工艺 双极型 速度很快、 功耗大、 容量小 电路结构 耗小、 容量大 工作方式 静态 态 储信息原理 静态存储器 态存储器 双极型、静态 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。 (动态 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较大 ,速度快 ,作 功耗较小 ,容量大 ,速度较快 ,作主存。 (静态 态 ( 1)组成 发器 1 2 6 制门管 Z Z:字线, 选择存储单元 位线, 完成读 /写操作 W W W、 W: ( 2)定义 “0”: “1”: ( 3)工作 : 加高电平, 高、低电平,写 1/0。 ( 4)保持 只要电源正常,保证向导通管提供电流,便能维持一管导通,另一管截止的状态不变, 称 静态 。 3 4 5 W W 导通,选中该单元。 写入: 在 W、 读出: 根据 W、 电流,读 1/0。 Z: 加低电平, 单元未选中,保持原状态。 例 114( 1K 4位) ( 1)外特性 静态单元是非破坏性读出,读出后不需重写。 地址端: ( 2)内部寻址逻辑 2114( 1K 4) 1 9 10 18 5 3 1 S 7 9 1 3 9 ) 数据端: /出)
2、 控制端: 片选 0 选中芯片 = 1 未选中芯片 写使能 0 写 = 1 读 电源、地 寻址空间 1K,存储矩阵分为 4个位平面,每面 1K 1位。 面矩阵排成 64行 16列。 行译码 6位行地址 译码 15 /写线路 W W W 两级译码 一级: 地址译码, 选择字线、位线。 二级: 一根字线和 一组位线交叉, 选择一位单元。 4位列地址 64 16 64 16 64 16 64 16 1K 1K 1K 1K 态 ( 1)组成 忆管 极电容 制门管 Z:字线 位线 W、 W: ( 2)定义 “0”: “1”: 2 4 Z W W 2 ( ( ( 3)工作 Z: 加高电平, 中该单元。 ( 1)组成 ( 4)保持 2 4 Z W W 2 写入: 在 W、 高、低电平,写 1/0。 读出: W、 再根据 W、 高电平,断开充电回路, 读 1/0。 Z: 加低电平, 单元未选中,保持原状态。 需定期向电容补充电荷(动态刷新), 称 动态 。 四管单元是非破坏性读出,读出过程即实现刷新。 C:记忆单元 C W Z T T:控制门管 Z:字线 W:位线 ( 2)定义 ( 4)保持 写入:
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