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某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为Ek1036k2J,

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  • 卖家[上传人]:资****亨
  • 文档编号:490038513
  • 上传时间:2024-05-14
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    • 1、1.#1-12.#1-23.#补充题补充题:某一半导体材料价带顶附近电子能某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为量可表示为E(k)=-10-36k2(J),其中能量零点取其中能量零点取在价带顶在价带顶.此时假设此时假设k=1108m-1处电子被激发处电子被激发到导带到导带,而在该处产生一个空穴而在该处产生一个空穴.试求此空穴的试求此空穴的有效质量有效质量;准动量准动量;共有化运动速度和能量共有化运动速度和能量.整理ppt1.#1-3#1-43.#2-74.#补充题补充题:硅的电子有效质量为硅的电子有效质量为ml=0.98m0,mt=0.19m0.现掺入施主杂质现掺入施主杂质,请利用类氢模请利用类氢模型估计型估计:杂质电离能杂质电离能,杂质的等效玻尔半杂质的等效玻尔半径径,当相邻杂质原子的电子轨道发生交迭时当相邻杂质原子的电子轨道发生交迭时的施主浓度的施主浓度整理ppt关于盘旋共振实验结果的一些说明关于盘旋共振实验结果的一些说明oSi的导带盘旋共振实验的导带盘旋共振实验:oB任意取向任意取向,可观察到三个吸收峰可观察到三个吸收峰;B在在110面上面上,仍是二个吸收峰仍是二个吸收峰o#1

      2、-4Ge的导带盘旋共振实验的导带盘旋共振实验:o讨论讨论B沿沿方向方向,方向方向,方向方向;B在在110面上面上;B任意取向任意取向.o#1-3导带的极值在导带的极值在方向方向:o讨论讨论B沿沿方向方向,方向方向,方向方向;B任意取向任意取向.整理ppt1.#3-12.#3-3又又:由这计算结果由这计算结果,你得到什么结论你得到什么结论?3.#3-6整理ppt1.#3-72.#3-83.#3-104.#3-115.#3-12要求:用语言将你的计算结果总结一下要求:用语言将你的计算结果总结一下(此题涉及的对数方程此题涉及的对数方程,可用图解法可用图解法;可借助计算机可借助计算机进行计算进行计算;也可作近似估算,数量级要正确也可作近似估算,数量级要正确)整理ppt1.#3-132.#3-153.#3-164.#3-185.查图表时,至少要保证数量级正确查图表时,至少要保证数量级正确整理ppt1.#4-22.#4-43.#4-74.#4-115.#4-15必要时,须考虑温度和杂质浓度对载流必要时,须考虑温度和杂质浓度对载流子浓度和迁移率的影响子浓度和迁移率的影响整理ppt1.#4-122.#

      3、4-133.#4-15必要时,须考虑温度和杂质浓度对载流必要时,须考虑温度和杂质浓度对载流子浓度和迁移率的影响子浓度和迁移率的影响4.补充:定性分析掺杂半导体电阻率随温补充:定性分析掺杂半导体电阻率随温度的变化关系。度的变化关系。整理ppt1.#4-162.#4-19(应用图应用图4-17)3.#12-14.#12-65.补充题补充题:Si原子加到原子加到GaAs材料中材料中,可取代可取代Ga原子成为施主杂质或取代原子成为施主杂质或取代As原子成为受主原子成为受主杂质杂质.假定假定Si原子浓度为原子浓度为21014cm-3,其中其中5%取代取代As原子原子,95%取代取代Ga原子原子,并在室温并在室温下全部电离下全部电离.求求:(1)样品的电导率样品的电导率.(2)样品的样品的Hall系数系数.整理ppt1.#5-32.#5-43.#5-74.#5-85.补充题补充题:一块一块p型半导体型半导体,画出以下情况画出以下情况下的能带简图下的能带简图,标出费米能级或准费米能标出费米能级或准费米能级的位置级的位置.无光照无光照有光照有光照,n=pni有光照有光照,大注入大注入整理ppt1.#5

      4、-92.#5-123.#5-154.#5-165.#5-17(考虑掺杂浓度对迁移率的影响考虑掺杂浓度对迁移率的影响)6.#5-18(Au饱和浓度可取饱和浓度可取整理ppt1.#6-12.#6-2(正向偏置正向偏置,小注入小注入)3.#6-34.#6-5整理ppt1.#6-6(1.#6-6(求电容时求电容时:,:,求势垒电容求势垒电容,求势垒电容和扩散电容求势垒电容和扩散电容)2.#6-72.#6-73.#6-9(Si3.#6-9(Si材料材料)4.#6-104.#6-105.#6-125.#6-12整理ppt1.1.施主浓度为施主浓度为7.01016cm-37.01016cm-3的的n n型型SiSi与与AlAl形形成金属与半导体接触,成金属与半导体接触,AlAl的功函数为的功函数为4.20eV4.20eV,SiSi的电子亲和能为的电子亲和能为4.05eV4.05eV,试画,试画出理想情况下金属出理想情况下金属-半导体接触的能带图半导体接触的能带图并标明半导体外表势的数值。并标明半导体外表势的数值。2.2.某某ShottkyShottky二极管,其中半导体中施主浓二极管,其中半导体中施主浓度为度为2.51016cm-32.51016cm-3,势垒高度为,势垒高度为0.64eV0.64eV,加上,加上4V4V的正向电压时,试求势垒的宽度的正向电压时,试求势垒的宽度为多少?为多少?3.#7-33.#7-3整理ppt

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