MEMS工艺考试试卷
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2007-2008学年第一学期末考试试题（B卷）MEMS 工艺得分使用班级：05182401, 05182402, 05182403总分填空（20 分）每题 2 分1、 硅的杨氏模量与相似。2、 硅晶体的腐蚀在方向最慢。3、硅晶体的晶格长度为 nm。4、 常用的光刻中的紫外线光源的i线是nm。5、在模拟实验中，氧化温度。6、 一般来讲，湿法腐蚀比干法腐蚀, 倍。7、 表面微制造中最常用的结构材料 。8、粘附现象存在于。9、成本最低的微制造工艺。10、 在曝光后不被溶解的光刻胶。得分、选择题（20分）每题2分1、LIGA工艺制造MEMS,采用的材料（）（A）限于硅；（B）限于陶瓷；（C）对材料几乎没有限制2、硅晶体的晶格长度为（ ）纳米（ A） 0.543，（ B） 0.643，（ C） 0.7433、扩散用于对半导体的参杂，它同离子注入过程相比（ ）（A）较慢（B）较快（C）同等速率4、KOH腐蚀剂对SiO2的腐蚀速率要比对硅的腐蚀速率慢（）（A） 100 倍；（B） 1000 倍；（C） 20，000 倍；5、LIGA 工艺的主要优势之一是它能够产生（ ）（A）高深宽比的微结构；（B）低成本的微结构；（C）尺寸精确的微结构6、粘附存在于（ ）（A）体硅微制造；（B）表面微制造；（C）激光微加工7、在室温下进行的导线连结技术是（ ）（A）热压，（B）楔形-楔形超声键合，（C）热声键合8、硅的过分掺杂会导致（ ）（A）残余应力；（B） p-n掺杂硅；（C）硅基底中的原子键断裂9、同步x-射线在LIGA工艺中用于光刻的原因是（）（A）它对光刻胶更有效；（B）它是更便宜的光源；（C）它能深入光刻胶材料10、SOI 是代表（ ）（A）离子分裂，（B）绝缘物上的硅，（C）绝缘物下的基质得分三、简答题（30分） 每题6 分1、简述干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化的异同2、何谓CVD?常用的有哪几种CVD?3、简述各向异性腐蚀时（100）面与（111）面腐蚀速度差异比较大的原因4、简述离子注入设备的各个部分的名称和功用5、简述引线键合的作用，有哪几种引线键合得分四、论述题（30分）每题 15 分15 分）1、 论述双面光刻是如何进行对准的？对准符号有哪些？2、论述粘附现象产生的原因及其预防措施（15 分）
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