光电二极管特性参数的测量及原理应用
21页1、h武汉搏盛科技有限公司WuhanBOSENTechnologyCo.,Ltd.工作总结实验报告光电池/光敏电阻/光电二极管特性参数的测量指导人:朱小姐实验类型:工作检验及年终总结实验地点:搏盛科技光电子半导体实验室实验目的:销售技能的考察,产品及相关知识的了解情况,年终总结实验日期:2011年12月26日姓名:陈帅职位:销售工稈师手机号:15926350413Email:概述光电效应是指入射光子与探测器材料中的束缚电子发生相互作用,使束缚电子变成为由电子的效应。光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。入射光子引起探测器材料表而发射电子的效应称为外光电效应。入射光子激发的载流子(电子或空穴)仍保留在材料内部的效应称为内光电效应。内光电效应器件有光电导探测器(例如光敏电阻)、光生伏特器件(光电池、光电二极管、光电三极管)。实验内容测量三种内光电效应器件(光敏电阻、光电池、光电二极管)的特性参数。注意事项a)做实验请关灯,以达到良好的测量效果。b)拆卸数据线时不要用力硬拽,拆不下來请转个角度拆。c)请在H己的实验桌上做实验,不要到别的实验桌旁干扰同事做实验,更不耍动他人的仪器。d)请龙触摸光
2、学镜片的表面。e)测量时不要碰导线,否则数据不稳定。更不能用力拉扯导线,导致接头脱落。f)实验完毕关闭所有电源开关。实验报告报告开头请填入姓名、职位、手机号、实验日期。实验完成后,请将报告打印出來,在有实验数据、图表的页脚签名,然后交到朱小姐办公桌上。Word文件请以“实验报告+姓名”命名,发到朱小姐邮箱。请在元旦节前完成。光敏电阻的特性曲线测量一.目的耍求测量CdS(硫化镉)光敏电阻的伏安特性和光照特性。实验耍求达到:1、使用Excel或绘图软件Origin绘制出伏安特性特性曲线2、绘制出光照特性曲线3、理解光敏电阻的光电特性二.实验原理某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收,从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。光电导效应只发生在某些半导体材料中,金属没有光电导效应。光敏电阻是基于光电导效应工作的元件。光敏电阻具有体积小,坚固耐用,价格低廉,光谱响应范围宽等优点。广泛应用丁微弱辐射信号的探测领域。由丁光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,只要把它当作电阻值随光照度而变化的可变电阻器对待即可,使用时既可加H流电压,也可以加交流电压。因此光敏电阻在电子电路、仪器仪表、
3、光电控制、计量分析以及光电制导、激光外差探测等领域中获得了十分广泛的应用。hvbdl(1)则光敏层单位时何所吸收的比彊J玫冷度N战为:光敏层每秒产生的电子数密度Ge为:Ge=riN(2)耳为有效量子效率,表示入射光子转换为光电子的效率。它定义为:_单位时间内光电转换产生的有效电子空穴对数V、乃单位时间内入射光量子数理想情况下,入射一个光量子产生一对电子空穴,】=1。实际上,nu光敏层内电子总产生率应为热电子产生率G与光电子产生率Ge之和:Ge+Gt=rjN+rt(4)在热平衡状态下,半导体的热电子产生率G与热电子复合率“相平衡。导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为:R=Kf(M+njp+pj(5)式中,Kf为载流子的复合儿率,Ail为导带中的光生电子浓度,Ap为导带中的光生空穴浓度,皿与P,分别为热激发电子与空穴的浓度。同样,热电子复合率与导带内热电子浓度口及价带内空穴浓度P,的乘积成正比。即签名:第2页珥=KER(6)(8)在热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。即rjN+Kfnipi=Kf(An+n,.)(Ap+p)(7)在非平衡状态下,载流子的时间变化率应等丁载流子的总产
4、生率与总复合率的差:dAndt=rjN+Kfn1p1一Kf(n+n2)(Ap+pj=r/-V一KzXnAp+Apnf+AnpJ珥=KER(6)(8)珥=KER(6)(8)下而分为弱光与强光照射两种情况讨论式(8):在弱光照射下光生载流子浓度An远小丁热激发电子浓度11,光生空穴浓度Ap远小丁热激发空穴的浓度P”并考虑到本征吸收的特点,An=Ap,式(8)可简化为-=rjN-KfAn(ni+p,)(9)dt利用初始条件t=0时,A11=0,解微分方程得:=耳试(1-J%)(10)式中t=1衣血汁pj,称为载流子的平均寿命。由式(10)可见,光激发载流子浓度随时间按指数规律上升,当tT时,载流子浓度An达到稳态值Ano,即达到动态平衡状态:心=(11)光激发载流子引起半导体电导率的变化为:Ab=叩“=VjgpN(12)式中,U为电子迁移率Un与空穴迁移率Up之和。光敏电阻受光照后阻值会变小也可以这么定性理解:当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样材料中的载流子数目增加,材料的电导率也就增加。当光敏电阻两端加上电压U后,光电流为:Iph=G
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