材料科学基础选择题汇总(doc11页)(优质版)
11页1、1、极化会对晶体结构产生显著影响,可使键性由( B )过渡,最终使晶体结 构类型发生变化。A:共价键向离子键B:离子键向共价键C:金属键向共价键D:键金属向离子键2、离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离( B ),离 子配位数()。A:增大,降低B:减小,降低C:减小,增大D:增大,增大3、氯化钠具有面心立方结构,具晶胞分子数是( C )。A: 5B: 6C: 4D: 34、NaCl单位晶胞中的 分子数”为4, Na+填充在Cl-所构成的(B )空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C: 1/2四面体D: 1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的 分子数”为1, Cs+填充在Cl-所构成的(C )空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:全部立方体D: 1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构,由一套Mg的面心立方格子和一套。的面心立方 格子组成,具一个单位晶胞中有( B )个MgO分子。A: 2B: 4C: 67、萤石晶体可以看作是A:八面体空隙的半数C:全部八面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为A: 2C: 69、CsCl晶体中Cs+的配位数为A: 2C: 610、
2、硅酸盐晶体的分类原则是(A:正负离子的个数B:D: 8F-填充了( D )B:四面体空隙的半数D:全部四面体空隙8, F-配位数为(B )。B: 4D: 88, C的配位数为(D )。B: 4D: 8B )。结构中的硅氧比Ca2+作面心立方堆积C:化学组成D:离子半径11、培英石2母24是(A )。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代,这种现象称为( C )。A:同质多品B:有序一无序转变C:同晶置换D:马氏体转变13.镁橄榄石 Mg2SiO4是( A )。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较,其由大到小的顺序 为(A )。A:沸石萤石MgOB:沸石,MgO萤石C:萤石沸石MgOD:萤石,MgO沸石15、根据鲍林(Pauling)规则,离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时,一价 阴离子的配位数为(B )。A: 2B: 4C: 6D: 816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元SiO4四面体,两个相邻的SiO4四面体之 间只能(A )连接。A:共顶B:共面C:共棱D
3、: A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关,以下 点缺陷中属于本征缺陷的是( D )。A:弗仑克尔缺陷B:肖特基缺陷C:杂质缺陷D: A+B18、位错的(A)是指在热缺陷的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移B:攀移C:增值D:减少19、对于形成杂质缺陷而言,低价正离子占据高价正离子位置时, 该位置带有负 电荷,为了保持电中性,会产生( D )oA:负离子空位B:间隙正离子C:间隙负离子D: A或B20、对于形成杂质缺陷而言,高价正离子占据低价正离子位置时, 该位置带有正 电荷,为了保持电中性,会产生( D )oA:正离子空位B:间隙负离子C:负离子空位D: A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为(D )。A:稳定品格B:活化品格C:固溶强化D: A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变,但点阵畸变,性能变化。固溶体有有限和无限之分,其中( B )。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件,不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条
4、件D:结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响,常见的缺陷为( D )。A:点缺陷B:线缺陷C:面缺陷D: A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为( D )。A:热缺陷B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷D: A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加,具变化规律是( B )。A:线性增加B:呈指数规律增加C:无规律D:线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体,其溶质原子位于点阵的间隙中。 讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑(D )。A:杂质质点大小B:晶体(基质)结构C:电价因素D: A+B+C27、位错的滑移是指位错在(A )作用下,在滑移面上的运动,结果导致永 久形变。A:外力B:热应力C:化学力D:结构应力28、柏格斯矢量(Burgers Vector与位错线垂直的位错称为(A ),其符号表 示为()。A:刃位错;! B:刃位错;VX C:螺位错;D:刃位错;29、热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottky defect)时,(B )。A:正离
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