mos管峰值吸收电路.doc

开关电源设计之 MOS 管反峰及 RCD 吸收回路对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件即要限制主 MOS 管最大反峰，又要 RCD 吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做几个假设： ①开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； ②RCD 中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； ③在调整 RCD 回路前主变压器和 MOS 管，输出线路的参数已经完全确定 有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对 MOS 管的 VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压 VDC； ⅱ，次级反射初级的 VOR； ⅲ，主 MOS 管 VD 余量 VDS； ⅳ，RCD 吸收有效电压 VRCD1 二﹑对于以上主 MOS 管 VD 的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压 VDC 在计算 VDC 时，是依最高输入电压值为准如宽电压应选择 AC265V，即DC375V VDC＝VAC*√2 ⅱ，次级反射初级的 VOR VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依 Vo=5.25V 计算），二极管 VF 为 0.525V（此值是在 1N5822的资料中查找额定电流下 VF 值）． VOR＝(VFVo)*Np/Ns ⅲ，主 MOS 管 VD 的余量 VDS． VDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值．如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择DC65V． VDC＝VD*10% ⅳ，RCD 吸收 VRCD． MOS 管的 VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD 的最大值。

实际选取的 VRCD 应为最大值的 90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响） VRCD＝(VD-VDC-VDS)*90% 注意：①VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ②VRCD 必须大于 VOR 的 1.3 倍．（如果小于 1.3 倍，则主 MOS 管的 VD 值选择就太低了） ③MOS 管 VD 应当小于 VDC 的 2 倍．（如果大于 2 倍，则主 MOS 管的 VD 值就过大了） ④如果 VRCD 的实测值小于 VOR 的 1.2 倍，那么 RCD 吸收回路就影响电源效率⑤VRCD 是由 VRCD1 和 VOR 组成的 ⅴ，RC 时间常数 τ 确定． τ 是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~20 个开关电源周期 三﹑试验调整 VRCD 值 首先假设一个 RC 参数，R=100K/RJ15,C="10nF/1KV"再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则在试验时应当严密注视 RC 元件上的电压值，务必使 VRCD 小于计算值如发现到达计算值，就应当立即断电，待将 R 值减小后，重复以上试验。

RC 元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的 RC 一点上，测试点接到 RC 另一点上）一个合适的 RC 值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD 的试验值等于理论计算值 四﹑试验中值得注意的现象 输入电网电压越低 VRCD 就越高，负载越重 VRCD 也越高那么在最低输入电压，重负载时 VRCD 的试验值如果大于以上理论计算的 VRCD 值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压重负载是指开关电源可能达到的最大负载主要是通过试验测得开关电源的极限功率 五﹑RCD 吸收电路中 R 值的功率选择 R 的功率选择是依实测 VRCD 的最大值，计算而得实际选择的功率应大于计算功率的两倍 编后语：RCD 吸收电路中的 R 值如果过小，就会降低开关电源的效率然而，如果 R 值如果过大，MOS 管就存在着被击穿的危险。