切片工艺过程.docx

切片工艺过程多晶：铸锭一检测一一开方一清洗（清洗切割液）磨面一倒角一切片——清洗一检测——分选1开方① 硅锭切割成硅块② 视硅片硅锭的规格而定开方为：G3（3*3）,G4（4*4）,G5（5*5）,G6（6*6）③ 开方的方法有：外圆切割、多线切割（常用）2磨面目的：去除线痕，切割损伤层，改善表面平坦度、平行度3倒角将硅块倒角1~2mm目的：防止切割时硅片边缘破裂、崩边及品格缺陷产生4切片：钢线带砂（sf切割）切割前的准备：布线、粘胶、配切割液一、 布线：线弓过大，易断线且有线痕产生线弓过小，易断线且降低切割二、 粘胶：粘胶顺序：托板、玻璃、硅块、PVC条① 托板（金属）无变形、裂痕；玻璃：两面磨砂；PVC条：无金属粉末② 粘胶的配置：A胶和B胶充分搅拌至颜色均匀③ 粘胶面的选取：以最短面为粘胶面，避免切割时产生跳线三、切割液的配置切割液为sic的悬浮液（切割液、sic）① sic的选取：开方用的sic颗粒为17〜19um，切片用的sic颗粒为： 11~13umo② s.c的烘烤.烘烤s.c中的水分（避免降低切割液的悬浮能力）.将s.ci 口 J ： 儿、i 丁口 十 IW S 口1HI 又 口 J /UM丁日匕； M寸 j的结块烤散（减小线很）。

③ sic的倒入：将sic缓缓倒入切割液中，不少于1分钟，并不停的搅拌， 搅拌不低于12小时④ 检测其密度：每2小时检测一次，直到达到配置要求如密度过大加切 割液，如密度过小加sic颗粒⑤ 切割液的影响因素：温度（粘度）、湿度（吸水性，悬浮力下降）、密度 （小，悬浮力下降；大，产生线痕）、时间（配置等待时间不超过5分钟，时间过长，悬浮液沉降，密度减小，切割能力下降）5清洗① 脱胶：硅片两边用挡板挡住，然后加热硅片使粘胶软化，从而达到脱胶 的目的② 插片：粘胶面朝上③ 清洗：清洗有机物、无机物、腐蚀线痕、切割损伤层等然后甩十6检测：崩边、裂痕、边宽、对角线、翘曲度、TTV、少子寿命、微品脱落等7分选：根据检测的结果，将性能相同相近的放在一起，标出等级。