氧化钒薄膜的电阻特性研究.doc

氧化钒薄膜的电阻特性研究氧化钒薄膜的电阻特性研究1.学习二氧化钒(VO2)薄膜晶体结构及相转变等相关知识；2.掌握利用恒流源测量薄膜电阻的方法，计算不同温度范围内的电阻变化率；3. 利用作图法处理数据，作出升温曲线和降温曲线并归纳总结热滞现象实验仪器实验仪器真空腔（四探针调节架、载物台、加热棒及热偶） ，电学组合箱（2 个 XMT612 智能温控仪、1 个恒流源、1 个数字电压表） 实验原理实验原理二氧化钒(VO2)薄膜是一种具有热滞相变特性的材料，随着温度的升高，在 68C附近会发生单斜结构和金红石结构的晶型转变，与此同时由半导体转变为金属态，此转变在纳秒级时间范围内发生，随之伴随着电阻率、磁化率、光的透过率和反射率的可逆突变这些卓越的特性有着诱人的发展前景，可以用来制作光电开关材料、热敏电阻材料、光电信息存储器、激光致盲武器防护装置、节能涂层、偏光镜以及可变反射镜等器件等一、二氧化钒(VO2)薄膜的晶体结构图 X.2-1 单斜晶结构 VO2（M）图 X.2-2 金红石结构 VO2（R）二氧化钒型态结构是以钒原子为基本结构的体心四方晶格，氧原子在其八面体的位置，有四种不同形态的结构：（1）金红石结构 VO2（R） ；（2）轻微扭曲金红石结构的单斜晶VO2（M） ；（3）非常接近 V6O13结构的单斜晶结构 VO2（B） ；（4）四方晶结构 VO2（A） 。

二氧化钒在 68℃时发生相变，在 68℃以下时 VO2（M）存在，反之，在 68℃以上时则为金红石结构 VO2（R） ，VO2（R）和 VO2（M）型态的相转变是可逆的同时 VO2（B）→VO2（R）也可以发生相转化，VO2的另一个金属相 VO2（A）是其相转变过程的中间相VO2（B）型是一种亚稳态氧化物，经过对 VO2（B）型薄膜进行退火处理，能够使其转变成 VO2（R）型的稳定结构，但是 VO2（A）和 VO2（B）型态的相转变是不可逆的对 VO2而言，最稳定的结构是 VO2（R） ，其稳定的范围是 68℃到 1540℃之间如图X.2-1 所示，高温形态的四方金红石结构具有高对称性，V4+离子占据中心位置，而 O2-则包围 V4+离子组成一个八面体，此八面体的四重轴是沿着(110)或(011)排列CR轴的钒原子组成等距(d v-v=0.286 nm)的长链，为八面体的共用边VO2（R）的晶格参数为aR=bR=0.455nm，cR=0.288nm, =90°,Z=2 在 68℃以下，单斜晶 VO2（M）形成沿着 c 轴方向的两个四价钒使晶格扭曲，进而导致对称性降低在室温下 VO2（M）相的晶格参数为 aM=0.575nm,bM=0.542nm,cM=0.538nm, =122.6°,Z=4。

由上述数据可观察到 VO2（M）的晶格参数与 VO2（R）的晶格参数息息相关：aM=2cR，bM =aR ，cM = bR - cR ，VO2（M）结构也是八面体如图 X.2-2二、二、二氧化钒二氧化钒(VO(VO2 2) )薄膜的相转变温度薄膜的相转变温度在常温下二氧化钒薄膜处于半导体态，其电阻随温度升高而减小；当温度继续升高，薄膜电阻突然下降，随后薄膜电阻随温度升高而增大（见图 X.2-3）从图中还可观察到温度上升时和温度下降时的电阻-温度特性曲线并不完全重合，把这种具有类似铁磁材料迟滞特征的现象，称为热滞回线，即温度的变化落后于电阻的变化图 2 是VO2单晶典型的电阻-温度曲线半导体态电阻偏离线性的电阻 Rs 与金属态偏离线性的电阻 RM之差的 50%阻值对应的温度称为转变温度，温度升高曲线对应的转变温度记作TSMH，温度降低时对应的转变温度记作 TSMC，两者温度之差称为转变宽度（T） 本实验测量 VO2薄膜的电阻-温度特性，与 VO2单晶的电阻-温度曲线形状有所不同，但是基本概念仍适用图 X.2-4 四探针原理图三、四探针针法测量薄膜电阻三、四探针针法测量薄膜电阻电阻率的高精度测量需要采用四端测量技术，也称为四探针测量法，在半导体和薄膜测试技术中得到广泛应用。

四探针法分为直线四探针法和方形四探针法，按发明人又分为Perloff法、Rymaszewski法、范德堡法、改进的范德堡法等本专题我们采用常规直线四探针法，其原理图见图X.2-4，其中最外侧两个探针通恒流，中间两个探针取电压，则当样品面积远远大于四探针中相邻两探针间距时，中间两个探针之间材料R2的电阻率分两种情况考虑：1）如果对厚度为三倍探针针距以上的体材样品电阻率为)1(2IUS     其中S为针间距；2）如果对厚度远小于针间距的薄膜样品，则利用公式)2(2lndIU     计算，d为薄膜样品厚度在半导体专业测量中常考虑边缘和厚度效应，以上两个公式两边需要乘上修正因子在大学生物理实验中，我们忽略两种效应对电阻率的影响图 X.2-3 二氧化钒晶体的电阻-温度特性曲线实验内容与步骤实验内容与步骤1、、真空的获得真空的获得本实验的仪器装置示意图见图仪器由四探针组件，温度控制仪，2 个加热器、2个 K 型热电偶、真空腔及机械泵组成抽真空过程：抽真空过程：检查真空腔下面的空气阀（图 X.2-4 中 5）是否关闭，安装好玻璃罩，打开旋转机械泵的开关，逆时针旋转截止阀（图 X.2-4 中 8） ，观察压力表的指针变化，抽真空到压力表显示 0.01MPa 以下，顺时针旋转截止阀至完全关闭，关上机械泵电源，真空可保持 4 个小时以上。

充气过程：充气过程：测试完成后，尽快打开空气阀，观察压力表的指针变化逆时针旋转截止阀，让截止阀两侧都充气到一个大气压，防止机械泵中润滑油倒流至软管中当压力表指针达到 0.1MPa 以上是，可以拿开玻璃罩2、、 温度的控制温度的控制温度校准：温度校准：打开仪器总电源，预热5~10分钟根据室内温度，校准实时温度具体步骤：按温控仪的“set”键（参见附录1参数设定） ，输入0089，调节菜单顺序，激活PSb，进行温度零点误差修正值P、、I、、D 参数调整练习：参数调整：在大气环境中，选择一个加热棒和热偶将加热棒和热偶，都放入样品台中相应的插孔中打开加热棒电源，从室温升高温度到 60C，记录温度图图 X.2-4-41，2-温控仪 3—电压表，4—恒流源， 5—空气阀，6—机械泵，7—气压表，8—截止阀，9—加热棒，1067AB C D511121314910432pVsVpV sV115168a b c d e f g ha' b ' c ' d ‘ e ' f ' g ' h 'k lk ' l 'i ' j 'i j676767AB C D511121314910432pVsVpV sV115168a b c d e f g ha' b ' c ' d ‘ e ' f ' g ' h 'k lk ' l 'i ' j 'i jAB C D511121314910432pVsVpV sV1432pVsVpV sVpVsVpV sV115168a b c d e f g ha' b ' c ' d ‘ e ' f ' g ' h 'k lk ' l 'i ' j 'i j—热偶，11—样品台，12—四探针，13—微调旋钮，14—玻璃罩，15—电学组合箱接线柱（abcdefghijkl） ，16—真空腔接线柱（abcdefghijkl）。

升高 20C 所需升温的时间 t1关闭加热棒电源，按温控仪的“set”键，输入 0036， 记录下 P、I、D 的数值（参见附录 2 中 PID 算法） 试着增大或减小 P、I、D 的数值，重新开启加热器电源，记录温度升高 20C 所需升温的时间 t2，并关闭所选加热棒电源比较 t1和 t2，理解如何利用 P、I、D 参数控制温度升温过程：升温过程：选择另一个加热器，检查其 P、I、D 的数值是否与所记录的相同，如果不同，请按记录修改设定温度至 120C，打开加热棒电源，在 40—120C 均匀取点，记录电流与电压值将电流换向，测量反向电压降温过程：降温过程：关掉加热棒电源，自然环境中降温，在 120—40C，均匀取点，记录电流与电压值将电流换向，测量反向电压3、、 薄膜电阻的测量薄膜电阻的测量四探针组件，由四根等间距探针，微调支架，恒流源及电压表构成调节微调支架旋钮，当四探针与薄膜接触后，在 A、D 两根探针间通电流，测量 B、C 两根探针的电压由电流值和电压值可直接计算 B、C 间的电阻值，利用公式（2）可计算电阻率本实验所采用的样品薄膜厚度为 200nm薄膜电阻测量步骤：1）依次连接电学组合箱和真空腔上的接线柱（a-a, b-b, c-c, d-d, e-e, f-f, g-g, h-h, i-i, j-j，k-k, l-l）,（参看图 X.2-4） 。

2）利用万用表粗测电阻值后，确定恒流源的量程和数字电压表的量程3）待测样品放到样品台上，接通恒流源，测得电压，计算室温下，0.1MPa 下样品的电阻值，并记录4）在真空环境中测试样品的电阻值，检查真空腔的空气阀是否关闭，放上玻璃罩，打开机械泵，抽真空到压力表显示 0.01MPa 以下，顺时针旋转气体截止阀，并关闭机械泵电源5）打开加热棒电源，设定温度至 120C（40—1２0C，均匀取点），记录电流与电压值将电流换向，测量反向电压取正反向电压的平均值，计算升温时样品的电阻值6）关闭加热棒电源，降温（120—40C，均匀取点），记录电流与电压值将电流换向，测量反向电压取正反向电压的平均值，计算降温时样品的电阻值7）测试完成后，关闭电学组合箱电源打开空气阀，逆时针缓慢旋转截止阀，当压力表指针达到 0.1MPa 以上是，可以拿开玻璃罩8）提高四探针微调支架，使探针离开样品表面，用镊子将样品放入样品盒中注意事项：1. 四探针与薄膜接触后再打开恒流源，避免打火花； 2. 探针与薄膜表面接触松紧要适度，太松，接触不良；太紧，又容易将针弄断； 3. 注意加热棒的温度不要超过 150C基本要求基本要求1.熟练掌握机械泵、截止阀和空气阀的使用方法，反复练习将真空腔压强从 0.1MPa降低到 0.01MPa 以下；再充气到 0.1MPa。

2.选择一个加热器，练习手动调节 P、I、D 参数进行温度的控制 3.换另一个加热器，进行薄膜电阻的测量要求：1)大气环境中，学习选择合适的恒流源和数字电压表的量程，测量其电阻值，并记录2)在真空环境中测试升温（40—1２0C，均匀取点 10 个以上）和降温（40—1２0C，均匀取点 10 个以上）时样品的电阻值，并记录4. 取薄膜厚度为 200nm，利用公式在一个坐标系内绘制升温和降温时电阻率-温度曲线，确定升温(TSMH)和降温时相转变温度(TSMC)，计算转变温度宽度，并估算温度在50~100C 内的电阻率变化的数量级分析与思考分析与思考1. 简单描述 VO2薄膜热滞曲线与 VO2单晶热滞曲线的区别？2. 如果降温过程太慢，如何操作进行测试降温曲线？3. 误差产生原因有哪些？附录附录 1 1 XMT612XMT612 智能智能 PIDPID 温度的控制仪温度的控制仪XMT612智能PID温度控制仪是该仪器的主要控温装置，如图1所示热电阻为Pt100、Cu50，可实现热电偶T、R、J、B、S、K、E、WRe3-WRe25等10种信号兼容输入，时间比例PID控制输出可选继电器触点输出或SSR无触点电平输出，2路继电器输出，可实现双限报警或三位式控制，具备超强自整定功能,自动适应被控制对象，超调抑制功能。

其主要技术参数如下：◆工作电源：AC85-260V/DC85-360V (小于2W)set◆继电器：A。