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最新】场效应管测量方法 下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管.下图为MOS管的标识 我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的不管是N沟道还是P沟道都一样把芯片放正从左到右分别为G极D极S极!如下图: 用二极管档对MOS管的测量首先要短接三只引脚对管子进行放电1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道.. 2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1. 3红笔移回到S极.此时管子应该为导通... 4然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先) 5然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1 到此我们可以判定此N沟道场管为正常 有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。

当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值...测量方法描述到此结束.... 场效应管测量方法 绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势 其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多 一、基本类型MOS管测试 MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示 　　　　 图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)与图1稍有不同，图2所示NMOS管的G-S之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件”保护二极管”，由于保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性因此，这两种管子的测量方法基本类似，具体测试步骤如下： 　1．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。

而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象选择指针万用表的R_1kΩ挡，轮流测试任意两只管脚之间的电阻值当指针出现较大幅度偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极D，剩余第3脚则为栅极G，如 图3所示 　2．短接G、D、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS图2所示MOS管的G-s极间接有双向保护二极管，可跳过这一步 　3．万用表电阻挡切换到的R_10kΩ挡(内置9V电池)后调零将黑笔接漏极D、红笔接源极S，经过上一步的短接放电后，UGS降为0V，MOS管尚未导通，其D-S间电阻RDS为∞，故指针不会发生偏转，如 图4所示 　　　 4．有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能好坏作出准确的判断：第一种方法： ①用手指碰触G-D极，此时指针向右发生偏转，如图3所示手指松开后，指针略微有些摆动②用手指捏住G-S极，形成放电通道，此时指针缓慢回转至电阻∞的位置，如图6所示 　　　 图2所示MOS管的G-S间接有保护二极管，手指撤离G-D极后即使不去接触G-S极，指针也将自动回到电阻∞的位置。

值得注意的是，测试过程中手指不要接触与测试步骤不相关的管脚，包括与漏极D相连的散热片，避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造成误判第二种方法： ①用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结电容进行充电，此时可以忽略万用表指针的轻微偏转，如图7所示 ③交换黑笔与红笔的位置，万用表所指示的电阻值基本不变，说明此时MOS管的D-S极已经导通当前万用表所指示的电阻值近似为D-S极导通电阻RDS(on)因测试条件所限，这里得到的RDS(on)值往往比手册中给出的典型值偏大 对于图2所示的MOS管，因G-S间保护二极管的存在，万用表指针在接近零刻度位置后，将自动回复到电阻∞位置 5．放大能力(跨导)的估测 判断NMOS管跨导性能时，选择万用表的R_10kΩ电阻挡，此时表内电压较高对于垂直沟道的VMOS管(如2SJ353)，用R_1kΩ挡即可完成所有的测试功能 将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，相当于在D-S之间加上一个9V的电压此时栅极开路，当用手指或镊子接触栅极G并停顿几秒时，指针会缓慢地偏转到满刻度的1／3～1／2处指针偏转角度越大，MOS管的跨导值越高。

如果被测管的跨导很小，用此法测试时指针偏转幅度很小 二、特殊小功率MOS管的测试 图1所示MOS管在目前使用较广，典型器件如NMOS型的IRF740、IRF830、PMOS型的IRF9630等图2所示的MOS管以NMOS型居多，2SKl548、FS3KMl6A为这类MOS器件的典型代表此外，还有一类比较特殊的MOS管，这类MOS管的栅极G在并联保护二极管的同时还集成有一只电阻，结构如图9所示 　　　 图9所示的MOS管在小功率器件中采用较多，如常见的2SK1825这类NMOS管与前述两种MOS管的测试方法区别较大，正确的测试步骤如下： 1．切换到万用表的R_1kΩ挡，将黑笔与某只引脚相接，红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量，若两次测试过程中指针均出现较大幅度的偏转，则与黑笔相连的管脚即为源极S这主要是由于MOS管内部集成有两只保护二极管的缘故2．为了区分漏极D与栅极G，接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识别程序进行测试： ①假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接，红笔则接假设的栅极G； ②用手指捏住假设的栅极G与漏极D，观察指针的偏转情况若指针偏转幅度较大，则与黑笔相接的管脚即为漏极D，与红笔相接的则为栅极，测试原理如图10所示。

三、型号不明的MOS管的测量 PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似，在测量过程中应注意将表笔的顺序颠倒 但是，对于型号不明的MOS管，通过检测单向导电性往往只能判断出其中哪一只管脚为栅极，而不能直接识别管子的极性和D、S极对此，合理的测试方法如下： 1、万用表取R_1kΩ挡，在观察到单向导电性之后，交换两只表笔的位置； 2、将万用表切换至R_10kΩ挡，保持黑笔不动，将红笔移到栅极G停留几秒后再回到原位，若指针出现满偏，则该元件为PMOS管，且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为漏极D； 3、若第2步指针没有发生大幅度偏转，则保持红笔位置不变，将黑笔移到栅极G停留几秒后回到原位，若指针满偏则管子类型为NMOS，黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接为源极S MOS管的种类较多，测试方法也不尽相同，实际工作中需要在充分掌握上述测试原则的基础上灵活地选择合适的测试方法 场效应管好坏的测量 场效应管检测方法 一、用指针式万用表对场效应管进行 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极具体方法：将万用表拨在R_1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏具体方法：首先将万用表置于Ｒ_１０或Ｒ_100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ_１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R_100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的根据上述方法，我们用万用表的R_100档，测结型场效应管3DJ2F先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力 运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。

这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力第二，此方法对MOS场效应管也适用但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行 （4）用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻。