电子技术基础教学课件.ppt

电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础主编主编 曾令琴曾令琴主编：曾令琴制作：曾令琴2006年8月欢迎学习欢迎学习电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件第第1 1章章     电子技术中常用半导体器件电子技术中常用半导体器件第第2 2章章     基本放大电路基本放大电路第第3 3章章     集成运算放大器集成运算放大器第第4 4章章     数字逻辑基础数字逻辑基础第第6 6章章     触发器触发器第第8 8章章     存储器存储器第第9 9章章     数数/ /模和模模和模/ /数转换器数转换器第第5 5章章     逻辑门与组合逻辑电路逻辑门与组合逻辑电路第第7 7章章     时序逻辑电路时序逻辑电路电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1.1  半导体的基本知识1.2  半导体二极管1.3  特殊二极管1.4  双极型三极管1.5  单极型三极管电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件学习目的与要求 了解本征半导体、了解本征半导体、P型和型和N型半导体的特征型半导体的特征及及PN结的形成过程；熟悉二极管的伏安特性结的形成过程；熟悉二极管的伏安特性及其分类、用途；理解三极管的电流放大原及其分类、用途；理解三极管的电流放大原理，掌握其输入和输出特性的分析方法；理理，掌握其输入和输出特性的分析方法；理解双极型和单极型三极管在控制原理上的区解双极型和单极型三极管在控制原理上的区别；初步掌握工程技术人员必需具备的分析别；初步掌握工程技术人员必需具备的分析电子电路的基本理论、基本电子电路的基本理论、基本知识和基本技能。

知识和基本技能 电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 绕原子核高速旋转的核外绕原子核高速旋转的核外电子电子带负电带负电带负电带负电 自然界的一切物质都是由分子、原子组成的 原子又由一个带正电的原子核和在它周围高速旋转着的带有负电的电子组成正电荷正电荷正电荷正电荷负电荷负电荷负电荷负电荷=原子结构中：原子核原子核＋＋    原子核中有质子和中子，其中质子带正电带正电，中子不带电1. 1. 导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件（（1）） 导体导体    导体的最外层电子数通常是1~3个，且距原子核较远，因此受原子核的束缚力较小由于温度升高、振动等外界的影响，导体的最外层电子就会获得一定能量，从而挣脱原子核的束缚而游离到空间成为自由电子因此，导体在常温下存在大量的自由电子，具有良好的导电能力常用的导电材料有银、铜、铝、金等 原子核原子核＋＋        导体的特点：导体的特点：内部含有大量的自由电子电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件（（2）） 绝缘体绝缘体 绝缘体的最外层电子数一般为6~8个，且距原子核较近，因此受原子核的束缚力较强而不易挣脱其束缚。

常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子，因此导电能力极差或不导电 常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等原子核原子核＋＋绝缘体的特点：绝缘体的特点：     内部几乎没有自由电子，因此不导电电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件（（3）） 半导体半导体 半导体的最外层电子数一般为4个，在常温下存在的自由电子数介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的导电能力也是介于导体和绝缘体之间 常用的半导体材料有硅、锗、硒等 原子核原子核＋＋        半导体的特点：半导体的特点：    导电性能介于导体和绝缘体之间，但具有光敏性、热敏性和参杂性的独特性能，因此在电子技术中得到广泛应用电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    金属导体的电导率一般在105s/cm量级；塑料、云母等绝缘体的电导率通常是10-22~10-14s/cm量级；半导体的电导率则在10-9~102s/cm量级    半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的：光敏性光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；热敏性热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；掺杂性掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电                    能力极大地增强；半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理内部的导电机理所决定的。

2. 2. 半导体的独特性能半导体的独特性能电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件3. 本征半导体    最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)它们的共同特征是四价元素，即每个原子最外层电子数为4个Si(硅原子)Ge(锗原子)硅原子和锗原子的简化模型图SiSi+4+4GeGe+4+4因为原子呈电中性，所因为原子呈电中性，所以简化模型图中的原子以简化模型图中的原子核只用带圈的核只用带圈的+4+4符号表符号表示即可电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 天然的硅和锗是不能制作成半导体器件的它们必须先经过高度提纯，形成晶格结构完全对称的本征半导体 本征半导体原子核最外层的价电子都是4个，称为四价元素，它们排列成非常整齐的晶格结构在本征半导体的晶格结构中，每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构共价键结构＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4实际上半导体的实际上半导体的晶格结构是三维晶格结构是三维的晶格结构晶格结构共价键结构共价键结构电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4从共价键晶格结从共价键晶格结构来看，每个原构来看，每个原子外层都具有子外层都具有8 8个个价电子。

但价电价电子但价电子是相邻原子共子是相邻原子共用，所以稳定性用，所以稳定性并不能象绝缘体并不能象绝缘体那样好在游离走的价电子原在游离走的价电子原位上留下一个不能移位上留下一个不能移动的空位，叫空穴动的空位，叫空穴 受光照或温度上升受光照或温度上升影响，共价键中价电影响，共价键中价电子的热运动加剧，一子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间核的束缚游离到空间成为成为自由电子自由电子 由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发本征激发    本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，由此本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子    由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子 ＋＋＋＋＋＋＋＋电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4受光照或温度受光照或温度上升影响，共上升影响，共价键中其它一价键中其它一些价电子直接些价电子直接跳进跳进空穴，使空穴，使失电子的原子失电子的原子重新恢复电中重新恢复电中性性。

价电子填补空穴的现象称为复合复合此时整个晶体此时整个晶体带电吗？为什带电吗？为什么？么？ 参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子载流子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空穴载流子运动电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是由本征激发产生的自由电子和复合运动产生的空穴两种载流子同时参与导电同时参与导电两种载流子电量相等、符号相反，电流的方向为空穴载流子的方向即自由电子载流子的反方向＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4 自由电子载流子运动可以形容为没有座位人的移动；空穴载流子运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动半导体内部的这两种运动总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡半导体的导电机理电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数量极少导电能力仍然很低。

如果在其中掺入某种元素的微量杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强五价元素磷(P)＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4P掺入磷杂质的硅半掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由导体晶格中，自由电子的数量大大增电子的数量大大增加因此自由电子自由电子是这种半导体的是这种半导体的导导电主流电主流    在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电子载流子的数目将增加几十万倍掺入五价元素的杂质半导体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体4. 本征半导体电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4＋＋4三价元素硼(B)B+掺入硼杂质的硅半掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴导体晶格中，空穴载流子的数量大大载流子的数量大大增加因此增加因此空穴空穴是是这种半导体的这种半导体的导电导电主流主流    一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数载流子数量的1010倍或更多，因此，杂质半导体比本征半导体的导电能力可增强几十万倍    掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。

   在P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，而不能移动的离子带负电－－－－电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    不论是N型半导体还是P型半导体，其中的多子和少子的移动都能形成电流但是，由于多子的数量远大于少子的数量，因此起主要导电作用的是多数载流子注意：注意：掺入杂质后虽然形成了N型或P型半导体，但整个半导体晶体仍然呈电中性一般可近似认为多数载流子的数量与杂质的浓度相等P型半导体中的空穴型半导体中的空穴多于自由电子，是否多于自由电子，是否意味着带正电意味着带正电？？自由电子导电和空自由电子导电和空穴导电的区别在哪穴导电的区别在哪里？空穴载流子的里？空穴载流子的形成是否由自由电形成是否由自由电子填补空穴的运动子填补空穴的运动形成的？形成的？ 何谓杂质半导体中的多子何谓杂质半导体中的多子和少子和少子 ？？N N型半导体中的多型半导体中的多子是什么？少子是什么？子是什么？少子是什么？电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件5. PN结及其形成过程PN结的形成结的形成    杂质半导体的导电能力虽然比本征半导体极大增强，但它们并不能称为半导体器件。

在电子技术中，PN结是一切半导体器件的“元概念”和技术起始点在一块晶片的两端分别注入三价在一块晶片的两端分别注入三价元素硼和五价元素磷元素硼和五价元素磷 + + + + + + + + + + + + + + + +－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P P区区N N区区空间电荷区内电场电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件动画演示电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    PN结形成的过程中，多数载流子的扩散和少数载流子的漂移共存开始时多子的扩散运动占优势，扩散运动的结果使PN结加宽，内电场增强；另一方面，内电场又促使了少子的漂移运动：P区的少子电子向N区漂移，补充了交界面上N区失去的电子，同时， N区的少子空穴向P区漂移，补充了原交界面上P区失去的空穴，显然漂移运动减少了空间电荷区带电离子的数量，削弱了内电场，使PN结变窄最后，扩散运动和漂移运动达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定，即PN结形成     PN结内部载流子基本为零，因此导电率很低，相当于介质。

但PN结两侧的P区和N区导电率很高，相当于导体，这一点和电容比较相似，所以说PN结具有电容效应电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件4. PN结的单向导电性电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 PN结反向偏置时的情况电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 PN结的单向导电性    PN结的上述“正向导通，反向阻断”作用，说明它具有单向单向导电性导电性，PN结的单向导电性是它构成半导体器件的基础    由于常温下少数载流子的数量不多，故反向电流很小，而且当外加电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不随外加电压的变化而变化，因此反向电流又称为反向饱和电流反向饱和电流由于很小一般可以忽略，从这一点来看，PN结对反向电流呈高阻状态，也就是所谓的反向阻断反向阻断作用        值得注意的是，由于本征激发随温度的升高而加剧，导致电子—空穴对增多，因而反向电流将随温度的升高而成倍增长反向电流是造成电路噪声的主要原因之一，因此，在设计电路时，必须考虑温度补偿问题。

 PN结中反向电流的讨论电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件2. 半导体受温度和光照影响，产生本征激发现象而出现电子、空穴对；同时，其它价电子又不断地 “转移跳进”本征激发出现的空穴中，产生价电子与空穴的复合在一定温度下，电子、空穴对的激发和复合最终达到动态平衡状态平衡状态下，半导体中的载流子浓度一定，即反向电流的数值基本不发生变化1. 半导体中少子的浓度虽然很低 ，但少子对温度非常敏感，因此温度对半导体器件的性能影响很大而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓度，所以说多子的数量基本上不受温度的影响 4. PN结的单向导电性是指：PN结正向偏置时，呈现的电阻很小几乎为零，因此多子构成的扩散电流极易通过PN结；PN结反向偏置时，呈现的电阻趋近于无穷大，因此电流无法通过被阻断3. 空间电荷区的电阻率很高，是指其内电场阻碍多数载流子扩散运动的作用，由于这种阻碍作用，使得扩散电流难以通过空间电荷区，即空间电荷区对扩散电流呈现高阻作用学习与归纳学习与归纳电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件6. PN结的反向击穿问题      PN结反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，基本上可视为零值。

但当电压超过某一数值时，反向电流会急剧增加，这种现象称为PN结反向击穿反向击穿     反向击穿发生在空间电荷区击穿的原因主要有两种：    当PN结上加的反向电压大大超过反向击穿电压时，处在强电场中的载流子获得足够大的能量碰撞晶格，将价电子碰撞出来，产生电子空穴对，新产生的载流子又会在电场中获得足够能量，再去碰撞其它价电子产生新的电子空穴对，如此连锁反应，使反向电流越来越大，这种击穿称为雪崩击穿雪崩击穿 雪崩击穿属于碰撞式击穿，其电场较强，外加反向电压相对较高通常出现雪崩击穿的电压均在7V以上 (1)雪崩击穿电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    当PN结两边的掺杂浓度很高，阻挡层又很薄时，阻挡层内载流子与中性原子碰撞的机会大为减少，因而不会发生雪崩击穿2)齐纳击穿    PN结非常薄时，即使阻挡层两端加的反向电压不大，也会产生一个比较强的内电场这个内电场足以把PN结内中性原子的价电子从共价键中拉出来，产生出大量的电子—空穴对，使PN结反向电流剧增，这种击穿现象称为齐纳击齐纳击穿穿可见，齐纳击穿发生在高掺杂的PN结中，相应的击穿电压较低，一般均小于5V。

    雪崩击穿是一种碰撞的击穿，齐纳击穿是一种场效应击穿，二者均属于电击穿电击穿电击穿过程通常可逆：只要迅速把PN结两端的反向电压降低，PN结就可恢复到原来状态       利用电击穿时PN结两端电压变化很小电流变化很大的特点，人们制造出工作在反向击穿区的稳压管电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    若PN结两端加的反向电压过高，反向电流将急剧增长，造成PN结上热量的不断积累，从而引起结温持续升高，当这个温度超过PN结的最大允许结温时，PN结就会发生热击热击穿穿，热击穿将使PN结永久损坏    热击穿的过程是不可逆的，应当尽量避免发生3)热击穿能否说出能否说出PN结有何结有何特性？半导体的导特性？半导体的导电机理与金属导体电机理与金属导体有何不同？有何不同？什么是本征激发？什么是本征激发？什么是复合？少数什么是复合？少数载流子和多数载流载流子和多数载流子是如何产生的子是如何产生的 ？？ 试述雪崩击穿和齐纳击穿试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点这两种击穿能否造的特点这两种击穿能否造成成PN结的永久损坏结的永久损坏 ？？ 空间电荷区的空间电荷区的电阻率为什么很电阻率为什么很 高？高？电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1.2 半导体二极管半导体二极管      把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电极，即可构成一个二极管。

二极管是电子技术中最基本的半导体器件之一根据其用途分有检波管、开关管、稳压管和整流管等硅高频检波管开关管稳压管整流管发光二极管    电子工程实际中，二极管应用得非常广泛，上图所示即为各类二极管的部分产品实物图电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1. 二极管的基本结构和类型点接触型点接触型：结面积小，适用于  高频检波、脉冲电路及计算机中的开关元件外壳触丝N型锗片正极引线负极引线N型锗型锗面接触型：面接触型：结面积大，适用于                     低频整流器件负极引线底座金锑合金PN结铝合金小球正极引线普通二极管图符号稳压二极管图符号发光二极管图符号DDZD    使用二极管时，必须注意极性不能接反，否则电路非但不能正常工作，还有毁坏管子和其他元件的可能电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件2. 二极管的伏安特性U(V)0.500.8-50-25I (mA)204060 (A)4020    二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与两端所加电压的函数关系二极管既然是一个PN结，其伏安特性当然具有“单向导电性”。

    二极管的伏安特性呈非线性，特性曲线上大致可分为四个区：    外加正向电压超过死区电压(硅管0.5V，锗管0.1V)时，内电场大大削弱，正向电流迅速增长，二极管进入正向导通区死区正向导通区反向截止区    当外加正向电压很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零这一区域称之为死区    外加反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，进入反向击穿区反向击穿区反向截止区内反向饱和电流很小，可近似视为零值电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件正向导通区和反向截止区的讨论U(V)0.500.8-50-25I (mA)204060 (A)4020死区正向导通区反向截止区反向击穿区    当外加正向电压大于死区电压时，二极管由不导通变为导通，电压再继续增加时，电流迅速增大，而二极管端电压却几乎不变，此时二极管端电压称为正向导通电压    硅二极管的正向导通电压约为0.7V，锗二极管的正向导通电压约为0.3V    在二极管两端加反向电压时，将有很小的、由少子漂移运动形成的反向饱和电流通过二极管。

    反向电流有两个特点：一是它随温度的上升增长很快，二是在反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定，而与反向电压的高低无关(与少子的数量有限)所以通常称它为反向饱和电流电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件3. 二极管的主要参数   （1）最大整流电流IDM：指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定   （2）最高反向工作电压URM：指二极管长期安全运行时所能承受的最大反向电压值手册上一般取击穿电压的一半作为最高反向工作电压值   （3）反向电流IR：指二极管未击穿时的反向电流IR值越小，二极管的单向导电性越好反向电流随温度的变化而变化较大，这一点要特别加以注意   （4）最大工作频率fM：此值由PN结的结电容大小决定若二极管的工作频率超过该值，则二极管的单向导电性能将变得较差电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件4. 二极管的应用举例注意：注意：分析实际电路时为简单化，通常把二极管进行理想化处理，即正偏时视其为“短路”，截止时视其为“开路”。

UD=0UD=∞正向导通时相当一个闭合的开关+－－+－－+－－D D+－－D D+－－+－－D DP PN N+－－反向阻断时相当一个打开的开关+－－D DP PN N(1)二极管的开关作用电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件(2)二极管的整流作用    将交流电变成单方向脉动直流电的过程称为整流利用二极管的单向导电性能就可获得各种形式的整流电路二极管半波整流电路二极管全波整流电路桥式整流电路简化图B220V~ ~RLDIN4001B220V~ ~RLD1D2二极管桥式整流电路D4B220V~ ~RLD1D2D3B220V~ ~RL电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件(3)二极管的限幅作用+－－DuS10KΩ IN4148+－－u0iD    图示为一限幅电路电源uS是一个周期性的矩形脉冲，高电平幅值为+5V，低电平幅值为-5V试分析电路的输出电压为多少uS+5V-5Vt0当输入电压ui=－5V时，二极管反偏截止，此时电路可视为开路，输出电压u0=0V；    当输入电压ui= +5V时，二极管正偏导通，导通时二极管管压降近似为零，故输出电压u0≈+5V。

 显然输出电压u0限幅在0~+5V之间u0电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件半导体二极管工作在半导体二极管工作在击穿区，是否一定被击穿区，是否一定被损坏？为什么？损坏？为什么？ 你会做吗？何谓死区电压？硅管何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典和锗管死区电压的典型值各为多少？为何型值各为多少？为何会出现死区电压？会出现死区电压？  把一个把一个1.5V1.5V的干电池直接的干电池直接正向联接到二极管的两端，正向联接到二极管的两端， 会出现什么问题？会出现什么问题？ 二极管的伏安特性曲线上二极管的伏安特性曲线上分为几个区？能否说明二分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电极管工作在各个区时的电 压、电流情况？压、电流情况？ 为什么二极管的反为什么二极管的反向电流很小且具有向电流很小且具有饱和性？当环境温饱和性？当环境温度升高时又会明显度升高时又会明显增大增大 ？？电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件I(mA)40302010  0-5-10-15-20   (μA)   0.4   0.8－12 －8 －4U(V)    稳压二极管的反向电压几乎不随反向电流的变化而变化、这就是稳压二极管的显著特性。

D    稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，其反向击穿可逆正向特性与普正向特性与普通二极管相似通二极管相似反向反向ΔIZΔUZ1.3 特殊二极管特殊二极管1. 稳压二极管实物图图符号及文字符号    显然稳压管的伏安特性曲线比普通二极管的更加陡峭电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件+US－DZ使用稳压二极管时应该注意的事项(1)稳压二极管正负极的判别DZ+－(2)稳压二极管使用时，应反向接入电路UZ－(3)稳压管应接入限流电阻(4)电源电压应高于稳压二极管的稳压值(5)稳压管都是硅管其稳定电压UZ最低为3V，高的可达     300V，稳压二极管在工作时的正向压降约为0.6V 电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    二极管的反向击穿特性：当外加反向电压超过击穿电压时，通过二极管的电流会急剧增加          击穿并不意味着管子一定要损坏，如果我们采取适当的措施限制通过管子的电流，就能保证管子不因过热而烧坏如稳压管稳压电路中一般都要加限流电阻R，使稳压管电流工作在Izmax和Izmix的范围内。

    在反向击穿状态下，让通过管子的电流在一定范围内变化，这时管子两端电压变化很小，稳压二极管就是利用这一点达到“稳压”效果的稳压管正常工作是在反向击穿区电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件发光二极管和普通二极管一样，管芯由PN结构成，具有单向导电性实物图图符号和文字符号D    单个发光二极管常作为电子设备通断指示灯或快速光源及光电耦合器中的发光元件等发光二极管一般使用砷化镓、磷化镓等材料制成现有的发光二极管能发出红黄绿等颜色的光    发光管正常工作时应正向偏置，因发光管属于功率型器件，因此死区电压较普通二极管高，其正偏工作电压至少要在1.3V以上    发光管常用来作为数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列器件2. 发光二极管电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    光电二极管也称光敏二极管，是将光信号变成电信号的半导体器件，其核心部分也是一个PN结光电二极管PN结的结面积较小、结深很浅，一般小于一个微米D    光电二极管的正常工作状态是反向偏置。

在反向电压下，无光照时，反向电流很小，称为暗电流；有光照射时，携带能量的光子进入PN结，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分价电子挣脱共价键的束缚，产生电子—空穴对，称光生载流子光生载流子在反向电压作用下形成反向光电流，其强度与光照强度成正比3. 光电二极管    光电二极管也称光敏二极管，同样具有单向导电性，光电管管壳上有一个能射入光线的“窗口”，这个窗口用有机玻璃透镜进行封闭，入射光通过透镜正好射在管芯上实物图图符号和文字符号电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1.利用稳压管或利用稳压管或普通二极管的正普通二极管的正向压降，是否也向压降，是否也可以稳压？可以稳压？你会做吗？2.  现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V试问：(1)若将它们串联相接，可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，又可得到几种稳压值？各为多少？3.在右图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5~15mA时才能正常工作试问图中开关S在什么位置时发光二极管才能发光？R的取值范围又是多少？ 电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件N NN NP P1.4 双极型三极管双极型三极管    三极管是组成各种电子电路的核心器件。

三极管的产生使PN结的应用发生了质的飞跃1. 双极型三极管的基本结构和类型         双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极：发射极发射极e发射结发射结集电结集电结基区基区发射区发射区集电区集电区集电极集电极c基极基极bNPNNPN型型型型PNPPNP型型型型P PP PN N电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型如果只有一种载流子参与导电，即为单极型NPN型三极管图符号大功率低频三极管小功率高频三极管中功率低频三极管    目前国内生产的双极型硅晶体管多为NPN型(3D系列)，锗晶体管多为PNP型(3A系列)，按频率高低有高频管、低频管之别；根据功率大小可分为大、中、小功率管 e ec cb bPNP型三极管图符号e ec cb b注意：注意：图中箭头方向为发射极电流的方向电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件2. 双极型三极管的电流放大作用晶体管芯结构剖面图晶体管芯结构剖面图e e发发发发射射射射极极极极集电区集电区集电区集电区N N基区基区基区基区P P发射区发射区发射区发射区N Nb b基基基基极极极极c c集集集集电电电电极极极极晶体管实现电流放大作用的内部结构条件内部结构条件(1)发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”。

2)为减少载流子在基区的复合机会，基区做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度极低3)集电区体积较大，且为了顺利收集边缘载流子，掺杂浓度界于发射极和基极之间    可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件晶体管实现电流放大作用的外部条件外部条件N NN NP PUBBRB＋＋＋＋－－－－(1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散，扩散电流即发射极电流ie，，扩散电子的少数与基区空穴复合，形成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散UCCRC＋＋＋＋－－－－(2)集电结必须“反向偏置”，以利于收集扩散到集电结边缘的多数扩散电子，收集到集电区的电子形成集电极电流icIEICIB    整个过程中，发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和，即： I IE E= =I IB B+ +I IC C电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件结论 由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流I IE E。

1. 1. 发射区向基区扩散电子的过程发射区向基区扩散电子的过程发射区向基区扩散电子的过程发射区向基区扩散电子的过程 由于基区很薄，且多数载流子浓度又很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流I IB B，剩下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘2. 2. 电子在基区的扩散和复合过程电子在基区的扩散和复合过程电子在基区的扩散和复合过程电子在基区的扩散和复合过程 集电结由于反偏，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流I IC C3. 3. 集电区收集电子的过程集电区收集电子的过程集电区收集电子的过程集电区收集电子的过程只要符合三极管发射区高掺杂、基区掺杂浓度很低，集电区的掺杂浓度介于发射区和基区之间，且基区做得很薄的内部条件内部条件，再加上晶体管的发射结正偏、集电结反偏的外部条件外部条件，三极管就具有了放大电流的能力电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的比值在一定范围内基本保持不变特别是基极电流有微小的变化时，集电极电流将发生较大的变化。

例如，IB由40μA增加到50μA时，IC将从3.2mA增大到4mA，即：    显然，双极型三极管具有电流放大能力式中的ββββ值称为三极管的电流放大倍数不同型号、不同类型和用途的三极管，β值的差异较大，大多数三极管的β值通常在几十至几百的范围    由此可得：微小的基极电流IB可以控制较大的集电极电流IC，故双极型三极管属于电流控制器件 电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件3. 双极型三极管的特性曲线    所谓特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，是三极管内部载流子运动的外部表现从工程应用角度来看，外部特性更为重要1) 输入特性曲线以常用的共射极放大电路为例说明UCE=0VUBE /VIB / A0UCE =0VUBBUCCRC+ ++RB令令UBB从从0开始增加开始增加IBIE=IBUBE令令UCC为为0UCE=0时的输时的输入特性曲线入特性曲线UCE为为0时时电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件UCE =0.5VUCE=0VUBE /VIB / A0UBBUCCRC+ ++RB令令UBB重重新从新从0开开始增加始增加IBICUBE增大增大UCC让让UCE=0.5VUCE =1VUCE=0.5VUCE=0.5V的的特性曲线特性曲线继续增继续增大大UCC让让UCE=1V令令UBB重重新从新从0开开始增加始增加UCE=1VUCE=1V的的特性曲线特性曲线    继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不再变化。

    实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通常采用UCE=1V时的曲线从特性曲线可看出，双极型三极管的输入特性与二极管的正向特性非常相似UCE>1V的的特性曲线特性曲线电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件(2) 输出特性曲线先把先把IB调到调到某一固定值某一固定值保持不变保持不变      当IB不变时，输出回路中的电流IC与管子输出端电压UCE之间的关系曲线称为输出特性然后调节然后调节UCC使使UCE从从0增增大，观察毫安表中大，观察毫安表中IC的变的变化并记录下来化并记录下来UCEUBBUCCRC+ ++ +RBICIBUBEmA AIE    根据记录可给出IC随UCE变化的伏安特性曲线，此曲线就是晶体管的输出特性曲线IBUCE / VIC /mA0电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件UBBUCCRC+ ++ +RBICIBUBEmA AIE再调节再调节IB1至至另一稍小的另一稍小的固定值上保固定值上保持不变仍然调节仍然调节UCC使使UCE从从0增增大，继续观察毫安表中大，继续观察毫安表中IC的变化并记录下来。

的变化并记录下来UCE    根据电压、电流的记录值可绘出另一条IC随UCE变化的伏安特性曲线，此曲线较前面的稍低些UCE / VIC /mA0IBIB1IB2IB3IB=0     如此不断重复上述过程，我们即可得到不同基极电流IB对应相应IC、UCE数值的一组输出特性曲线输出曲线开始部分很输出曲线开始部分很陡，说明陡，说明IC随随UCE的增的增加而急剧增大加而急剧增大当当UCE增至一定数值时增至一定数值时(一般小于一般小于1V)，输出特性曲线变得平坦，表明，输出特性曲线变得平坦，表明IC基基本上不再随本上不再随UCE而变化电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件  当IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致一定当UCE超过1V以后，这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC 之后即使UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性UCE / VIC /mA020  AIB=040  A60  AIB=100  A80  A43211.52.3  当IB增大时，相应IC也增大，输出特性曲线上移， 且IC增大的幅度比对应IB大得多。

这一点正是晶体管的电流放大作用从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数βΔIB=40  A取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差；再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA；ΔIC于是我们可得到三极管的电流放大倍数：                                                                                                β=Δβ=ΔI IC C/ /Δ ΔI IB B=1.3=1.3÷ ÷0.04=32.50.04=32.5电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件UCE / VIC /mA020  AIB=040  A60  AIB=100  A80  A43211.52.3输出特性曲线上一般可分为三个区：饱和区饱和区当发射结和发射结和集电结均为正向偏置集电结均为正向偏置时，三极管处于饱和时，三极管处于饱和状态此时集电极电状态此时集电极电流流IC与基极电流与基极电流IB之之间不再成比例关系，间不再成比例关系，IB的变化对的变化对IC的影响的影响很小。

很小截止区截止区当基极电当基极电流流IB等于等于0时，晶体时，晶体管处于截止状态管处于截止状态实际上当发射结电实际上当发射结电压处在正向死区范压处在正向死区范围时，晶体管就已围时，晶体管就已经截止，为让其可经截止，为让其可靠截止，常使靠截止，常使UBE小于和等于零小于和等于零放放放放 大大大大 区区区区    晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，集电结反偏在放大区，集电极电流与基极电流之间成β倍的数量关系，即晶体管在放大区时具有电流放大作用电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件4. 双极型三极管的电流放大位数和极限参数(1)电流放大倍数(2)极限参数①集电极最大允许电流ICMUCE / VIC /mA0IB=043211.52.3②反向击穿电压U(BR)CEOcebUCCU(BR ) CEO基极开路基极开路 指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压使用中若超过使用中若超过此值此值, ,晶体管的晶体管的集电结就会出集电结就会出现现雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿ΒΒ值的大小反映了晶体管值的大小反映了晶体管的电流放大能力。

的电流放大能力IC>ICM时，晶体管不一定烧时，晶体管不一定烧损，但损，但β值明显下降值明显下降③集电极最大允许功耗PCM晶体管上的功晶体管上的功耗超过耗超过PCM，管，管子将损坏子将损坏安安安安 全全全全 区区区区电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 晶体管的发射极和集电极是晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的因为发射区和不能互换使用的因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大，集电区的掺杂质浓度差别较大，如果把两个极互换使用，则严重如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失至造成放大能力丧失晶体管的发射极晶体管的发射极和集电极能否互和集电极能否互换使用？为什么换使用？为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱和晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，区工作时，UCE

晶体管的电流放大能力大大下降晶体管在输出特性曲线的晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于大系数是否也等于ββ？？ 为了使发射区扩散电子的绝大多数无法在为了使发射区扩散电子的绝大多数无法在基区和空穴复合，由于基区掺杂深度很低且基区和空穴复合，由于基区掺杂深度很低且很薄，因此只能有极小一部分扩散电子与基很薄，因此只能有极小一部分扩散电子与基区空穴相复合形成基极电流，剩余大部分扩区空穴相复合形成基极电流，剩余大部分扩散电子继续向集电结扩散，由于集成电结反散电子继续向集电结扩散，由于集成电结反偏，这些集结到集电结边缘的自由电子被集偏，这些集结到集电结边缘的自由电子被集电极收集后形成集电极电流电极收集后形成集电极电流为什么晶体管基区掺杂为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做质浓度小？而且还要做得很薄？得很薄？学习与讨论学习与讨论电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件用万用表测试二极管好坏及极性的方法用万用表欧姆档检查二极管是否存在单向导电性？并判别其极性正向导通电正向导通电阻很小指阻很小指针偏转大。

针偏转大反向阻断时电反向阻断时电阻很大，指针阻很大，指针基本不动基本不动     选择万用表R×1k 的欧姆档，其中黑表棒作为电源正极，红表棒作为电源负极，根据二极管正向导通、反向阻断的单向导电性将表棒对调一次即可测出其极性及好坏电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件用万用表测试三极管好坏及极性的方法    用指针式万用表检测三极管的基极和管型：指针不动，说明管指针不动，说明管子反偏截止，因此子反偏截止，因此为为NPN型  先将万用表置于R×lk 欧姆档，将红表棒接假定的基极B，黑表棒分别与另两个极相接触，观测到指针不动(或近满偏)时，则假定的基极是正确的;且晶体管类型为NPN型（或PNP型）如果把红黑两表棒对调后，指针仍不动(或仍偏转)，则说明管子已经老化老化(或已被击穿击穿)损坏想一想，这想一想，这想一想，这想一想，这种检测方法种检测方法种检测方法种检测方法依据的是什依据的是什依据的是什依据的是什么？么？么？么？指针偏转，说明管指针偏转，说明管子正向导通，因此子正向导通，因此为为PNP型PNPN结的结的单向导电性单向导电性电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件    若被测管为NPN三极管，让黑表棒接假定的集电极C ，红表棒接假定的发射极E 。

两手分别捏住B、C两极充当基极电阻RB(两手不能相接触)注意观察电表指针偏转的大小； 之后，再将两检测极反过来假定，仍然注意观察电表指针偏转的大小c cb b e e人体电阻人体电阻c cb b e e人体电阻人体电阻假定极正确假定极正确假定极错误假定极错误 用万用表R×1k欧姆档判别发射极E和集电极C    偏转较大的假定极是正确的！偏转小的反映其放大能力下降，即集电极和发射极接反了    如果两次检测时电阻相差不大，则说明管子的性能较差电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1.三极管起电流三极管起电流放大作用，其内放大作用，其内部、外部条件分部、外部条件分别要满足哪些？别要满足哪些？你会做吗？2.使用三极管时，只要①集电极电流超过ICM值；②耗散功率超过PCM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏上述说法哪个是对的？ 3.用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？UBE＝0.7V，UCE＝0.3V；UBE＝0.7V，UCE＝4V；UBE＝0V，UCE＝4V；UBE＝－0.2V，UCE＝－0.3V；UBE＝0V，UCE＝－4V。

NPNNPN硅管，饱和区硅管，饱和区硅管，饱和区硅管，饱和区NPNNPN硅管，放大区硅管，放大区硅管，放大区硅管，放大区NPNNPN硅管，截止区硅管，截止区硅管，截止区硅管，截止区PNPPNP锗管，放大区锗管，放大区锗管，放大区锗管，放大区PNPPNP锗管，截止区锗管，截止区锗管，截止区锗管，截止区电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1.5 单极型三极管单极型三极管        双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之为双极型单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件    上图所示为单极型三极管产品实物图单极型管可分为结型和绝缘栅型两大类，其中绝缘栅型场效应管应用最为广泛，其中又分增强型和耗尽型两类，且各有N沟道和P沟道之分电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件1、MOS管的基本结构N+N+N+N+以以以以P P型硅为衬底型硅为衬底BDGS二氧化硅二氧化硅二氧化硅二氧化硅(SiO2)(SiO2)绝缘保护层绝缘保护层绝缘保护层绝缘保护层两端扩散出两个两端扩散出两个两端扩散出两个两端扩散出两个高浓度的高浓度的高浓度的高浓度的N N区区区区N N区与区与区与区与P P型衬型衬型衬型衬底之间形成两底之间形成两底之间形成两底之间形成两个个个个PNPN结结结结由衬底引出电极由衬底引出电极由衬底引出电极由衬底引出电极B B由高浓度的由高浓度的由高浓度的由高浓度的N N区引区引区引区引出的源极出的源极出的源极出的源极S S由另一高浓度由另一高浓度由另一高浓度由另一高浓度N N区区区区引出的漏极引出的漏极引出的漏极引出的漏极D D由二氧化硅层由二氧化硅层由二氧化硅层由二氧化硅层表面直接引出表面直接引出表面直接引出表面直接引出栅极栅极栅极栅极GG杂质浓度较低，杂质浓度较低，杂质浓度较低，杂质浓度较低，电阻率较高。

电阻率较高电阻率较高电阻率较高电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件N+N+N+N+以以以以P P型硅为衬底型硅为衬底BDGS大多数管大多数管大多数管大多数管子的衬底子的衬底子的衬底子的衬底在出厂前在出厂前在出厂前在出厂前已和源极已和源极已和源极已和源极连在一起连在一起连在一起连在一起铝电极、金属铝电极、金属铝电极、金属铝电极、金属（（（（MMetaletal））））二氧化硅氧化物二氧化硅氧化物二氧化硅氧化物二氧化硅氧化物（（（（OOxidexide））））半导体半导体半导体半导体（（（（S Sememiconductor)故单极型三极管又称为MOS管电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件MOSMOS管电路的连接形式管电路的连接形式N+N+N+N+P P型硅衬底型硅衬底BDGS+－－UDS+－－UGS漏极与源极间漏极与源极间漏极与源极间漏极与源极间电源电源电源电源U UDSDS栅极与源极间栅极与源极间栅极与源极间栅极与源极间电源电源电源电源U UGSGS        如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。

一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件不同类型MOS管的电路图符号D S GB衬衬底底 N沟道增强型图符号沟道增强型图符号D S GB衬衬底底 P沟道增强型图符号沟道增强型图符号D S GB衬衬底底 N沟道耗尽型图符号沟道耗尽型图符号D S GB衬衬底底 P沟道耗尽型图符号沟道耗尽型图符号        由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道虚线表示增强型实线表示耗尽型电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件2. 工作原理        以增强型NMOS管为例说明其工作原理N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道     当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结N+N+N+N+P P型硅衬底型硅衬底BDGS不存在不存在原始沟道原始沟道+－－－－UDSUGS=0此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。

MOS管处于截止区P PPN结结 PN结结ID=0电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件怎样才能产生导电沟道呢？    在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷－－－－+－－N+N+N+N+P P型硅衬底型硅衬底B BD DGGS SU UDSDS=0=0U UGSGS电场力电场力排斥空穴排斥空穴二氧化硅层在二氧化硅层在UGS作用下被充作用下被充电而产生电场电而产生电场形成耗尽层形成耗尽层出现反型层出现反型层形成形成导电沟道导电沟道导电沟道导电沟道电场吸引电子电场吸引电子 电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件导电沟道形成时，对应的栅源间电压UGS=UT称为开启电压U UT T+－－+－－N+N+N+N+P P型硅衬底型硅衬底B BD DGGS S当UGS>UT、UDS≠0且较小时U UDSDSU UGSGSI ID D当UGS继续增大，UDS仍然很小且不变时，ID随着UGS的增大而增大此时增大UDS，导电沟道出现梯度，ID又将随着UDS的增大而增大。

直到UGD=UGS－－UDS=UT时，相当于UDS增加使漏极沟道缩减到导电沟道刚刚开启的情况，称为预夹断，ID基本饱和导电沟道加厚导电沟道加厚导电沟道加厚导电沟道加厚产生漏极电流产生漏极电流产生漏极电流产生漏极电流电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件I ID D+－－+－－N+N+N+N+P P型硅衬底型硅衬底B BD DGGS SU UDSDSU UGSGS        如果继续增大UDS，使UGD

使用者可视电路需要进行连接P衬底接低电位，N衬底接高电位但当源极电位很高或很低时 , 可将源极与衬底连在一起2)场效应管的漏极与源极通常可以互换，且不会对伏安特性曲线产生明显影响注意注意注意注意：大多产品出厂时已将源极与衬底连在一起了，这时源极与漏极就不能再进行对调使用3)MOS管不使用时 , 由于它的输入电阻非常高, 须将各电极短路 , 以免受外电场作用时使管子损坏即MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接4)焊接MOS管时，电烙铁须有外接地线，用来屏蔽交流电场，以防止损坏管子特别是焊接绝缘栅场效应管时，最好断电后再焊接电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件单极型晶体管和双极型晶体管的性能比较 1. 场效应管的源极场效应管的源极S、栅极、栅极G、漏极、漏极D分别对应于双极型晶体管的发射极分别对应于双极型晶体管的发射极e、基极、基极b、、集电极集电极c，它们的作用相似它们的作用相似 2. 场效应管是场效应管是电压控制电流器件电压控制电流器件，场效应管栅极基本上不取电流，而双极型晶体，场效应管栅极基本上不取电流，而双极型晶体管工作时基极总要取一定的电流。

所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，管工作时基极总要取一定的电流所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管；而在允许取一定量电流时，选用双极型晶体管进行放大可以应该选用场效应管；而在允许取一定量电流时，选用双极型晶体管进行放大可以得到比场效应管较高的电压放大倍数得到比场效应管较高的电压放大倍数3. 场效应管是多子导电，而双极型晶体管则是既利用多子，又利用少子由于少场效应管是多子导电，而双极型晶体管则是既利用多子，又利用少子由于少子的浓度易受温度、辐射等外界条件的影响，因而场效应管比晶体管的温度稳定子的浓度易受温度、辐射等外界条件的影响，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强在环境条件（温度等）变化比较剧烈的情况下，选用场效性好、抗辐射能力强在环境条件（温度等）变化比较剧烈的情况下，选用场效应管比较合适应管比较合适4. 场效应管的源极和衬底未连在一起时，源极和漏极可以互换使用，耗尽型绝缘场效应管的源极和衬底未连在一起时，源极和漏极可以互换使用，耗尽型绝缘栅型管的栅极电压可正可负，灵活性比晶体管强；而双极型晶体管的集电极与发栅型管的栅极电压可正可负，灵活性比晶体管强；而双极型晶体管的集电极与发射极由于特性差异很大而不允许互换使用。

射极由于特性差异很大而不允许互换使用5. 与双极型晶体管相比，场效应管的噪声系数较小，所以在低噪声放大器的前级与双极型晶体管相比，场效应管的噪声系数较小，所以在低噪声放大器的前级通常选用场效应管，也可以选特制的低噪声晶体管但总的来说，当信噪比是主通常选用场效应管，也可以选特制的低噪声晶体管但总的来说，当信噪比是主要矛盾时，还应选用场效应管要矛盾时，还应选用场效应管6. 场效应管和双极型晶体管都可以用于放大或可控开关，但场效应管还可以作为场效应管和双极型晶体管都可以用于放大或可控开关，但场效应管还可以作为压控电阻使用，而且制造工艺便于集成化，具有耗电少，热稳定性好，工作电源压控电阻使用，而且制造工艺便于集成化，具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因此在电子设备中得到广泛的应用电压范围宽等优点，因此在电子设备中得到广泛的应用电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件在使用在使用MOS管管时，为什么栅极时，为什么栅极不能悬空？不能悬空？晶体管和晶体管和MOS管管的输入电阻有何的输入电阻有何不同？不同？你会做吗？当当UGS为何值时，为何值时，增强型增强型N沟道沟道MOS管导通？管导通？ 双极型三极管和单极双极型三极管和单极型三极管的导电机理有型三极管的导电机理有什么不同？为什么称晶什么不同？为什么称晶体管为电流体管为电流 控件而称控件而称MOS管为电压控件？管为电压控件？ 电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 1. 双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称晶体管为电流双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称晶体管为电流 控件而称控件而称MOS管为电压控件？管为电压控件？检验学习结果解答 2. 当当UGS为何值时，增强型为何值时，增强型N沟道沟道MOS管导通？管导通？ 3. 在使用在使用MOS管时，为什么栅极不能悬空？管时，为什么栅极不能悬空？ 4. 晶体管和晶体管和MOS管的输入电阻有何不同？管的输入电阻有何不同？双极型三极管有多子和少子两双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电；单极种载流子同时参与导电；单极型三极管只有多子参与导电。

型三极管只有多子参与导电晶体管的输出电流晶体管的输出电流IC受基极电受基极电流流IB的控制而变化，因此称之的控制而变化，因此称之为电流控件；为电流控件；MOS管的输出电管的输出电流流ID受栅源间电压受栅源间电压UGS的控制而的控制而变化，所以称为电压控件变化，所以称为电压控件当当UGS=UT时，增强型时，增强型N沟道沟道MOS管开始导通，随着管开始导通，随着UGS的增加，沟道加宽，的增加，沟道加宽，ID增大由于二氧化硅层的原因，由于二氧化硅层的原因，使使MOS管具有很高的输管具有很高的输入电阻在外界电压影响入电阻在外界电压影响下，栅极易产生相当高的下，栅极易产生相当高的感应电压，造成管子击穿，感应电压，造成管子击穿，所以所以MOS管在不使用时管在不使用时应避免栅极悬空，务必将应避免栅极悬空，务必将各电极短接各电极短接晶体管的输入电阻晶体管的输入电阻rbe一般在几百欧～千欧一般在几百欧～千欧左右，相对较低；而左右，相对较低；而MOS管绝缘层的输入管绝缘层的输入电阻极高，一般认为电阻极高，一般认为栅极电流为零栅极电流为零电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件 本章学习结束，希望同学们对本章本章学习结束，希望同学们对本章内容予以重视，因为这是电子技术中内容予以重视，因为这是电子技术中基础的基础。

基础的基础Goodbye!电子技术基础电子技术基础电子技术基础电子技术基础半导体基础与常用器件半导体基础与常用器件部分资料从网络收集整理而来，供大家参考，感谢您的关注！。