半导体分立器件测试仪.doc

SＩMI2９39半导体分立器件测试仪一、产品特点:测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力被测器件可通过图形显示,系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单.系统软件稳定可靠、硬件故障率低,在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求二、测试参数1． 二极管      ＶF、ＩR、BＶR２.  稳压（齐纳）二极管   ＶF、ＩＲ、BＶ Z3. 　晶体管       Transｉstor(ＮPN型/PNＰ型)  VＢE、IＣＢO、 LCEO、IＥBO、ＢVCEO、ＢＶCBＯ、BVEBO、ｈFＥ、VCESAT、VBESAＴ 、VBEON４   可控硅整流器（晶闸管）   IGT、VＧT、 IH、IL　、VTＭ ﻫ5．  场效应管   IGＥSF、IGSSF、 IGSSR、ＩGSS、ＶDSON、RDSＯN、VＧSTH、IDＳS、IDON 、gＦS、 BVＤGO、BVGＳS6．  光电耦合器       VF 、ＩR、CTR、ICEＯ、BＶCEＯ、VCEＳAT7．三端稳压器VO、SV、ID、IＤV三、测试参数范围晶体管测试参数测试范围IＣEOICBOIEBO1nA—100nA100ｎＡ-1uA1uA-100uA10０uA—10mＡVＣE（saｔ)VＢＥ(sａｔ）０.10Ｖ—30VVBE（ＶBE（on))０.10Ｖ-３0ＶhＦE１—99999V（BR)ＥBO0.１0V-30VV(ＢR)CＥOV（BＲ）ＣＢＯ0. １0Ｖ-30V30V－１4９９V二极管测试参数测试范围ＩR1nA—１00nＡ10０nA—1uA1ｕA－10０uA1０0uA-1０mAＶＦ0．10V-3０VV(ＢR）1V-30Ｖ30V-１４9９V稳压二极管测试参数测试范围IR1nA—1０0nＡ１00nA—１uA1uA—100ｕA100ｕA-1０mAVＦ0．10Ｖ-30VVZ0.10V—30V三端稳压器测试参数测试范围VO０.1０Ｖ－３0VＳＶ0。

10ｍV-1VID１uA－１0mAIDV1ｕA-10ｍAMOSFEＴ测试参数测试范围VGS（tｈ)010V—３0Vgfs0.１ｍS－１000SRDS（on）1０mΩ－１０0KΩVDS（on)0.10V-30VＩＧSS1nＡ—１00nA１00ｎA—1uA１uＡ-10０ｕＡ100uA—10mＡＩDSS1nA—１００ｎA100nA—1ｕA1uA-１00uA100uA-10mAID（on）0—20AＶ（BR）GSS01V—30VV（ＢR)DＳS0１Ｖ-14９9V光耦测试参数测试范围VF01０Ｖ—30VIR１nA－100nA100ｎＡ-1ｕＡ1uA—100ｕＡ1０0uA－１０mＡVCE（saｔ)０.１０Ｖ-30VＣTR01％－1000%ICEＯ与IR参数相同V（BR)ECＯ V（BR)CEO０．10V－30V30V－1４９９V可控硅测试参数测试范围IGＴ1０uA—200mAVGT01０V—30VIＨ10uA—1ＡIL1０ｕＡ－１ＡVTM０.1０Ｖ－３0Ｖ四、技术指标1、源的指标压流源 （VＡ) 　电压:设定范围(V)精确度±(0～10)±(１2.2mV+02５％ｓet)±(10~３0)±（２4．4mV+0。

２5％set)电流： 测量范围精确度±（0-2０)uＡ±（４８8nA＋0．25% sｅt)±(２0－200）　ｕA±（488nA+０2５％　sｅt）±(0２-2) ｍA±(4．８8uA+0．25% seｔ)±(２－20） mA±（48．8uＡ+0．25％ ｓet)±(２0～２００) ｍA±（2４4uＡ+0.２5％set）±（０2~2）A（脉冲）±（2.44mA+025％ｓet)±(2-2０)A（脉冲)±（24.4mA+025%set)压流源　（VB) 　电压：设定范围（V)精确度±(０～1０)±(1２．２mV+０25％seｔ)±(10～３0)±（244mＶ+０２５％seｔ）电流:　测量范围精确度±（0-２0)uA±（4８8nＡ+0．2５％　set）±（20-２00） ｕＡ±（488ｎA+025% ｓet)±(０2-2） mA±（488uA+025％ sｅt)±（２—20） ｍＡ±（4８.8uＡ+0．25% ｓet)±(20～200） ｍＡ±(２4４uA＋0．２5％seｔ）高压源(HV)设定范围（V）精确度０~15０0±（1．2２V+１％seｔ）＊1５00V时最大输出为1mＡ.2、电压表的指标测漏电流测量范围精确度±（0～２00)ｎA±（２.４４nＡ+0。

25％　Rdg)±（02-2）uA±(244nA＋０2５％ Rdg）±(2－2０)ｕＡ±(244nA+025％　Rdg)±（2０~2００)　ｕＡ±（2.４4uA+0.25%　Rdg）±(0２~2)mＡ±（2４.4uA+0.2５％ Rdg）±(2-20）mA±(２44uＡ＋０2５％ Ｒdg)±（20～200） mA±(2．44ｍA+02５％　Ｒdg)±（０２～2)Ａ（脉冲）±（２４．４mA＋０．２5％ Ｒdｇ)±（2-20）A(脉冲）±(2４4ｍA＋０.2５% Ｒdｇ)测试电压设定范围(V）精确度±（０~1０)±(３mＶ+025％ Rdg)±（１０~３０）±（3mV＋０2５% Rdg）测击穿电压设定范围（V）精确度(0～3０）V/10mA±(36.6mV+0.２5% Rｄg）(3０～15０0）V/１mA±(61０．3mV+1% Rdg)放大倍数设定范围（Ｖ）精确度1~9９991％被侧器件图形　 　　　　 　 　　 文中如有不足，请您指教！ / 。