【课程设计】基于PID电加热炉温度控制系统设计.docx

基于PID电加热炉温度控制系统设计1概述电加热炉随着科学技术的发展和工业生产水平的提高，已经在冶金、化工、 机械等各类工业控制中得到了广泛应用，并且在国民经济中占有举足轻重的地 位对于这样一个具有非线性、大滞后、大惯性、时变性、升温单向性等特点的 控制对象，很难用数学方法建立精确的数学模型，因此用传统的控制理论和方法 很难达到好的控制效果单片机以其高可靠性、高性能价格比、控制方便简单和灵活性大等优点，在 工业控制系统、智能化仪器仪表等诸多领域得到广泛应用采用单片机进行炉温 控制，可以提高控制质量和自动化水平在本控制对象电阻加热炉功率为800W,由220V交流电供电，采用双向可 控硅进行控制本设计针对一个温度区进行温度控制，要求控制温度范围 50-350C,保温阶段温度控制精度为正负1度选择合适的传感器，计算机输出 信号经转换后通过双向可控硅控制器控制加热电阻两端的电压其对象问温控数 学模型为：7> + 1其中：时间常数Td=350秒放大系数Kd=50滞后时间T =10秒控制算法选用改PID控制2系统硬件的设计本系统的单片机炉温控制系统结构主要由单片机控制器、可控硅输出部分、 热电偶传感器、温度变送器以及被控对象组成。

系统硬件结构框图如下:图2-1 系统硬件结构框图2.1电源部分本系统所需电源有220V交流市电、直流5V电压和低压交流电，故需要变 压器、整流装置和稳压芯片等组成电源电路电源变压器是将交流电网220V的 电压变为所需要的电压值，然后通过整流电路将交流电压变为脉动的直流电压 由于此脉动的直流电压还含有较大的纹波，必须通过滤波电路加以滤除，从而得 到平滑的直流电压但这样的电压还随电网电压波动(一般有+-10%左右的波 动)、负载和温度的变化而变化因而在整流、滤波电路之后，还需要接稳压电路 稳压电路的作用是当电网电压波动、负载和温度变化时，维持输出直流电压稳定 整流装置采用二极管桥式整流,稳压芯片采用78L05,配合电容将电压稳定在5V, 供控制电路、测量电路和驱动执行电路中弱电部分使用除此之外，220V交流 市电还是加热电阻两端的电压，通过控制双向可控硅的导通与截止来控制加热电 阻的功率低压交流电即变压器二次侧的电压，通过过零检测电路检测交流电的 过零点，送入单片机后，由控制程序决定双向可控硅的导通角，以达到控制加热 电阻功率的目的2.2采样测量部分在检测装置中，温度检测用WZP-231钳热电阻(PtlOO),采用三线制接法, 采样电路为桥式测量电路，其输入量程为50-350 C,经测量电路采样后输出 2~5V电压，再经模数转换芯片ADC0809进行转换，变为数字量后送入单片机进 行分析处理。

钳电阻温度传感器是利用其电阻和温度成一定函数关系而制成的温度传感 器，由于其测量准确度高、测量范围大、复现性和稳定性好等，被广泛用于中温 (-200C〜650C)范围的温度测量中PT100是一种广泛应用的测温元件，在-50-600 C范围内具有其他任何温度传 感器无可比拟的优势，包括高精度、稳定性好、抗干扰能力强等由于钳电阻的 电阻值与温度成非线性关系，所以需要进行非线性校正校正分为模拟电路校正 和微处理器数字化校正，模拟校正有很多现成的电路，其精度不高且易受温漂等 干扰因素影响，数字化校正则需要在微处理系统中使用，将Pt电阻的电阻值和温 度对应起来后存入EEPROM中，根据电路中实测的AD值以杳表方式计算相应温 度值常用的Pt电阻接法有三线制和两线制，其中三线制接法的优点是将PT100 的两侧相等的的导线长度分别加在两侧的桥臂上，使得导线电阻得以消除常用 的采样电路有两种：一为桥式测温电路，一为恒流源式测温电路在本系统设计 中，采用了第一种方法，即桥式测温测温原理：电路采用TL431和电位器VR1调节产生4.096V的参考电源；采用 Rl、R2、VR2、PtlOO构成测量电桥(其中R1=R2, VR2为100Q精密电阻)， 当PtlOO的电阻值和VR2的电阻值不相等时，电桥输出一个mV级的压差信号，这 个压差信号经过运放LM324放大后输出期望大小的电压信号，该信号可直接连 AD转换芯片。

差动放大电路中R3 = R4、R5 = R6、放大倍数=1<5/1<3,运放采 用单一 5V供电设计及调试注意点：1. 同幅度调整R1和R2的电阻值可以改变电桥输出的压差大小；2. 改变R5/R3的比值即可改变电压信号的放大倍数，以便满足设计者对 温度范围的要求3. 放大电路必须接成负反馈方式，否则放大电路不能正常工作4. VR2也可为电位器，调节电位器阻值大小可以改变温度的零点设定， 例如PtlOO的零点温度为0C,即0C时电阻为100Q,当电位器阻值调 至109.885 Q时，温度的零点就被设定在了25C测量电位器的阻值 时须在没有接入电路时调节，这是因为接入电路后测量的电阻值发生 了改变5. 理论上，运放输出的电压为输入压差信号X放大倍数，但实际在电路 工作时测量输出电压与输入压差信号并非这样的关系，压差信号比理 论值小很多，实际输出信号为4.O96*(Rptloo/(Rl+Rptloo)- RVR2/(R1+RVR2))( 1)式中电阻值以电路工作时量取的为准6. 电桥的正电源必须接稳定的参考基准，因为如果直接VCC的话，当网 压波动造成VCC发生波动时，运放输出的信号也会发生改变，此时再 到以VCC未发生波动时建立的温度-电阻表中査表求值时就不准确。

2.3驱动执行部分硬件输出通道主要包括加热电阻的控制环节，而此控制环节的核心是双向可 控硅，但电路的关键是设计双向可控硅的驱动电路双向可控硅的通断直接决定 加热电阻的工作与不工作，本部分用带过零触发的光耦MOC3061来驱动2.3.1光耦驱动电路在驱动电路中，由于是弱电控制强电，而弱电又很容易受到强电的干扰，影 响系统的工作效率和实时性，甚至烧毁整个系统，导致不可挽回的后果，因此必 须要加入抗干扰措施，将强弱电隔离光耦合器是靠光传送信号，切断了各部件 之间地线的联系，从根本上对强弱电进行隔离，从而可以有效地抑制掉干扰信号 此外，光耦合器提供了较好的带宽，较低的输入失调漂移和增益温度系数因此, 能够较好地满足信号传输速度的要求，且光耦合器非常容易得到触发脉冲，具有 可靠、体积小、等特点所以在本系统设计中采用了带过零检测的光电隔离器 MOC3061,用来驱动双向可控硅并隔离控制回路和主回路MOC3061是一片把 过零检测和光耦双向可控硅集成在一起的芯片其输出端的额定电压是400V, 最大重复浪涌电流为1.2A,最大电压上升率dv/dt为1000v/us,输入输出隔离电压 为7500V,输入控制电流为15mA。

在图2-2驱动执行电路中，当单片机的P2.0、P2.1、P2.2发出逻辑数字量为 高电平时，经过三极管放大后驱动光耦合器的放光二极管，MOC3061的输入端 导通，有大约15mA的电流输入当MOC306的输出端6脚和4脚尖电压稍稍 过零时，光耦内部双向可控硅即可导通，提供一个触发信号给外部晶闸管使其导 通；当P2.0、P2.1、P2.2为低电平时，MOC3061截止，双向可控硅始终处于截 止状态2.3.2驱动电路有关元件的选择R25, C10组成吸收电路，并接在双向可控硅的两极之间吸收回路组成缓 冲器有了吸收回路，可控硅通断过程中电源电压的变化率受到R25, C10的限 制R25可以抑制双向可控硅通断时产生的浪涌电流R25和C10根据经验公式 选，一般C10取0.01~1.0uF, R25取几欧到几十欧，本电路中R25取39欧，C10 取 0.01 uFoR27为限流电阻，用来限制MOC3061的输出驱动电流，其数值为电源电压 峰值除以双向可控硅的允许重复电流在本电路中R27取300欧R26：由于MOC3061在输出关断状态下也有小于或等于500mA的输出电流， 所以加入R26分流消除这个电流对双向可控硅的影响，以防止双向可控硅误触 发，提高了系统的可靠性。

在此电路中可以看出单片机的输出通道采用了 MOC3061进行驱动有以下优 占・ 八、、•(1) 控制简单可用SETB或CLR指令直接控制P2.0、P2.1、P2.2以控制 加热电阻的工作与否2) MOC3061由于采用了过零触发电路大大简化了双向可控硅的触发电 路，把SCR-向控制变为实用的数字脉冲控制3) MOC3061与双向可控硅实际组成了一个固态继电器，实现了无触电控 制4) 输出通道实现了光电隔离，防止了射电干扰5) 输出通道用P2.0、P2.1、P2.2 口直接控制双向可控硅，省去了的D/A 转换电路，简化了接口电路233双向可控硅电路(1) 双向可控硅这种可控硅具有双向导通功能，在交流电的正负半周都可以导通其英文名 TRIAC即三级交流开关的意思，并把它的两极称为MT1和MT2,其电路符合如 图所示双向可控硅的通断情况由控制极栅极(G)决定，当栅极无信号时MT1和 MT2成高阻态，管截止;而当MT1与MT2之间加一个阈值电压(一般大于1.5V) 的电压时，就可以利用控制极栅极电压来使可控硅导通但需要注意的是，当双 向可控硅接感性负载时，电流和电压之间有一定的相位差在电流为零时，反向 电压可能不为零，且超过转换电压，使管子反向导通，故要管子能承受这种反向 电压，并在回路中加入RC网络加以吸收。

2) 触发方式控制双向可控硅从高阻态（阻断区）转换到低阻态（导通区）可以用不同的方式实现相应的分为四种方式:(1)MT1相对于MT2为正，控制脉冲电压Ug相对于MT1为正(2)MT1相对于MT2为负，控制脉冲电压Ug相对于MT1为负(3)MT1相对于MT2为正，控制脉冲电压Ug相对于MT1为负(4)MT1相对于MT2为负，控制脉冲电压Ug相对于MT1为正双向可控硅通常工作在控制方式（1）和控制方式（2）在这两种控制方式 下，控制灵敏度特别高另外两种控制方式下，要求高一倍的触发电流在本 设计中，选择了控制方式（1）和（2）如同晶闸管的控制极那样，双向可控硅的控制极在触发后便失去了作用 双向可控硅长期维持低阻态，直到低于维持电流IH,然后在转换到高阻态在 控制交流电压时，每次电源电压过零双向可控硅都会自动截止，所以双向可控 硅每半个周期都需要重新触发在本设计中，考虑到电网电压的稳定和现在市场上销售的双向可控硅型号， 选择了工作电压为400V,通态电流为4A的双向可控硅BT136o利用单片机控 制双向可控硅的导通角在不同时刻利用单片机给双向可控硅的控制端发出触 发信号，使其导通或关断，实现负载电压有效值的不同，以达到调压控制的目 的。

具体如下:C1） 由硬件完成过零触发环节，即在工频电压下，每10ms进行一次过零触发信号，由此信号来达到与单片机的同步2） 过零检测信号接至单片机的P2.3 口，由单片机对此口进行循环检测，然后进行延时触发3控制电路及程序流程图3.1微处理器89C5189C51是一种带4K字节Flash可编程可擦除的高性能CM0S8位微处 理器，俗称单片机单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除100次该 器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造，与工业标准的 MCS-51指令集和输出管脚相兼容由于将多功能8位CPU和闪烁存储器 组合在单个芯片中，ATMEL的89C51是一种高效微控制器单片机的抗干扰性设计。