SVF10N65全新原装.pdf

SVF10N65T/F 说明书 10A、650V N 沟道增强型场效应管 描述 SVF10N65T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 ∗ 10A，650V ， RDS(on)(典型值)=0.80Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 产品命名规则 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF10N65T TO-220-3L SVF10N65T 无铅 料管 SVF10N65F TO-220F-3L SVF10N65F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http:// 共8 页 第1 页 SVF10N65T/F 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http:// 共8 页 第2 页 极限参数 (除非特殊说明，TC=25°C) 参数范围 参 数 符 号 SVF10N65T SVF10N65F 单位 漏源电压 VDS650 V 栅源电压 VGS±30 TC= 25°C 10.0 漏极电流 TC= 100°C ID 5.5 A 漏极脉冲电流 IDM40 A 156 50 W 耗散功率（T C=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 PD1.25 0.4 W/°C单脉冲雪崩能量（注 1 ） EAS608 mJ 工作结温范围 TJ-55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg-55～+150 °C 热阻特性 参数范围 参 数 符 号 SVF10N65T SVF10N65F 单位 芯片对管壳热阻 RθJC0.8 2.5 °C/W芯片对环境的热阻 RθJA62.5 120 °C/W电性参数 (除非特殊说明， TC=25°C) 参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSSVGS=0V， I D=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流 IDSSVDS=650V，V GS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSSVGS=±30V，V DS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS= VDS， ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V，I D=5.0 -- 0.8 1.0 Ω 输入电容 Ciss1143.2 输出电容 Coss-- 128.8 反向传输电容 CrssVDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz -- 3.5 pF 开启延迟时间 td(on)40.00 开启上升时间 tr-- 73.67 关断延迟时间 td(off)52.13 关断下降时间 tfVDD=10V，RG=25Ω， ID=10A (注 2，3)-- 34.80 ns 栅极电荷量 Qg20.00 栅极-源极电荷量 Qgs-- 7.47 栅极-漏极电荷量 QgdVDS=520V，ID=10A，VGS=10V (注 2 ，3) -- 6.48 nC SVF10N65T/F 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http:// 共8 页 第3 页 源- 漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS-- -- 10 源极脉冲电流 ISMMOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 -- -- 40 A 源-漏二极管压降 VSDIS=10A，V GS=0V -- -- 1.3 V 反向恢复时间 Trr450 -- ns 反向恢复电荷 QrrIS=10A，VGS=0V， dIF/dt=100A/µs（注 2） -- 4.2 -- µC 注： 1. L=30mH，IAS=5.82A，VDD=150V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。

SVF10N65T/F 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http://共8 页 第4 页 SVF10N65T/F 说明书 典型特性曲线（续） 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http://共8 页 第5 页 SVF10N65T/F 说明书 典型测试电路 VGS10V电荷量12V50KΩ300nF与待测器件参数一致待测器件VGS杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http:// 共8 页 第6 页 3mAVDSQgQgs Qgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =1-2LIAS2BVDSSBVDSS VDD待测器件待测器件200nF SVF10N65T/F 说明书 封装外形图 TO-220-3L 单位：mm 单位：mm TO-220F-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http:// 共8 页 第7 页 SVF10N65T/F 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http:// 共8 页 第8 页 声明： • 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。

• 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ • 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 附： 修改记录： 日 期 版本号 描 述 页 码 2010.12.13 1.0 原版 2011.01.26 1.1 修改“电性参数” 2011.08.26 1.2 修改“封装外形图” 。