半导体工艺干法刻蚀铝刻蚀.docx

半导体工艺干法刻蚀铝刻蚀干法刻蚀之铝刻蚀在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有 选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程从工艺上区分， 刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀前者的主要特点是各向同性 刻蚀；后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀，可以严格控制 纵向和横向刻蚀干法的各向异性刻蚀，可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制 来解释表面损伤机制是指，与硅片平行的待刻蚀物质的图形底 部，表面的原子键被破坏，扩散至此的自由基很容易与其发生反 应，使得这个方向的刻蚀得以持续进行与硅片垂直的图形侧壁 则因为表面原子键完整，从而形态得到保护侧壁钝化机制是指， 刻蚀反应产生的非挥发性的副产物，光刻胶刻蚀产生的聚合物， 以及侧壁表面的氧化物或氮化物会在待刻蚀物质表面形成钝化 层图形底部受到离子的轰击，钝化层会被击穿，露出里面的待 刻蚀物质继续反应，而图形侧壁钝化层受到较少的离子轰击，阻 止了这个方向刻蚀的进一步进行在半导体干法刻蚀工艺中，根据待刻蚀材料的不同，可分为 金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀金属刻蚀又可以分为金属铝刻蚀、 金属钨刻蚀和氮化钛刻蚀等目前，金属铝作为连线材料，仍然 广泛用于 DRAM 和 flash 等存储器，以及 0.13um 以上的逻辑产 品中。

本文着重介绍金属铝的刻蚀工艺金属铝刻蚀通常用到以下气体：CI2、BCI3、Ar、N2、CHF3 和C2H4等CI2作为主要的刻蚀气体，与铝发生化学反应，生 成的可挥发的副产物AICI3被气流带出反应腔BC13 一方面提供 BC13 +，垂直轰击硅片表面，达到各向异性的刻蚀另一方面， 由于铝表面极易氧化成氧化铝，这层自生氧化铝在刻蚀的初期阻 隔了 Cl2 和铝的接触，阻碍了刻蚀的进一步进行添加 BCl3 则 利于将这层氧化层还原(如方程式 1)，促进刻蚀过程的继续进 行A12O3 + 3BCI3— 2AICI3 + 3BOC1 (1)Ar电离生成Ar+,主要是对硅片表面提供物理性的垂直轰 击N2、CHF3和C2H4是主要的钝化气体，N2与金属侧壁氮 化产生的 AlxNy， CHF3 和 C2H4 与光刻胶反应生成的聚合物会 沉积在金属侧壁，形成阻止进一步反应的钝化层一般来说，反应腔的工艺压力控制在6-14毫托压力越高， 在反应腔中的 Cl2 浓度越高，刻蚀速率越快压力越低，分子和 离子的碰撞越少，平均自由程增加，离子轰击图形底部的能力增 强，这样刻蚀反应速率不会降低甚至于停止于图形的底部。

目前金属刻蚀机台广泛采用双射频功率源设计，如应用材料 公司DPS (decouple plasma source)金属刻蚀机台偏置功率 用来加速正离子，提供垂直的物理轰击，源功率用来提高反应腔体内的等离子体的浓度这种双功率的设计 可以实现对离子体的能量和浓度的独立控制，扩大了刻蚀工艺的 工艺窗口和性能在金属铝的上下通常会淀积金属钛或氮化钛，形成氮化钛 / 铝/氮化钛/钛的结构用来刻蚀铝的 Cl2 与钛反应生成挥发性相 对较低的TiCI4,刻蚀氮化钛的速率只有刻蚀铝的1/3-1/4，因此 减少 Cl2 或是增加 BCl3 和偏置功率，都有利于提高氮化钛和钛 的刻蚀速率在金属铝中通常会加入少量的硅和铜来提高电子器件的可 靠性硅和Cl反应生成挥发性的SiCI4,很容易被带出反应腔 铜与 Cl 反应生成的 CuCl2 挥发性却不高,因此需要加大物理性 的离子轰击把铜原子去掉,一般可以通过加大 Ar 和增加偏置功 率来实现当铝刻蚀完成之后,硅片表面、图形侧壁和光刻胶表面残留 的Cl，会和铝反应生成AICI3,继而与空气中的水分发生自循环 反应(如方程式2),造成对铝的严重侵蚀(corrosion)。

因此, 在刻蚀工艺完成后，一般会用 H2O 和 O2 的等离子体把氯和光 刻胶去除, 并且在铝表面形成氧化铝来保护铝。