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模拟电子技术基础课后答案谢志远.doc

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    • 第二章第二章2.1 UUAB45. 02.2 (a)导通,截止 (b)导通,截止 (c)导通,截止(d) 导2D1D2D1D1D2D2D通,截止1D2.4 (a) (b) (c) (d)(e)1.3VUo10VUo21.3VU o32VUo41.3VUo5 (f)2VU o6 2.5 (1);; (2);;DB0IDAR1mAII9U oVDB0IDAR0.6mAII (3);;5.4Uo=V4.74Uo=V0.53mAIR10.26mA2IIIDADBR=2.6 (a) D 截止 (b) D 截止 (c)D 导通 2.8 (1)时10VU I3.3VUO15VU I5VUO35VU I6VUO(2)若时负载开路,稳压管 D 可能被击穿稳压UI=35VR35V -6V29mA > 25mA1kI 管会因所承受的反向电流过大,出现热击穿而被烧毁第三章第三章3.1 (1) (a)电流方向向外,大小为 1.01mA;(b)电流方向向外,大小为 5mA2) (a);(b)1mA10010 A5mA50100 A(3) (a)该管为 NPN 型;(b) ,该管为 PNP 型。

      3.2 (a)为 PNP 型;(b)为 NPN 型;(c)为 NPN 型;(d)为 PNP 型;(e)为 PNP 型;(f)为 NPN 型 3.4 (a)不能正常放大 (b)无交流放大作用 (c)能够实现交流放大 (d)不能实现 交流放大 (e)不能实现交流放大 (f)电路能够正常放大 3.5 (1);;; BEQ0.7VUBQ50IμACQI 2mACEQ6VU3.6 (1)当时,的;点的 (2);BQ0.3mAI1Q1502Q225(BR)CEO40VUCM7.2WP3.7 (a)三极管工作在截止区 (b)三极管工作在放大区 (c)三极管工作在饱和区3.8 (1)CC B BQ12V200k60VRIAμA(2),,,,,CC12VVCEQ4VUCQ2mAIC4kR B300kR L1.33kR om2Vu3.9 (1),, c2.5kR b250kR L3.75kR (2) 、该电路先出现截止失真刚出现失真时,输出电压的峰-峰值为 6V (3),,i863R u87A  o2kR (4),,,BQ40 AICQ=1mAICEQ7.5VUu42.8A  3.10 (1),,。

      (2)BQ20.4IμAEQ2mAICEQ4VU be1513r (3),,u99A  i1.5kR o3kR (4)产生了截止失真;若使截止失真消失,应该提高静态工作点,减小偏置电阻bR3.11 (a),20℃时电路的静态工作点:,;BQ46.3μAICQ1=2.3mAICEQ15.56VU55℃时电路的静态工作点:,CQ2=3.2mAICEQ23VU(b),20℃时电路的静态工作点:,;BQ= 3VUCQ2.4mAIBQ148IμACEQ15.28VU55℃时电路的静态工作点:,BQ234.3IμACEQ2CEQ15.28VUU从以上分析可知,分压式偏置电路能够起到稳定静态工作点的作用 3.12 (1),,,BQ3.3VUCQEQ2mAIIBQ20IμACEQ7.4VU(2),,u7.9A  i3.7kR oc5kR(3),,不变,BQ= 3.3VUCQEQ2mAIICEQ7.4VUBQ10IμA(4)若电容开路, 将变小,eCcL ubeee(1)()R RA rRR将变大,输出电阻基本不变。

      ib1b2beee[(1)()]RRRrRRoR3.13 (1),(2)右为正,左为正CEQ5.19VUCQ2.27mAI1C2C(3)当环境温度发生改变时:T CI  CRUBE U( 不变) BRUBI CI 3.14 (1)(2)短路时, ,,B550R kERBQ79IμACQ3.95mIACEQ20VU 3.15 (1),当时,有,BQ0.275mAI20CQ5.5mAICEQ8.5VU(2) ,,u0.855A  i7.93kR oC1kRR(3)当稳压管反接时, ,,,BQDBEQ1.4VUUUBQ0.717mAICQ14.34mAI;,,CEQ= 4.96VUu15.84A  i1.14kR oC1kRR3.16 (1);CCBEQ BQ c1+c2b1b2(1)()()VUIRRRRCQBQII(2);;cb1Lo u ibe()R RRuAur ib2bebeRRrrAocRR3.17 (1),,,,BQ4.3VUCQEQ1.8mAIIBQ18μAICEQ2.8VUbe1.66kr (3),,,。

      u1A i7.9kR us0.8A o32R 3.18 (1),,,BQ2.8VUCQEQ1mAIIBQ5I μACEQ5VU(2), (3),u10.98A u20.99Au10.5A  u20.97A3.19 ,;be beB2EL B3 i beB3[(1)]()1rrRRRRRr R  AAiB1iRRRA,beB3B1 o()1rRRR oB2EoRRRRA3.20 ,,,u77A us5.7A i12R oc2kRR3.21 ,,u273A i27R oC7.5kRR3.22 (1),,,BQ5VUCQEQ10mAIIBQ0.2mIACEQ10VU(2)最大不失真输出电压的幅值为 5V3), ,u75A i6.4R oC500RR3.23 (1),, (2)um100 A L10Hzf 5 H10 Hzfu510(1)(1)1010jfAffjj 3.24 (1),,um100A  L10Hzf 5 H10 Hzf第四章第四章4.1 (a)P 沟道耗尽型 MOS 管;(b)N 沟道耗尽型 MOS 管;(c)P 沟道结型 FET。

      4.2 (a)N 沟道增强型 MOS 管,;(b)P 沟道增强型 MOS 管,GS(th)2VU;(c)N 沟道结型 FET,GS(th)3VU GS(off)3VU 4.3 (a)截止区;(b)饱和区;(c)可变电阻区;(d)饱和区 4.4 D1mAI4.5 (a)能;(b)不能,没有形成导电沟道,所以不能正常放大;(c)不能,GS0U因为;(d)不能,因为缺少漏极电阻GS0UDR4.6 ,,GSQ1.53VU DSQ7.41VUDQ1.53mAI4.7 ,,,管子工作在可变电阻区GSQ3VUDSQ1.4VUDQ0.36mAI4.8 ,,,GSQ2.25VUDSQ4.75VUDQ0.25mAID10KΩR 4.9 (2)最大不失真幅度为 4.6V 4.10 (1),, (2),,GSQ2VUDSQ3VUDQ0.1mAIu2A  i36KΩR o20KΩR (3)us1.89A  4.11 ,,u1.67A  i1075KΩR o10KΩR 4.12 ,,u25A  i2MΩR o10KΩR 4.13 接入时:;断开时:;;。

      LRu0.909A LRu0.952A 1018.75KΩiR o476R 4.14 (1),, (2),,GSQ2VU DSQ6VUDQ2mAIu5A i333R o5KΩR 4.15 ,,u5A i667R o10KΩR 4.16 (1),, (3)中频放大倍数为GSQ1.24VU DSQ17.52VUDQ1.24mAI1.7008,通频带为 458.74MHz,输入电阻为 999.997KΩ,输出电阻为 1.998KΩ第五章第五章5.1 (1)直接,变压器,光电2)负载,信号源内阻,小于 AB3)共集电极,共 发射极,共发射极,共集电极4)偏置电路,有源负载5)温度变化,差分式放大 (6)差,算术平均值,5V,0.5V,差模,共模7)输入,输出8)直接,电流源, 差分式,共射极,互补输出5.2 (1)图(a):,,;32be232be1132be221 u)1 ()1 (])1 ([ RrR rRRrRA ∥ be11irRR22be2 3o1RrRR∥图(b):,,)())(1 ())(1 (be242be2321be1be2321 urR rRRrrRRA ∥∥∥∥)])(1 ([be2321be11irRRrRR∥∥∥;4oRR 图(c):,,;])1 ([])1 ([d2be232be11d2be221 urrR rRrrRA ∥ be11irRR3oRR 图(d):,,。

      )()]([2be82 be2764mrRrRRRgAu∥∥∥ 213iRRRR∥8oRR (2)第一级产生的是饱和失真,增大电阻(降低静态工作点) ;第二级产生的是截止失1R真,减小电阻2R5.3 (1)Q1:,,,,BQ12.9VUEQ12.2VUCQ1EQ10.5mAIIBQ110μAI ;CEQ17.75VUQ2:,,,BQ2b2BQ2BEQC2e2C(1) IRRVUIBQ239.4μAICQ22mAICEQ29VU(2), be12.85krbe2863r(3),,,, ,i7.2kΩR i256.5kΩR o 200Ru132.55A  u20.99Au32.2A   5.4 ,L155HZf H12.86kHZf5.5 (1)u53210(1)(1j)j10Af f 5.6(1)图(a);图(b),O1.= 43mAIREF1.3mAIO650μAI (2) , REF1.43mAIe25.6kΩR5.7 T3管的接入可以减小基极电流对集电流的影响,减小输出电流与参考电流之间的镜像误差。

      ,;,10ROEF0.982II=100ROEF0.9998II5.8 ,REF100μAIC1C2REF00μA1III5.9 ,O10.mA17IO20.mA34I5.10 电流源作有源负载,C20A.5mI5.11(1)静态工作点: ,,BQ1BQ218.8μAIICQ1CQ20.565mAIICEQ1CEQ212.05VUU(2) ,,ud9.2A id7.86kΩR odc22.4kΩRR5.12(1) ,,,EQ1EQ20.57mAIICQ1CQ2EQ10.57mAIIICEQ1CEQ26.9VUU,BQ1BQ27μAIIbe3.9kΩr (2) ,,ud23.5A id34.1kΩR od=20kΩR5.13 (1) (2) (3)相同,但是对于(2)cWbd eu1()2R ARr  cWbd eu1()2R ARr   udA时,C1C2UU 5.14 (1),,,,CQ1CQ20.565mAIIBQ1BQ。

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