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第第1章章 电力电子器件电力电子器件1.1 概概 述述1.2 电力二极管电力二极管1.3 晶闸管及其派生器件晶闸管及其派生器件1.4 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管1.5 电力晶体管电力晶体管1.6 功率场效应晶体管功率场效应晶体管1.7 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.8 其他新型电力电子器件其他新型电力电子器件1电力电子器件1.1.1 电力电子器件的概念与特征电力电子器件的概念与特征1.1.2 电力电子器件的基本类型电力电子器件的基本类型1.1.3 电力电子器件的模块化与集成化电力电子器件的模块化与集成化1.1.4 电力电子器件的应用领域电力电子器件的应用领域1.1.5 本章核心内容与学习要点本章核心内容与学习要点1.1 概概 述述2电力电子器件l电力电子器件：专指直接用于主电路，实现电能的变换或控制的半导体器件l主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制的电路RL主电路V1V2控制器驱动电路检测电路保护电路控制电路电气隔离（（1）基本概念）基本概念1.1.1 电力电子器件的概念与特征电力电子器件的概念与特征3电力电子器件l电力电子器件处理电功率的能力，一般远大于信息处理中的电子器件。

l电力电子器件一般都工作在开关状态l电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制（或称为驱动）l电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都需要安装散热器（自然风冷、强迫风冷、水冷等）1.1.1 电力电子器件的概念与特征电力电子器件的概念与特征（（2）主要特征）主要特征4电力电子器件1.1.1 电力电子器件的概念与特征电力电子器件的概念与特征（（3）电力电子器件的功率损耗）电力电子器件的功率损耗l功率损耗主要包括：通态损耗、断态损耗和开关损耗l通态损耗是通态电流与通态（管）压降作用的结果l断态损耗是断态（漏）电流与断态电压作用的结果l开关损耗又包括：开通损耗和关断损耗，是开关过程中电压与电流作用的结果l因断态漏电流极小，一般认为通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要因素l当器件工作频率较高时，开关损耗可能成为电力电子器件功率损耗的主要因素5电力电子器件l不可控器件（如：电力二极管SR）不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路，外电路决定通断l半控型器件（如：晶闸管SCR）通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断l全控型器件（如：电力场效应管，绝缘栅双极晶体管）通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。

1.1.2 电力电子器件的基本类型电力电子器件的基本类型（（1）按照器件被控程度分为三类）按照器件被控程度分为三类6电力电子器件l电流驱动型通过从控制端注入或者抽出一定的电流，实现器件的导通或关断控制如SCR、GTO、GTR等l电压控制型仅通过在器件控制端和公共端之间施加一定的电压信号，实现导通或者关断控制如MOSFET、IGBT等1.1.2 电力电子器件的基本类型电力电子器件的基本类型（（2）可控器件按照驱动信号的性质分为两类）可控器件按照驱动信号的性质分为两类7电力电子器件l单极型器件只有一种载流子参与导电如MOSFETl双极型器件由电子和空穴两种载流子参与导电如GTO、GTRl混合型器件由单极型器件与双极型器件通过集成而构成的复合型器件如IGBT1.1.2 电力电子器件的基本类型电力电子器件的基本类型（（3）按照器件内部载流子参与导电情况分为三类）按照器件内部载流子参与导电情况分为三类8电力电子器件1.1.3 电力电子器件的模块化与集成化电力电子器件的模块化与集成化（（1））电力电子器件模块化与集成化的研发是目前电力电子器件模块化与集成化的研发是目前重重要的发展方向要的发展方向。

2））模块化与集成化不仅可减小装置尺寸，更重要模块化与集成化不仅可减小装置尺寸，更重要的是提高了装置的的是提高了装置的安全性安全性与与可靠性可靠性，缩短了装，缩短了装置的设计研发周期置的设计研发周期3））特别值得一提的是特别值得一提的是智能功率模块智能功率模块（（IPM），该），该功率模块同时具有功率模块同时具有驱动、控制、保护驱动、控制、保护等功能，等功能，整体性能大为提高整体性能大为提高4））目前，在装置研发中目前，在装置研发中优先选用模块化器件优先选用模块化器件9电力电子器件1.1.4 电力电子器件的应用领域电力电子器件的应用领域详见教材第详见教材第9页图页图1-110电力电子器件l集中介绍典型器件的工作原理、基本特性、主要参数及选择和使用中应注意的一般问题l简单介绍电力电子器件的驱动、保护以及串、并联使用等特殊问题1.1.5 本章核心内容与学习要点本章核心内容与学习要点（（1）核心内容）核心内容l了解典型器件的基本特性曲线l掌握典型器件主要参数的含义l学会典型器件的合理选用2）学习要点）学习要点11电力电子器件1.2.1 PN结的工作原理结的工作原理1.2.2 电力二极管的结构与基本特性电力二极管的结构与基本特性1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数1.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型1.2 电力二极管电力二极管12电力电子器件 状态状态参数参数正向导通正向导通反向截止反向截止反向击穿反向击穿电电 压压维持维持1V左右左右反向高反向高反向太高反向太高电电 流流正向大正向大几乎为零几乎为零反向很大反向很大电电 阻阻呈低阻态呈低阻态呈高阻态呈高阻态——二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征1.2.1 PN结的工作原理结的工作原理（（1））PN结的状态结的状态（（2））PN结的反向击穿结的反向击穿l 包括雪崩击穿和齐纳击穿两种形式。

包括雪崩击穿和齐纳击穿两种形式l 均可能导致均可能导致PN结热击穿，造成二极管永久损坏热击穿，造成二极管永久损坏13电力电子器件1.2.1 PN结的工作原理结的工作原理（（3））PN结的电容效应结的电容效应lPN结的电荷量随外加电压的变化而变化，呈现出电容效应，称之为结电容，又称为微分电容l结电容按其产生机制和作用的不同又分为势垒电容CB和扩散电容CDl结电容的存在主要影响PN结的工作频率，尤其是高速开关状态时其影响显得更为突出14电力电子器件l基本结构和基本特性与信息电子中讨论的二极管相同l内部由一个面积较大的PN结和两端引线以及外部封装组成l外型主要有螺栓型、平板型和模块型三种封装形式1.2.2 电力二极管的结构与基本特性电力二极管的结构与基本特性15电力电子器件1.2.2 电力二极管的结构与基本特性电力二极管的结构与基本特性l电力二极管原理和结构简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就得到了广泛的应用16电力电子器件主要指伏安特性l门槛电压UTO：正向电流IF开始明显增加时所对应的电压l正向管压降UF ：与IF对应的二极管两端电压l承受反向电压时，正常情况下只有微小且数值基本恒定的反向漏电流。

l当反向电压达到一定数值时（ UBR ），则会造成反向击穿1.2.2 电力二极管的结构与基本特性电力二极管的结构与基本特性电力二极管的伏安特性（（1））静态特性静态特性17电力电子器件1.2.2 电力二极管的结构与基本特性电力二极管的结构与基本特性（（2））动态特性动态特性①开通过程l正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋近于某一稳态压降值（ 1~2V） l正向恢复时间tfrl电流上升率越大，UFP过冲越高UFPuiiFuFtF rt02V电力二极管开通过程18电力电子器件1.2.2 电力二极管的结构与基本特性电力二极管的结构与基本特性（（2））动态特性动态特性②关断过程l须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态l关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt电力二极管关断过程l延迟时间：td= t1- t0, l电流下降时间：tf= t2- t1l反向恢复时间：trr= td+ tfl影响开关速度的主要因素是反向恢复时间19电力电子器件l为电力二极管的电流定额l定义为：在规定的管壳温度和散热条件下，允许长期流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

lIF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应根据有效值相等的原则来选取电流定额，并考虑留有一定的裕量计算方法在SCR时再说明l举例：计算正弦半波电流有效值与平均值的比值1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数（（1）正向平均电流）正向平均电流 IF(AV)20电力电子器件1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数例：计算正弦半波电流有效值与 平均值的比值解：即：21电力电子器件（（2）正向通态管压降）正向通态管压降 UF在规定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降显然，UF 越小越好3）反向重复峰值电压）反向重复峰值电压 URRMl为电力二极管的电压定额l定义为：电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压l使用时为安全起见应当留有2~3倍的裕量 （（4）反向恢复时间）反向恢复时间 trr= td+ tf1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数22电力电子器件（（5）最高工作结温）最高工作结温 TJMl结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示lTJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度，通常在125~175C范围之内。

6）） 浪涌电流浪涌电流 IFSM指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流 1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数23电力电子器件（（1）普通二极管）普通二极管l又称整流二极管，多用于开关频率不高（一般在1kHz以下）的整流电路l其反向恢复时间较长（一般为几十微秒）l正向电流定额和反向电压定额可以达到很高（一般达数千安培、数千伏特以上）1.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型24电力电子器件（（2）快恢复二极管）快恢复二极管 l简称快速二极管l从性能上又可分为快速恢复和超快速恢复两个等级前者trr为数百纳秒至几微秒，后者则在100ns以下，甚至达到20~30nsl管压降较低（约为0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下，低于普通二极管1.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型25电力电子器件（（3）肖特基二极管）肖特基二极管l肖特基二极管的优点n反向恢复时间很短（10~40ns）n正向恢复过程中没有明显的电压过冲n正向压降为0.3~0.6V，明显低于快恢复二极管，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小l肖特基二极管的弱点n反向耐压偏低，多用于200V以下场合。

n反向漏电流的温度敏感性很强，使用中必须严格限制其工作温度1.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型26电力电子器件1.3 晶闸管及其派生器件晶闸管及其派生器件1.3.1 简介简介1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件27电力电子器件1.3.1 简简 介介l又称为可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier）l简称为可控硅（缩写为SCR）l1956年由美国贝尔实验室发明l1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品，且于1958年商业化l晶闸管的诞生，开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代l20世纪80年代以来，开始部分被全控型器件所取代l晶闸管受压和通流的能力最高，工作可靠，应用成熟，在大容量的场合仍占有重要的不可替代的地位晶闸管是晶体闸流管（Thyristor）的简称28电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理l螺栓型封装，通常螺栓一端是阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。

l平板型晶闸管使用时是由两个散热器将其夹在中间l模块使用时，金属底面（一般为铜质）要与散热器紧密接触，使元件内部的热量有效导出1）符号及外形）符号及外形l为三端四层元件，三端分别为阳极 A、阴极 K 和控制极 Gl外形有螺栓型、平板型和模块型三种封装形式图形符号四层结构29电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理（（1）符号及外形）符号及外形30电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理（（1）符号及外形）符号及外形31电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理（（1）符号及外形）符号及外形32电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理（（1）符号及外形）符号及外形33电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理（（1）符号及外形）符号及外形34电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理式中：1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益； ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。

按晶体管工作原理 ，可得：整理得 ：（（2）工作原理分析）工作原理分析而且：晶闸管的双晶体管模型及其工晶闸管的双晶体管模型及其工作原理作原理a) 双晶体管模型双晶体管模型 b) 工作原理工作原理35电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理①  1 与 2数值与发射极电流有关，当发射极电流很小时，其数值小于0.1；当发射极电流上升时，（ 1+ 2）近似等于1； ②共基极漏电流很小，有时可以忽略不计； ③当IG = 0，阳极电流近似为0，处于阻断状态；④当控制极注入触发电流，正反馈作用使晶闸管处于饱和导通状态，阳极电流由外电路决定，此时控制极电流失去作用⑤器件关断需依靠外电路的辅助作用，使阳极电流减小到一定数值3）原理说明）原理说明36电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理l阳极电压升高至相当高的数值，造成雪崩效应l阳极电压上升率du/dt 过高l结温较高l反向电压过高l只有门极触发才是精确、迅速而可靠的控制手段 4））晶闸管其他几种非正常导通的情况晶闸管其他几种非正常导通的情况37电力电子器件1.3.2 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理l晶闸管在承受反向电压时，不论控制极是否有触发电流都不会导通。

l晶闸管承受正向电压时，仅在控制极有触发电流的情况下才能开通l晶闸管一旦导通控制极就失去控制作用l要使晶闸管关断，只能使流过晶闸管的电流减小到接近于零的某一数值 l显然，晶闸管为电流控制型器件5））晶闸管开通及关断条件晶闸管开通及关断条件38电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数①①正向特性正向特性lIG=0时，当器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，此为正向阻断状态l正向电压超过正向转折电压UDB，则漏电流急剧增大，器件非正常开通l随着门极电流幅值的增大，正向转折电压相应降低l晶闸管一旦导通，其正向导通压降很小，约为1V左右正向导通雪崩击穿OUAKURBIAIHIG2IG1IG0=0UDBUDSMUDRMURRMURSM晶闸管的伏安特性IG2>IG1>IG0（（1）静态特性）静态特性39电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数②②反向特性反向特性l反向特性类似于二极管的反向特性l反向呈阻断状态时，只有极小的反向漏电流l当反向电压达到反向击穿电压后，电流急剧增加，可能导致晶闸管发热而永久损坏1）静态特性）静态特性正向导通雪崩击穿OUAKURBIAIHIG2IG1IG0=0UDBUDSMUDRMURRMURSM晶闸管的伏安特性IG2>IG1>IG040电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数①①开通过程开通过程l延迟时间td ：(约为0.5~1.5s)l上升时间tr ：(约为0.5~3s)l开通时间ton为以上两者之和： ton=td+tr（（2）动态特性）动态特性100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA晶闸管的开通和关断过程波形41电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数②②关断过程关断过程l反向恢复时间trrl门极恢复时间tgrl关断时间toff 为以上两者之和：toff =trr+tgrl普通晶闸管的关断时间约为几百微秒。

2）动态特性）动态特性　100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURPIRMiA晶闸管的开通和关断过程波形42电力电子器件选用注意选用注意1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数l正向断态重复峰值电压UDRM在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压l反向重复峰值电压URRM在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压Ø取UDRM与URRM中较小值作为晶闸管的电压定额Ø选用时应留有裕度，一般取正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍3）电压定额）电压定额l通态（峰值）电压UT（简称管压降）晶闸管通以额定通态平均电流时的瞬态峰值电压43电力电子器件选用注意选用注意1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数l通态平均电流 IT(AV）：在环境温度为 40C 和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时，将所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值，标称为晶闸管的额定电流4）电流定额）电流定额Ø使用时应根据实际通过电流的波形，按有效值相等（即等效发热）的原则来选取Ø并需留有一定的裕量44电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数（（4）电流定额）电流定额l维持电流 IH ：能使晶闸管维持导通所必需的最小阳极电流。

l擎（掣）住电流 IL：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持继续导通所需的最小电流 通常I L=（ 2~4 ）I H（（5）门极定额）门极定额l包括门极触发电压 U GT 与门极触发电流 I GTl注意同一型号的器件存在较大的离散性45电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数（（6）动态参数）动态参数l断态电压临界上升率du/dt ：指在额定结温和门极开路的情况下，不会导致晶闸管从断态转换为通态的外加电压最大上升率由于结电容的存在，当电压上升率过大使充电电流足够大时，将会使晶闸管误导通 除了开通时间 ton 和关断时间 toff 外，动态参数还包括：46电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数（（6）动态参数）动态参数l通态电流临界上升率di/dt ：指在规定条件下，晶闸管所能承受而无有害影响的最大通态电流上升率晶闸管导通时，电流在管芯硅片上有一个从门极向外扩散的过程，如果电流上升太快，可能造成门极附近局部电流密度过大，使晶闸管过热而损坏47电力电子器件1.3.3 晶闸管的特性及主要参数晶闸管的特性及主要参数设晶闸管导通时流过的电流波形如下图所示，试问：额定电流为100A的晶闸管所能提供的平均电流 Id 及相应的电流最大值 Im 分别为多少安？（暂不考虑安全裕度）　　（（7））有关晶闸管电流定额的举例有关晶闸管电流定额的举例48电力电子器件解：解：因为额定电流为100A的晶闸管允许通过电流的有效值为157A，按有效值相等的原则，可得：即：而：思考：若考虑2倍的电流安全裕度情况又如何？49电力电子器件（（1））快速晶闸管（快速晶闸管（Fast Switching Thyristor））1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件l又 分 常 规 快 速 晶 闸 管 （ 400Hz） 和 高 频 晶 闸 管（10kHz）。

l开关时间以及du/dt 和di/dt 承受能力都有明显改善l普通晶闸管关断时间约在几百微秒，常规快速晶闸管为几十微秒，高频晶闸管为10s左右l快速晶闸管的缺点在于其电压和电流定额均较普通晶闸管低l由于工作频率较高，其开关损耗的发热效应不容忽视50电力电子器件（（2））逆导晶闸管（逆导晶闸管（ Reverse Conducting Thyristor ））1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件l将晶闸管反并联一只二极管制作在同一个管芯上的功率集成器件l具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点l仅应用于某些特殊场合，如电压型串联谐振逆变电路等效图伏安特性图形符号51电力电子器件（（3））双向晶闸管（双向晶闸管（ Bidirectional triode thyristor ））1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件l可认为是由两只普通晶闸管反并联集成l也是三端元件，有两个主电极T1和T2，一个门极（控制极）G等效图图形符号l在第Ｉ象限和第III象限具有对称的伏安特性l因用于交流控制场合，故额定电流不用平均值而用有效值来标定伏安特性52电力电子器件（（4））光控晶闸管（光控晶闸管（ Light Triggered Thyristor ））1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件l又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光信号照射触发导通的晶闸管。

l光触发保证了主电路与控制电路之间的电气绝缘，并且可有效地避免电磁干扰的影响l应用于高压大功率的场合，如高压直流输电图形符号伏安特性AK光强度强弱OUIA53电力电子器件典型全控器件介绍典型全控器件介绍1.4 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管1.5 电力晶体管电力晶体管1.6 功率场效应晶体管功率场效应晶体管1.7 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管54电力电子器件1.4 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管(GTO)简介简介1.4.2 GTO的结构与工作原理的结构与工作原理1.4.3 GTO的主要参数的主要参数1.4.4 GTO的优缺点的优缺点55电力电子器件1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管(GTO)简介简介l英文名称：Gate-Turn-Off Thyristorl简 称：GTOl实际上是晶闸管的一种派生器件l在门极施加正的脉冲电流可以使其开通，在门极施加负的脉冲电流可以使其关断（即：门极可关断）lGTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管相近，因此在兆瓦级以上的大功率场合应用较多56电力电子器件1.4.2 GTO的结构与工作原理的结构与工作原理（（1））GTO的结构的结构l与普通晶闸管的相同点：同为P-N-P-N四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。

l和普通晶闸管的不同点：nGTO是一种多元化的功率集成器件，其内部可看成由多个小晶闸管并联而成n这些小晶闸管阳极共用，而门极和阴极独立，单独引线后在器件内部并联再引出见下页图）57电力电子器件1.4.2 GTO的结构与工作原理的结构与工作原理（（1））GTO的结构的结构各单元的阴极、门极间隔排列的图形并联单元结构断面示意图图形符号58电力电子器件1.4.2 GTO的结构与工作原理的结构与工作原理（（2））GTO的工作原理的工作原理l与普通晶闸管一样，GTO仍可用双晶体管模型来分析 晶闸管的双晶体管模型及其工晶闸管的双晶体管模型及其工作原理作原理a) 双晶体管模型双晶体管模型 b) 工作原理工作原理l1+2=1 是器件的临界导通条件n1+2 >1，饱和导通n1+2 <1，关断l GTO属于电流控制型器件n门极电流为正器件导通n门极电流为负器件关断59电力电子器件1.4.3 GTO的主要参数的主要参数 GTO的许多参数与普通晶闸管相应的参数有着相同的含义，以下仅介绍意义不同的主要参数：（（1）最大可关断阳极电流）最大可关断阳极电流IATO 又称可关断阳极峰值电流，为GTO的额定电流。

2）电流关断增益）电流关断增益 off 指最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值之比即：60电力电子器件1.4.4 GTO的优缺点的优缺点l优点：耐压及通流能力强，适于大功率场合l缺点：noff一般较小，仅约为4~5，结果使门极关断负脉冲电流较大n例如一只额定电流为1000A的GTO，关断时所需门极负脉冲电流峰值需要达到200A 左右n驱动功率大，驱动电路复杂 n开关频率相对较低，一般低于2kHz，但高于普通晶闸管（普通晶闸管的开关频率一般低于400Hz）l需要指出：GTO根据其应用一般都做成逆导型，若需要GTO承受反向电压，使用时应与电力二极管串联使用61电力电子器件1.5 电力晶体管电力晶体管1.5.1 电力晶体管（电力晶体管（ GTR ）简介）简介1.5.2 GTR的结构与工作原理的结构与工作原理1.5.3 GTR的主要参数的主要参数1.5.4 GTR的优缺点的优缺点1.5.5 GTR的二次击穿与安全工作区的二次击穿与安全工作区62电力电子器件l英文名称：Giant Transistorl直 译：巨型晶体管l简 称：GTRl本质上为：高耐压大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor）l故又简称：BJT 1.5.1 电力晶体管（电力晶体管（ GTR ）简介）简介63电力电子器件1.5.2 GTR的结构与工作原理的结构与工作原理GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 共射极接法内部载流子的流动（（1））GTR的结构的结构64电力电子器件1.5.2 GTR的结构与工作原理的结构与工作原理l与普通的双极结型晶体管工作原理基本一样。

l属于电流控制型器件l主要特点是耐压高、电流大、开关特性好l仅工作在晶体管伏安特性的饱和区或截止区，即工作在开关状态l为提高电流放大倍数，增强控制能力，内部通常至少由两个晶体管采用达林顿接法组成单元结构2））GTR的工作原理的工作原理65电力电子器件1.5.3 GTR的主要参数的主要参数lGTR上电压超过规定值时将会被击穿l击穿电压一方面和晶体管本身特性有关，另一方面还与外电路的接法有关a) BUCBOb) BUCEOc) BUCESd) BUCERe) BUCEX lBUCBO > BUCEX > BUCES > BUCER > BUCEOl实际使用时最高工作电压UCEM比BUCEO还要低1）最高工作电压（）最高工作电压（额定电压额定电压））66电力电子器件1.5.3 GTR的主要参数的主要参数（（2））集电极最大允许电流集电极最大允许电流 I ICM CM （（额定电流额定电流））l通常规定为直流电流放大系数hFE （或称为）下降到规定值的（1/2~1/3）时所对应的IC值l实际使用时还要留有裕量，只能用到ICM的一半或稍多一点3）集电极最大耗散功率）集电极最大耗散功率 PCMl指最高工作温度下允许的耗散功率。

l因耗散功率等于集电极电流与饱和导通压降的乘积，当最大耗散功率及饱和压降一定时，也就确定了集电极最大允许电流67电力电子器件1.5.4 GTR的优缺点的优缺点l为电流控制型器件，驱动功率大，驱动电路复杂l开关频率相对较低，一般低于100kHz，但高于GTO（一般低于2kHz）和普通晶闸管（一般低于400Hz）l存在二次击穿现象，一旦发生将使器件永久损坏1）优点）优点l耐压高，通流能力强，适于大功率场合l开关特性好，饱和压降低2）缺点）缺点68电力电子器件1.5.5 GTR的二次击穿与安全工作区的二次击穿与安全工作区（（1）一次击穿）一次击穿l集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大出现的雪崩击穿称为一次击穿l此时只要集电极电流不超过与最大允许耗散功率相对应的限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不会明显改变2）二次击穿）二次击穿l一次击穿发生后，集电极电流增加达到一定程度后会突然急剧上升，电压陡然下降，出现负阻效应，这一现象称为二次击穿l二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 69电力电子器件1.5.5 GTR的二次击穿与安全工作区的二次击穿与安全工作区（（3）安全工作区（）安全工作区（Safe Operating Area——SOA））l由集电极最大电流 ICM 、最高工作电压UCEM、集电极最大耗散功率 PCM 线和二次击穿临界线四者限定。

l器件生产厂家应以图形方式向用户提供GTR的安全工作区GTR正向偏置的安全工作区集电极最大电流最高工作电压集电极最大耗散功率线二次击穿临界线70电力电子器件1.6 功率场效应晶体管功率场效应晶体管1.6.1 功率场效应晶体管（功率场效应晶体管（ MOSFET ）简）简介介1.6.2 功率功率MOSFET的结构与工作原理的结构与工作原理1.6.3 功率功率MOSFET的特性的特性1.6.4 功率功率MOSFET的主要参数的主要参数1.6.5 功率功率MOSFET的优缺点的优缺点71电力电子器件1.6.1 功率场效应晶体管（功率场效应晶体管（ MOSFET ）简介）简介l场效应管（ Field Effect Transistor）分为结型和绝缘栅型l功率场效应管通常主要指绝缘栅型中的金属氧化物半导体型（Metal Oxide Semiconductor ）l简称功率MOSFET（Power MOSFET）l功率MOSFET又分N沟道和P沟道两种类型l其中每一类型又分增强型与耗尽型l功率MOSFET主要为N沟道增强型l为单极型电压控制器件，且具有自关断能力72电力电子器件1.6.2 功率功率MOSFET的结构与工作原理的结构与工作原理（（1）功率）功率M0SFET的结构的结构功率功率MOSFETMOSFET的结构和电气图形符号的结构和电气图形符号l导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。

l采用多元集成结构，不同生产厂家采用的设计不同l为三端元件：分别为栅极G、漏极D和源极S 73电力电子器件1.6.2 功率功率MOSFET的结构与工作原理的结构与工作原理l导通：漏极与源极之间加正向电压，栅极与源极之间加正电压UGS，当UGS大于开启电压UT 时，漏极与源极之间导通l截止：漏极与源极之间加正向电压，栅极与源极之间电压为零时，漏极与源极之间无电流流过，此时处于截止状态2）功率）功率M0SFET的工作原理的工作原理74电力电子器件1.6.3 功率功率MOSFET的特性的特性l转移特性n漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为转移特性n当ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导gm1）静态特性）静态特性功率MOSFET的转移特性75电力电子器件1.6.3 功率功率MOSFET的特性的特性l输出特性n在栅源间电压UGS一定时，漏极电流ID与漏源电压间的关系称为输出特性n管子工作在开关状态，即在截止区和非饱和区（线性导电区）之间来回跳转1）静态特性）静态特性功率MOSFET的输出特性76电力电子器件1.6.3 功率功率MOSFET的特性的特性lMOSFET开关速度与输入电容Ciss充放电有很大关系。

l输入电容又与极间分布电容有关，由产品手册提供l为提高开关速度，可降低驱动电路的内阻Rs以减小时间常数l虽然导通与截至要跨越饱和区，使漏极电流增加或减少需要延时，但其开关速度在目前主要电力电子器件中是最高的，约在10~100ns之间，其工作频率可达100kHz以上l场控器件静态时输入电流几乎为零，但在开关过程中需对输入电容进行充放电，因此仍需一定的驱动功率，而且开关频率越高，所需要的驱动功率相应增大2）动态特性）动态特性77电力电子器件1.6.4 功率功率MOSFET的主要参数的主要参数（（1）漏源击穿电压）漏源击穿电压 UBDS ：功率MOSFET的电压定额2）栅源击穿电压）栅源击穿电压 UBGS ：UGS>20V导致绝缘层击穿l存放：三端短接；l取用：手环接地；l焊接：烙铁可靠接地或短时断电利用余热 （（3）漏极连续电流）漏极连续电流 ID 和漏极峰值电流幅值和漏极峰值电流幅值 IDM 功率MOSFET的电流定额，一般 IDM = (2~4) ID 4）极间电容）极间电容：：决定了器件的开关速度5）正向通态电阻）正向通态电阻：：决定了器件的通态损耗6）最大功耗）最大功耗：与：与管壳温度有关。

78电力电子器件1.6.5 功率功率MOSFET的优缺点的优缺点l耐压低，通流能力弱l仅适于功率不超过10kW的电力电子装置1）优点）优点（（2）缺点）缺点l输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单l开关速度快，工作频率高，达100kHz以上l不存在二次击穿问题79电力电子器件1.7 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.7.1 绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（IGBT）简介）简介1.7.2 IGBT的结构与工作原理的结构与工作原理1.7.3 IGBT的主要参数的主要参数1.7.4 IGBT的特殊问题的特殊问题80电力电子器件1.7.1 绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（IGBT）简介）简介l绝缘栅双极晶体管的缩写来历（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）lGTR的优点是：耐压高，通流能力强，饱和压降低lMOSFET的优点是：输入阻抗高，驱动功率小，开关速度快lIGBT结合了GTR与MOSFET二者的优点复合而成l相当于利用MOSFET来驱动GTRl显然属于电压控型自关断器件l1986年投放市场，目前是中小功率电力电子设备的主导器件。

81电力电子器件1.7.1 绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（IGBT）简介）简介l塑料封装适用于小功率器件l小功率的晶闸管、MOSFET等往往也采用此种封装形式 82电力电子器件1.7.1 绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（IGBT）简介）简介模块上面的螺丝用于固定主回路接线模块右侧的焊片为控制极83电力电子器件1.7.1 绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（IGBT）简介）简介侧面是模块的型号、生产厂家及其内部的接线图注意此模块为逆导型84电力电子器件1.7.1 绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（IGBT）简介）简介模块使用时，金属底面（一般材质为导热性能好的铜）要与散热器紧密接触，将元件工作时内部产生的热量有效导出85电力电子器件1.7.2 IGBT的结构与工作原理的结构与工作原理（（1））IGBT的结构的结构lIGBT为三端器件：栅极G、集电极C和发射极E l其内部是由GTR与MOSFET组成的达林顿结构l是一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号86电力电子器件1.7.2 IGBT的结构与工作原理的结构与工作原理l导通：n栅极和发射极间uGE大于开启电压UT，IGBT导通。

n开启电压与温度有关，在25°C时约为2~6Vn为了可靠开通，栅射极间的驱动电压一般取+15~+20Vl关断：n栅极和发射极间施加反压或不加信号，IGBT关断n为可靠关断，并减少关断时间和关断损耗，关断时栅射极间一般施加−5 ~ −15V的负驱动电压2））IGBT的工作原理的工作原理87电力电子器件1.7.3 IGBT的主要参数的主要参数（（1））集射极击穿电压集射极击穿电压UCES 为IGBT的最高工作电压，由内部PNP晶体管所能承受的击穿电压确定2）最大栅射极电压）最大栅射极电压 一般<20V，以15V左右为宜3）集电极连续电流和峰值电流）集电极连续电流和峰值电流 为IGBT的额定电流，包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 通常峰值电流为额定直流电流的2倍左右，主要受结温的制约4）最大集电极功耗）最大集电极功耗PCM 正常工作温度下允许的最大耗散功率88电力电子器件1.7.4 IGBT的特殊问题的特殊问题（（1）掣住效应（自锁效应））掣住效应（自锁效应） 撤销触发信号后器件仍维持导通。

2）正向偏置安全工作区（）正向偏置安全工作区（FBSOA）） 由最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定3）反向偏置安全工作区（）反向偏置安全工作区（RBSOA）） 由最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定4）制成逆导型器件）制成逆导型器件 IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起89电力电子器件1.8 其他新型电力电子器件其他新型电力电子器件1.8.1 静电感应晶体管（静电感应晶体管（SIT）） 1.8.2 MOS控制晶闸管（控制晶闸管（MCT））1.8.3 集成门极换向型晶闸管集成门极换向型晶闸管（（IGCT））1.8.4 电力电子器件的发展趋势电力电子器件的发展趋势90电力电子器件1.8.1 静电感应晶体管（静电感应晶体管（SIT））l缺点：n栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便n通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用lSIT（Static Induction Transistor）——又称结型场效应晶体管l工作频率与电力MOSFET相当（甚至更高），功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。

在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用91电力电子器件1.8.2 MOS控制晶闸管（控制晶闸管（MCT））lMCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合lMCT结合了二者的优点：n承受极高di/dt和du/dt，开关过程快速，开关损耗小n高电压、大电流、高载流密度、低导通压降l一个MCT器件由数以万计的MCT单元组成l每个单元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFETl其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，因而未能投入实际应用92电力电子器件1.8.3 集成门极换向型晶闸管（集成门极换向型晶闸管（IGCT））l IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）l 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，其容量与GTO相当，其开关速度比GTO快10倍l可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大l目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。

93电力电子器件1.8.4 电力电子器件的发展趋势电力电子器件的发展趋势l自20世纪80年代中后期开始，电力电子器件趋向于模块化方向发展，即将多个器件封装在一只模块中，称为功率模块l模块化可缩小装置体积，降低成本，提高运行可靠性l对工作频率较高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求l将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）1）基本概念）基本概念94电力电子器件1.8.4 电力电子器件的发展趋势电力电子器件的发展趋势l高压集成电路（High Voltage IC——HVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成l智能功率集成电路（Smart Power IC——SPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成l智能功率模块（Intelligent Power Module——IPM）专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）2）实际应用）实际应用95电力电子器件1.8.4 电力电子器件的发展趋势电力电子器件的发展趋势l早期功率集成电路的研究与开发主要面向中小功率应用场合，目前大容量的功率集成电路的研发已成为热点。

l功率集成电路的主要技术难点是高低压电路之间的绝缘问题以及温升与散热的有效处理l智能功率模块（IPM）在一定程度上回避了上述两个难点，只是将保护、驱动与IGBT器件封装在一起l功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口，具有广阔的应用前景3）发展现状）发展现状96电力电子器件补充内容：补充内容：电力电子器件的保护电力电子器件的保护过电压的产生及其保护过电压的产生及其保护过电流的产生及其保护过电流的产生及其保护97电力电子器件过电压的产生及其保护过电压的产生及其保护l外因过电压：主要指雷击和系统操作过程等外界因素n雷击过电压：由雷电引起n操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起l内因过电压：主要指电力电子装置内部器件的开关过程中，电流突变路电感上感应出的高电压n换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后，反向电流急剧减小，会因线路电感的存在在器件两端感应出过电压n关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压1）电力电子装置可能遇到的过电压）电力电子装置可能遇到的过电压98电力电子器件过电压的产生及其保护过电压的产生及其保护（（2）过电压保护措施的配置）过电压保护措施的配置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压抑制电容RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压抑制器RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路l电力电子装置可视具体情况采用其中的几种保护措施。

l其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，又属于缓冲电路范畴99电力电子器件过电压的产生及其保护过电压的产生及其保护附图　RC过电压抑制电路联结方式l在抑制外因过电压的措施中，采用RC过电压抑制电路（又称为阻容吸收电路）最为常见100电力电子器件过电流的产生及其保护过电流的产生及其保护（（1）过电流的产生）过电流的产生 分过载和短路两种情况，均为故障状态负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器 变流器直流快速断路器电流互感器变压器附图　过电流保护措施及配置位置（（2）过电流保护措施的配置）过电流保护措施的配置101电力电子器件过电流的产生及其保护过电流的产生及其保护l电子保护电路作为第一保护措施l快熔仅作为短路时的部分区段的保护l直流快速断路器整定在电子保护电路动作之后实现保护l过电流继电器整定在过载时动作l一般综合采用几种过电流保护措施，以提高其可靠性负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器 变流器直流快速断路器电流互感器变压器附图　过电流保护措施及配置位置102电力电子器件过电流的产生及其保护过电流的产生及其保护l快熔对器件的保护方式又分全保护和短路保护两种。

n全保护：过载、短路均由快速熔断器进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合n短路保护：快速熔断器只在短路电流较大的区段起到保护作用负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器 变流器直流快速断路器电流互感器变压器附图　过电流保护措施及配置位置103电力电子器件过电流的产生及其保护过电流的产生及其保护l对于重要且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件，往往需采用电子保护电路进行过电流保护l常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，其响应速度最快负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器 变流器直流快速断路器电流互感器变压器附图　过电流保护措施及配置位置104电力电子器件本章参考书本章参考书105电力电子器件。