电渣重熔原理.docx

2 电渣重熔原理2．1 渣池电渣重熔工艺的核心部分是熔池 金属从熔池上方进入渣池， 然后被加热、熔化、 精炼和过热，并且承受振动、搅拌和电化学作用因此，形成渣池并使其保持在 合适的条件下，显然是很重要的渣有如下几方面的作用1) 发热元件的作用 重熔过程中热量通过焦耳效应产生， 也就是通常的电阻发热定律 因此，应该确 保渣阻与供给功率的电压、 电流之间的正确平衡 所用的大多数渣的电阻率在熔 炼温度下为0.2.0.ssl-cm ，熔炼温度通常比金属熔化温度高 200 -- 3001C显 然，在该温度下，渣既要呈液态，又要稳定，所以重熔电流、电压、渣池深度和 渣电阻率之间的关系很复杂好的电渣重熔操作必须把它们调到最佳值2) 熔渣对于非金属材料来说是熔剂 当金属电极进入到渣池中时，电极端部达到其熔化温度，就会形成金属熔化膜 当熔化金属与熔渣接触时， 熔化的金属在汇聚成熔滴的同时， 暴露的非金属夹杂 将溶解在渣里因此，渣的成分必须能溶解杂质而又不影响其性质，为此，在重 熔时必须采取连续调整渣成分的步骤3) 渣是电渣重熔工艺的精炼剂 重熔过程中的化学反应主要部位是电极端部渣／金界面， 这里金属膜条件对于快 速反应是最理想的。

4) 涟起保护金属免受污染的作用渣对于反应成分来说， 起着传递介质的作用 由于金属在渣下熔化和凝固， 被熔 化的金属绝不会与大气接触而被直接氧化， 而这种氧化在常规工艺中是不可避免 的另一方面，由于熔渣可以传递反应物质，如氧和水蒸气，所以使用惰性气体 做保护气氛非常必要5) 位形成结晶器衬 由于结晶器壁温度维持在渣熔点以下，那么熔渣和结晶器壁之间必定有凝固渣 壳这层渣壳起着结晶器衬的作用， 金属锭在衬里形成并凝固， 至少在稳定操作 条件下，渣壳起着上述作用在环形结晶器(短模)情况下，锭表面渣皮很少 可能存在差异为了实现上述作用， 渣必须具有某些相当明确的性质 一般情况下， 它的熔化温 度应在被熔化金属的熔化温度以下操作温度显然高于金属熔点，一般约高 200 --300r渣的电阻率是其成分的函数，只要不是明确地影响化学要求，可在一 定界限内调整 渣的成分应该既保证所希望的化学反应能快速发生， 又保证反应 物留在渣里；对于硫，其反应产物应能排到大气中去另外，渣应能抑制不希望 反应的发生， 因为这些反应会造成微量元素的损失， 这一点也非常重要 渣的黏 度(其值一般在毫帕秒范围内)影响熔滴在渣中的停留时间、气体排出速度、渣 池搅拌程度、 传质动力学以及渣壳厚度等。

渣与金属的密度差也同样影响熔滴停 留时间和熔滴大小 渣与金属间的表面张力应该比较小， 这样可增加传质速度且 易产生小熔滴 但这样不利于渣与金属的分离且增加夹渣危险 表面张力也影响 杂质溶解机理Ca凡)、氧化钙(CaO),氧化镁(Mgo)、三氧化2.2 渣成分和渣组成 电渣重熔渣的成分通常以氟化钙二铝(A1203)、二氧化硅(Siq )为主，其他元素可少量存在，如二氧化钛 M0Z或氟化镁(MgF2)本书采用将Ca凡先列出来，在它的质量分数之后加上 “F'余下的组成(即氧化物)按照 CaO, Mgo, A1203, Siq且碱度降低的顺序列出， 并且只列出质量分数通用公式是 a F/b/c/d/e ，即a= w (CaF2) b = w (CaO) c = w (Mgo) d = w (A12O3) e = w (Si02)女口 60F/10/10/10/10 渣含60%的CaF2余下的每种成分均为10% 又 如 50F/20/0/30 渣含 50 % CaF2, 20 % CaO, 30 % A1203,无 MgQ 当完全按照 这种方法叙述成分时，如果 w(Siq)二0，就不必将之表示出来了。

表 2.1就是 用这种方法列出的常用渣[18]*3.1 茬畫蛊抒潼的粗感名 蘇吠3/ w(GO) w(MnO) w(AhQ) w(SOt)/%r%/%1

虽然这个区域不能延伸到 Ca凡-A12伍 二元渣系•但认为实际结果是可能的 因为存在大量的氟化钙水解产品一 氧化钙，而成为这个区域的成分70F/0/0/30是一种流行渣，该渣应尽可能不使用氧化钙，其目的是阻止吸氢但是，似乎没 有因两个液相区的存在而产生任何实际间题 为避免两个液相区存在，采用高三氧化二铝含量渣，在重熔原理上可能有可取之处 CaO-AI2 岛 二元渣系中有一个适合渣和熔炼特性的有限区，使用该区域渣其成功程度不一在需要高脱 硫情况下，已经成功地使用 CaF2-CaOC元渣系由于这个渣系电阻率低，以致 大多数情况下需加入A12q，由于规定A12q中不得含有金属铝，所以加入A120: 并不改变工艺的化学作用高氧化钙含量容易招致吸潮，即增氢的危险，因此， 必须避免可能遇到的氢的问题2.2.2氧化镁的作用在Ca凡-A12仇 渣系中，加入M四 对渣的液相温度影响不大，在富氟化 钙角，渣熔化温度在1400 一 1600C范围内（见图2.2 ），并且共晶点成分约等 于MgO和A12O3含量同样，在CaO- MgO-A1203渣系中，富氟化钙角有相同 温度范围，三元共晶成分相当于 71F/19/10，液相温度为1343'C。

2.2.3氧化铁的作用除非采取严格措施，否则在渣中要避免氧化铁存在是困难的在精炼过程 中，氧化铁这种化合物起着关键作用氧化铁通常以"FeO”形式存在，不管它是 否有严格的化学计量成分这种氧化铁在 CaO-Ca凡渣中具有非常低的溶解度，而且有两种液体生成区（见图 2.3 ）这种氧化铁的活度系数非常高，低氧浓度 可导致高氧势，但是，超过 40%的A1203渣位于两个液体区域范围之外，此情 况下，氧化铁的活度不再增高Cat?224二氧化硅的作用最初，二氧化硅是被排除于许多重熔渣之外的，怕它破坏精炼效果，特别 是脱硫，然而这种影响不像最初想像的那样严重可能是由于这样的事实，倘若 w （Siq）＜10%，在CaO-A1203和CaF2-CaO-A12几渣里二氧化硅的作用是非常小 的2.3电行为如前所述，电渣重熔过程中所需要的热是由渣池焦耳效应产生的，应避免 电极与渣之间产生电弧，当电弧穿过电极与渣之间的间隙时，会导致金属的氧化, 这是所不希望的然而可用电弧来增加熔速，但金属质量的恶化令人沮丧2.3.1电流通路就渣的实际作用，可将其视为电阻元件，其横断面积介于电极和结晶器横 断面积之间如果根据一般的定律，可以采用如下公式叙述这种情况 ：L = VA/I p式中，L—电阻通路长度，大约等于渣池深度或渣面与金属面之间的距离； V-渣电压降；A—电流通路有效横断面积。

有人采用电极横断面积，有人采用结晶器横断面积，最好取两者平均值; I —电流；p—渣的电阻率而实际电路要复杂得多首先是渣池内电路分布是不均匀的，这是因为受渣池温度差、搅拌的影响，或渣池内金属溶滴存在的影响，使电阻率比纯渣低； 在导电时，粗电极发庄集肤效应；其次是实际电流通路很少完全限制在电极一渣图tv电示定孫Hi—电尺）亠一熔池通路之间，结晶器也常流过一些电流 电路可能性变化可用图2.4表示 在渣池顶部渣面通常是上升的，除使用短结 晶器操作，当抽锭或抬结晶器时，渣面才不上升 液体渣与结晶器壁接触就可能有电流流过，至 少是瞬间的本书认为，倘若最初电流密度130A/cmi， 那么电流就可以继续流动这就是说，在渣池表面 有一导电圆窄带当然结晶器流过电流必须有回路 存在这样的通路在活模操作时是存在的， 因此结 晶器与底水箱有电接触而在短模操作时某些操作 者使用粗导线连接如果无自然回路，电流可能在 某一点返回到锭，这样锭和结晶器壁之间的绝缘就 被破坏绝缘破坏可能由渣破损引起，也可能由轻 微爆炸产生的金属细珠的存在或渣里夹有金属熔 滴（尽管后一种现象很少见，但已观察到）引起前苏联研究者指出，如果电流流过固体渣， 渣可能表现为半导体，并产生整流和电解作用，锭 子的分流眼和结晶器损坏可归于这种作用。

渣池的实际电阻改变是由几种因素引起的，就像上面叙述的那样熔滴存在将降低电阻， 可以预料熔速越快，电阻将越低（其他条件不变），因为高熔速穿过渣的金属体 积将越大，这已由实验所证实电阻与电极浸入深度之间已被描述成如图 2.5所示的关系电极浸入深度浅的情况下，电阻随浸入深度迅速变化，这种情况被用做维持恒浸入深度的控制信号roetsEjsFZ150 2000H 41跌妁曲弓I握的电桑井布1—之一an3—st#细界顷卞4—擬固婷趨垛；5—渣池电阻蹟电极沒入琛度的变化Rb(P)一电高度为几时的渣池电阻；J?o(^-90-)一电械幣休高度为九 =0时的渣池电阻T "一电极半径(ry-®)："—结晶器半径CrT—w)i H— 漬池高度；点一艮入探度；pF的电阻率，0.3n*cm使用交流电时已经认识到集肤效应对电流分布的影响由于电磁作用以及 电流方向的不断改变，流过大直径导体的主要电流是接近导体表面流过的 电流渗透深度可以通过下式计算：式中，d—电流渗透深度； A电极直径； 卩―材料磁导率，H/m； F—电源频率，Hz; c —电导率，S/m用小电极，如直径小于 200mm的钢电 极，电源频率为50Hz时，其集肤效应可以忽 略。

使用磁钢•当温度上升到居里点以上时， 渗透性将急剧下降.以致电极顶部电流渗透深 度比电极冷的部分高得多，电流分布类似于图 2.6此图是通过将短粗棒连接到电极上而得 到的在高电流情况下短棒表面能被加热到红 热状态，用同样直径的奥氏体棒就不会这样， 除非它们的电阻率很高 当然，可通过使用多根小电极代替一根大电极来降低集肤效 应低频熔炼也可以降低集肤效应，正是由于 这一点，生产大锭时广泛使用低频电源托马斯(ThomaS研究了电极端部效应并且得出如下结论，浸入深度较浅时，电流完全均匀分布，较深的浸入会导致电 流向中央集中这分别与所观察到的平的和尖的电极端部与浅的和深的浸入深度致，并且也说明了电阻一浸入深度之间的变化关系。