第四章 场效应管(FET)及基本放大电路要点.docx

第四章 场效应管(FET)及基本放大电路要点 第四章 场效应管〔FET〕及根本放大电路§4.1 学问点归纳一、场效应管〔FET〕原理·FET分别为JFET和MOSFET两大类每类都有两种沟道类型，而MOSFET又分为增加型和耗尽型〔JFET属耗尽型〕，故共有6种类型FET〔图4-1〕·JFET和MOSFET内部构造有较大差异，但内部的沟道电流都是多子漂移电流一般状况下，该电流与vGS、vDS都有关·沟道未夹断时，FET的D-S口等效为一个压控电阻〔vGS限制电阻的大小〕，沟道全夹断时，沟道电流iD为零；沟道在靠近漏端局部断时称局部夹断，此时iD主要受控于vGS，而vDS影响较小这就是FET放大偏置状态；局部夹断与未夹断的临界点为预夹断·在预夹断点，vGS与vDS满意预夹断方程：耗尽型FET的预夹断方程：vDS?vGS?VP〔VP——夹断电压〕 增加型FET的预夹断方程：vDS?vGS?VT〔VT——开启电压〕·各种类型的FET，偏置在放大区〔沟道局部夹断〕的条件由表4-4总结表4-4 FET放大偏置时vGS与vDS应满意的关系 极 性 N沟道管：正极性(VDS>0) P沟道管：负极性(VDSVGS－VP(或VT)>0 VDS>1 CE放大器 rds//11?gmgm，较小 >rds ，最大 AI>1 CC放大器 §4.2 习题解答 4-1 图P4-1中的FET各工作在什么区？〔a〕 VP=-3V 〔b〕 VP=-5V 〔c〕 VP=4V图P 4-1 〔a〕这是N-JFET。

VGS?VP，?沟道全夹断，FET处于截止区VDS ? VGS?VP〔b〕这是N-JFET0?VGS?VP，(6V) (1V)，?沟道局部夹断，FET处于放大VDS ?VGS?VP〔c〕这是P-JFETVGS?0，(?8V) (?4V)，?FET偏置在放大区4-2 假设某P沟道JFET的IDSS=-6mA，VP=4V画出该管的输出特性曲线；指出电阻区和恒流区以及它们的分界限〔即预夹断轨迹〕[解] 由原方律公式先画转移特性VViD?IDSS(1?GS)2??6(1?GS)2VP4 图P4-2-1 转移特性曲线 图P4-2-2 输出特性曲线 4-3 一支P沟道耗尽型MOSFET的IDSS=—6mA VP=4V，另一支P沟道增加型MOSFET的VT=-4V.试分别画出它们的输出特性曲线，标明电阻区和恒流区以及它们的分界限〔即预夹断轨迹〕[解] 曲线分别如图P4-3-1和P4-3-2所示 图P4-3-1 图P4-3-24-5 设图P4-5中JFET的IDSS的肯定值都等于4mA，且沟道局部夹断，求输出端的直流电压VO 。

〔a〕V0?4?10??6V〔b〕V0?4V〔c〕V0?4V〔d〕V0??4?10?6V图P4-54-6 设图P4-6中的MOSFET的VT,VP均为1V，问它们各工作于什么区？ 图P4-6VGS?VPVDS ?VGS?VP〔a〕N沟道耗尽型MOSFET，VP??1V，(2V)?工作于放大区且(6V) (3V)，本文来源：网络收集与整理，如有侵权，请联系作者删除，谢谢！第4页 共4页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页第 4 页 共 4 页。