等离子刻蚀工艺原理介绍.ppt

等离子刻蚀工艺原理介绍 Etch/CSMC 2011.10.14 等离子刻蚀工艺原理介绍包含以下几个方面：• 等离子体基本概念• 等离子刻蚀基本原理• 等离子刻蚀应用概述• Plasma就是等离子体(台湾一般称为电浆), 由气体电 离后产生的正负带电离子以及分子, 原子和原子团组 成. 只有强电场作用下雪崩电离发生时, Plasma才会产 生. • 气体从常态到等离子体的转变, 也是从绝缘体到导体 的转变.• Plasma 一些例子: 荧光灯,闪电, 太阳等.什么是Plasmaenergygasplasmaeeee• Plasma产生激活态的粒子以及离子. 激活态粒子（自 由基）在干法刻蚀中主要用于提高化学反应速率, 而 离子用于各向异性腐蚀(Anisotropic etch).• 在固定Power输入的气体中, 电离和复合处于平衡状 态. 在正负离子复合或电子从高能态向低能态跃迁的 过程中发射光子. 这些光子可用于终点控制的检测• 半导体工艺Plasma一般都是部分电离, 常规 0.01%~10% 的原子/分子电离.为什么Plasma运用在干法刻蚀中各向异性刻蚀中的圆片偏压•射频功率通过隔直电容加到圆片背面，这样隔离直流 而能通过射频，使圆片和基座充电为负偏压状态(平均).• 半导体圆片不一定是电 导体(因为表面可能淀积 一层SiO2或SiN膜), 直流 偏压不能工作, 因为 Plasma很快补偿了绝缘体 上的偏压. - - - - - - - - + + + + + + - - - - - - - - -+• 非对称的腔体中，圆片面积 控制离子浓度/能量。

提高 Bias 功率，提高腐蚀速率· 低离子能量 低的碰撞速度· 离子能量影响方向性 高离子能量意 味着离子更少偏离原来运动方向Bias 功率的作用: 离子能量Q&A问答。