aecq200测试条件.doc

AEC-Q200AEC-Q200 試驗條件：試驗條件：說明：說明：AEC-Q200 的環境試驗條件，主要是依據 MIL-STD-202 與 JEDEC22A-104 規範來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同，高溫儲存屬於不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環與溫度衝擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率，溫衝擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗試驗條件注意事項：試驗條件注意事項：1000h 試驗過程需在 250h、500h 進行間隔量測高溫儲存高溫儲存(MIL-STD-202-108)(MIL-STD-202-108)：：[ [適用設備：適用設備：THSTHS] ] 薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI 干擾抑制器、EMI 干擾過濾器：85℃/1000h電感、變壓器、電阻：125℃/1000h變阻器：150℃/1000h鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h高溫工作壽命高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)(MIL-STD-202-108)：：[ [適用設備：適用設備：THSTHS] ] 網路低通濾波器、網路電阻：85℃/1000hEMI 干擾抑制器、EMI 干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定 IL鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓 鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)自恢復保險絲：125℃/1000h電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓可變電阻：125℃/1000h/額定功率變阻器：125℃/1000h/額定電壓 85％+ma 電流陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定 VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有 2X 的晶體 CL 電容石英震盪器：125℃/1000h/額定 VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有 2X 的晶體 CL 電容溫度循環溫度循環(JEDEC22A-104)(JEDEC22A-104)：：[ [適用設備：適用設備：TSRTSR、、ESSESS] ] 薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI 干擾抑制器、EMI 干擾過濾器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles鋁電解電容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles電感、變壓器、變阻器、石英震盪器、自恢復保險絲：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles網路低通濾波器、網路電阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles溫度衝擊溫度衝擊(MIL-STD-202-107)(MIL-STD-202-107)：：[ [適用設備：適用設備：TCTC、、TSKTSK] ]自恢復保險絲：自恢復保險絲：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles 偏高濕度偏高濕度(MIL-STD-202-103)(MIL-STD-202-103)：：[ [適用設備：適用設備：THSTHS] ] 鉭電容、陶瓷電容：鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓 1.3～1.5V電感電感& &變壓器：變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電鋁電解電容：鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓EMIEMI 干擾抑制器、干擾抑制器、EMIEMI 干擾過濾器：干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流電阻、熱敏電阻：電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源 10%自恢復保險絲：自恢復保險絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流 10%可變電容、可變電阻：可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率 10%網路低通濾波器網路低通濾波器& &網路電阻：網路電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓[網路電容(額定電壓)、網路電阻(10%額定功率)]變阻器：變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓 85％+ma 電流石英震盪器、陶瓷共鳴器：石英震盪器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定 VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有 2X 的晶體 CL 電容薄膜電容：薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓濕度抵抗濕度抵抗(MIL-STD-202-106)(MIL-STD-202-106)：：[ [適用設備：適用設備：THSTHS] ]薄膜電容：薄膜電容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一 cycle 共 24h，step7a&7b 不通電top。