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有机场效应晶体管分类结构及工作原理.docx

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  • 卖家[上传人]:新**
  • 文档编号:546813877
  • 上传时间:2023-06-13
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    • 有机场效应晶体管分类结构及工作原理-百能云芯什么是有机场效应晶体管英文全称:organic fieldeffect tran-sisbor简称:OFET应用:传感器,互补逻辑电路,可用于全有机主动显示,超大规模集成电路,超导材料制备 等;特点:低温加工,材料来源广,可与柔性衬底兼容,成本低;有机场效应晶体管组成源极source+漏极drain+栅极gate+有机半导体层+栅绝缘层有机场效应晶体管分类 底栅页接触式+底栅底接触式+顶栅顶接触式+项栅底接触式 如下图所示有汛事导悴 注橫 有机半导膨 君毎逋事层底栅页接触式工作原理在底栅底接触中,载流子直接从电极边缘注入导电沟道中;在底栅顶接触中,有机半导体把源漏电极和导电沟道隔开,从电极向导电沟道注入的载流子 穿过有机半导体层才能到达导电沟道中, 因增加接触电阻而导致载流子注入效率降低, 但此结构的电子元器件因电极与有机半导体接触面积大,在有机半导体层很薄时,接触电阻 变得很小: 因项接触是有机半导体材料直接沉积在绝缘层上,膜质量优质,电子元器件性能比底接触好有机场效应晶体管结构它像电容器 源极,漏极,有机半导体薄膜的导电沟道可看作一个极板,栅极可作一个极板; 栅源间间从 VGS 负电压,绝缘层附近半导体层中感应出带正电的空穴,栅极处会积祟带负 电电子;可通过调节绝缘层中电场强度即可调节源漏间电流;源漏间加负电压VDS,即源漏间产生电流IDS,调节VGS与Vns可调节绝缘层中电场强度; 随电场强度不同,感应电荷密度也不同,源漏间导电通道宽窄也不同,源漏间电流也会改变。

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