内存型号说明.docx

Samsung具体含义解释主要含义：第 1 位——芯片功能 K，代表是内存芯片第 2 位——芯片类型 4，代表 DRAM第3 位——芯片的更进一步的类型说明，S 代表SDRAM、H 代表DDR、G 代表SGRAM 、T 代表 DDR2 DRAM、D 表示 GDDR1〔显存颗粒〕第 4、5 位——容量和刷速率，容量一样的内存承受不同的刷速率，也会使用不同的编号64、62、63、65、66、67、6A 代表 64Mbit 的容量；28、27、2A 代表 128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表 256Mbit 的容量；51 代表 512Mbit 的容量第 6、7 位——数据线引脚个数，08 代表 8 位数据；16 代表 16 位数据；32 代表32 位数据；64 代表 64 位数据第 8 位——为一个数字，表示内存的物理 Bank，即颗粒的数据位宽，有 3 和 4 两个数字，分别表示 4Banks 和 8Banks对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝ 数据位宽这个值可以是 64 或 128，对应着这条内存就是 1 个或 2 个 bank例如 256M 内存 32×4 格式 16 颗芯片：4×16=64，双面内存单 bank；256M 内存16M×16 格式 8 颗芯片：16×8=128，单面内存双 bank。

所以说单或双 bank 和内存条的单双面没有关系另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组打算内存芯片常见的数据宽度有 4、8、16 这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同所以当数据深度超过以上最大值时，多出的局部主板就会认不出了，比方把 256M 认成 128M 就是这个缘由，但是一般还是可以正常使用第 9 位——由一个字符表示承受的电压标准，Q：SSTL-1.8V 〔1.8V，1.8V〕与 DDR 的 2.5V 电压相比，DDR2 的 1.8V 是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间第 10 位——由一个字符代表校订版本，表示所承受的颗粒所属第几代产品，M 表示 1st，A-F 表示 2nd-7th目前，长方形的内存颗粒多为 A、B、C 三代颗粒， 而现在主流的 FBGA 颗粒就承受 E、F 居多靠前的编号并不完全代表承受的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的第 11 位——连线“-”第 12 位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有 G，S：FBGA〔Leaded〕、Z，Y： FBGA〔Leaded-Free〕目前看到最多的是TSOP 和 FBGA 两种封装，而FBGA 是主流〔之前称为 mBGA〕。

其实进入 DDR2 时代，颗粒的封装根本承受 FBGA 了，由于 TSOP 封装的颗粒最高频率只支持到 550MHz，DDR 最高频率就只到 400MHz，像DDR2 667、800 根本就无法实现了第 13 位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示 CommercialTemp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的 1.8V 电压标准；“L”表示 Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，一般很少在普及型内存上使用，由于三星比较留意稳定性和兼容性，并不想更多的发烧友超频带来危急第 14、15 位——芯片的速率，如 60 为 6ns；70 为 7ns；7B 为 7.5ns (CL=3)； 7C 为 7.5ns (CL=2) ；80 为 8ns；10 为 10ns (66MHz)DDR2 起步频率是 400MHz，主流最高频率是 800MHz，也有品牌出过 1066MHz，其实在 DDR2 的应用层面上已经没有多大的用处了，因此这段的两个字符“CC”表示 DDR2-400〔200MHz@ CL=3、 tRCD=3、tRP=3〕、“D5”表示 DDR2-533〔266MHz@ CL=4、tRCD=4、tRP=4〕、“E6”表示 DDR2-667〔333MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5〕、“E7”表示DDR2-800〔400MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5〕三星的编号还有第 16、17、18 三位，这三位编号并不常见，一般用于 OEM 与特别的领域，因而在此就不介绍了。

容量计算知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就格外简洁计算出它的容量例如一条三星 DDR 内存，使用 18 片 SAMSUNG K4H280838B-TCB0 颗粒封装颗粒编号第 4、5 位“28”代表该颗粒是 128Mbits，第 6、7 位“08”代表该颗粒是 8 位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是 128Mbits〔兆数位〕× 16 片/8bits=256MB〔兆字节〕注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为 8 位则计算时除以8关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种状况：一种是非 ECC 内存， 每 8 片 8 位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种 ECC 内存，在每 64 位数据之后，还增加了 8 位的 ECC 校验码通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，订正一位错误所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC 功能的 18 片颗粒的内存条实际容量按 16 乘在购置时也可以据此判定 18 片或者 9 片内存颗粒贴片的内存条是 ECC 内存2 Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY 代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4、芯片容量和刷速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、 4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32位6、BANK 数量：1、2、3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank，是 2 的幂次关系7、I/O 界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或 A、B、C、D 等字母，越往后代表内核越9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=一般芯片10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ， TG=16mm TSOP-Ⅱ11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A3Infineon〔亿恒〕 亿恒简介Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon 生产的内存颗粒只有两种容量：容量为 128Mbits 的颗粒和容量为256Mbits 的颗粒。

编号中具体列出了其内存的容量、数据宽度Infineon 的内存队列组织治理模式都是每个颗粒由 4 个 Bank 组成所以其内存颗粒型号比较少，区分也是最简洁的容量标示HYB39S128400 即 128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度其它也是如此，如：HYB39S128800 即 128MB/8bits； HYB39S128160 即 128MB/16bits；HYB39S256800 即 256MB/8bitsInfineon 内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最终加一短线，然后标上工作速率7.5——表示该内存的工作频率是 133MHz；-8——表示该内存的工作频率是 100MHz例如：1 条 Kingston 的内存条，承受 16 片 Infineon 的 HYB39S128400-7.5 的内存颗粒生产其容量计算为： 128Mbits〔兆数位〕×16 片/8=256MB〔兆字节〕1 条 Ramaxel 的内存条，承受 8 片 Infineon 的 HYB39S128800-7.5 的内存颗粒生产其容量计算为： 128Mbits〔兆数位〕 × 8 片/8=128MB〔兆字节〕。

4KINGMAX 内存的说明简介Kingmax 内存都是承受 TinyBGA 封装〔Tiny ball grid array〕并且该封装模式是专利产品，所以我们看到承受 Kingmax 颗粒制作的内存条全是该厂自己生产Kingmax 内存颗粒有两种容量：64Mbits 和 128Mbits在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来容量备注KSVA44T4A0A——64Mbits，16M 地址空间 × 4 位数据宽度； KSV884T4A0A——64Mbits，8M 地址空间 × 8 位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M 地址空间 × 4 位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M 地址空间 × 8 位数据宽度；KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16 位数据宽度Kingmax 内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：-7A——PC133 /CL=2；-7——PC133 /CL=3；-8A——PC100/ CL=2；-8——PC100 /CL=3例如一条 Kingmax 内存条，承受 16 片 KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits〔兆数位〕×16 片/8=128MB〔兆字节〕。

5Micron〔美光〕以 MT48LC16M8A2TG-75 这个编号来说明美光内存的编码规章含义：MT——Micron 的厂商名称48——内存的类型48 代表 SDRAM；46 代表 DDRLC——供电电压LC 代表 3V；C 代表 5V；V 代表 2.5V16M8——内存颗粒容量为 128Mbits，计算方法是：16M〔地址〕×8 位数据宽度A2——内存内核版本号TG——封装方式，TG 即 TSOP 封装75——内存工作速率，-75 即 133MHz；-65 即 150MHz实例：一条 Micron DDR 内存条，承受 18 片编号为 MT46V32M4-75 的颗粒制造该内存支持 ECC 功能所以每个 Bank 是奇数片内存颗粒其容量计算为：容量 32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB〔兆字节〕6Winbond〔华邦〕 含义说明：A 字段由 W 组成，代表华邦〔Winbond〕内存芯片的前缀B 字段表示产品类型98 代表 SDRAM 内存 94 代表 DDR SDRAM 内存C 字段表示内存芯片的容量16 代表 16Mbit〔2MB〕32 代表 32Mbit〔4MB〕64 代表 64Mbit〔8MB〕12 代表 128Mbit〔16MB〕25 代表 256Mbit〔32MB〕。

要计算内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可 D 字段表示内存构造08 代表＊8。