国外集成电路命名方法
22页1、国外集成电路命名方法 器件型号举例说明( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美))AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围 分类L:低功耗;D:铜焊双列直插 C:商用温度,没有标志的S:肖特基;(多层陶瓷);(0-70)或为标准加工LS:低功耗肖特基;L:无引线芯片载体:(0-75);产品,标有21:MOS存储器;P:塑料双列直插;M:军用温度,B的为已25:中规范(MSI);E:扁平封装(陶瓷扁平);(-55-125);老化产品。26:计算机接口;X:管芯;H:商用,27:双极存储器或EPROM ;A:塑料球栅阵列;(0-110);28:MOS存储器理;B:塑料芯片载体I:工业用,29:双极微处理器;C、D:密封双列;(-4085 );54/74:同25;E:薄的小引线封装;N:工业用,60、61、66:模拟,双极;G:陶瓷针栅陈列;(-2585);79:电信;Z、Y、U、K、H:塑料K:特殊军用,80:MOS微处理器;四面引线扁平;(-30125);81、82:MOS和双极处围电路;J:塑料芯片载体(PLCC);L:限制军用,90:MOS;L:陶瓷芯片载体(L
2、CC);(-55-85)91:MOS RAM:V、M:薄的四面125。92:MOS;引线扁平;93:双极逻辑存储器P、R:塑料双列;94:MOS;S:塑料小引线封装;95:MOS外围电路;W:晶片;1004:ECL存储器;也用别的厂家的符号:104:ECL存储器;P:塑料双列;PAL:可编程逻辑陈列;NS、N:塑料双列;98:EEPROM;JS、J:密封双列;99:CMOS存储器。W:扁平;R:陶瓷芯片载体;A:陶瓷针栅陈列;NG:塑料四面引线扁平;Q、QS:器件型号举例说明( 缩写字符:ANA 译名:模拟器件公司(美))AD 644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD:模拟器件编号A:第二代产品;I、J、K、L、M:D:陶瓷或金属气MIL-STD-HA:混合DI:介质隔离产(0-70);密双列封装883B级。A/D;品;A、B、C:(多层陶瓷);HD:混合Z:工作在+12V(-25-85);E:芯片载体;D/A。的产品。(E:ECL)S、T、U:F:陶瓷扁平;(-55-125)。G:PGA封装(针栅阵列);H:金属圆壳气密封装;M:金属壳双列密封计算机部
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