离子注入课程设计
16页1、燕山大学课程设计说明书题目:利用SILVACO设计MOS器件及其性能模拟学院(系):理学院年级专业:08级电子信息科学与技术学 号:080108040028学生姓名:杨丹指导教师:郭得峰教师职称:讲师燕山大学课程设计(论文)任务书院(系):理学院基层教学单位:电子信息科学与技术学号080108040028学生姓名杨丹专业(班级)08级微电子设计题目设计技术参数利用SILVAC0设计mos器件及其性能模拟,离子扩散、离子注入过程模拟 要精确;光刻、氧化、淀积、离子注入、刻蚀、热退火、金属化等步骤要完整 精确。设计要求通过阅读相关资料,了解目前集成电路工艺及模拟软件现状;了解工艺模 拟软件并学习Silvaco软件;利用Silvaco软件进行MOS器件的设计及其性能 模拟;分析数据,获得工艺参数对MOS器件的影响规律。工作量1. 一周时间选定课题并查阅相关资料;2. 一周时间设计步骤;3. 一周时间完成程序的编写与调试;4. 一周时间整理数据,完成分析及报告书。工作计划1. 选定课程工艺设计题目并查阅相关资料;2. 设计实验步骤;3. 编写与调试程序;4. 整理资料完成实验报告。参考资料指导
2、教师签字基层教学单位主任签字说明:此表一式四份,学生、指导教师、基层教学单位、系部各一份。年 月 日共15页第2页利用SILVACO设计MOS器件及其性能模拟Using SILVACO to design MOS device and its performance Simulation摘要:离子注入首先是作为一种半导体材料的掺杂技术发展起来的,它所 取得的成功是其优越性的最好例证。低温掺杂、精确的剂量控制、掩蔽容 易、均匀性好这些优点,使得经离子注入掺杂所制成的几十种半导体器件 和集成电路具有速度快、功耗低、稳定性好、成品率高等特点。对于大规 模、超大规模集成电路来说,离子注入更是一种理想的掺杂工艺。如前所 述,离子注入层是极薄的,同时,离子束的直进性保证注入的离子几乎是 垂直地向内掺杂,横向扩散极其微小,这样就有可能使电路的线条更加纤 细,线条间距进一步缩短,从而大大提高集成度。此外,离子注入技术的高精度和高均匀性,可以大幅度提高集成电路的成品率。随着工艺上和理 论上的日益完善,离子注入已经成为半导体器件和集成电路生产的关键工 艺之一。在制造半导体器件和集成电路的生产线上,已经广泛
3、地配备了离 子注入机。Abstract:Ion implantation is used as a semiconductor material is doped technology developed, its success is its superiority to the best example. Low temperature dopant, accurate dose control, masking easily, good uniformity of these advantages, made by ion implantation doping made dozens of semiconductor devices and integrated circuits with high speed, low power consumption, good stability, high yield. For large, very large scale integrated circuit, ion implantation is an ideal doping
4、 process. As mentioned before, the ion implanted layer is very thin, at the same time, the ion beam straight into the guarantee of ion implantation is almost perpendicular to the lateral diffusion of doped inward, extremely small, so that it is possible to make the circuit lines more slender, line spacing further reduced, thereby greatly improving the degree of integration. In addition, ion implantation technology of high precision and high uniformity, can greatly improve the yield of integrated
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