中高频熔炼设备生产项目研究报告
147页1、中高频熔炼设备生产项目可行性研究报告规划设计/投资分析/产业运营报告摘要说明半导体产业与面板产业相似,都是重资产投入,设备投资占总投资规模的比例达到60%以上,其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术,具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。在泛半导体行业,国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料,只是前者对晶圆纯度要求更高,运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业,单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等,其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言,投料量和晶棒尺寸越大,单位生产成本越低,技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg,尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉,如德国的PVATePlaAG公司,美国的Kayex公司等。目前,以晶盛机电为代表的国内厂商,其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平,并且拥有明显的成本优势,占
2、据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来,国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。该中高频熔炼设备项目计划总投资6449.24万元,其中:固定资产投资5628.27万元,占项目总投资的87.27%;流动资金820.97万元,占项目总投资的12.73%。本期项目达产年营业收入6600.00万元,总成本费用5063.73万元,税金及附加108.75万元,利润总额1536.27万元,利税总额1856.92万元,税后净利润1152.20万元,达产年纳税总额704.72万元;达产年投资利润率23.82%,投资利税率28.79%,投资回报率17.87%,全部投资回收期7.10年,提供就业职位109个。半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备(晶圆加工设备、晶圆制造设备)和后道设备(封装及测试设备),占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业,其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商,在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品,而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处
3、于领先地位。中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间,全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运,占新增晶圆厂的比重高达42%,美国为10座,台湾为9座,下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计,2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条,其中12英寸晶圆生产线共有9条,8英寸晶圆生产线共有16条,6英寸晶圆生产线共有40条,5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂,经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外,中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线,技术节点达到了28nm,领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外,还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而,英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线,随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU,2015年10月与大连市政府合作,投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座,合
4、计产能42.9万片/月。中高频熔炼设备生产项目可行性研究报告目录第一章 项目总论第二章 市场调研预测第三章 主要建设内容与建设方案第五章 土建工程第六章 公用工程第七章 原辅材料供应第八章 工艺技术方案第九章 项目平面布置第十章 环境保护第十一章 项目职业安全管理规划第十二章 项目风险评价分析第十三章 项目节能评估第十四章 项目实施方案第十五章 投资规划第十六章 经济效益分析第十七章 项目招投标方案附表1:主要经济指标一览表附表2:土建工程投资一览表附表3:节能分析一览表附表4:项目建设进度一览表附表5:人力资源配置一览表附表6:固定资产投资估算表附表7:流动资金投资估算表附表8:总投资构成估算表附表9:营业收入税金及附加和增值税估算表附表10:折旧及摊销一览表附表11:总成本费用估算一览表附表12:利润及利润分配表附表13:盈利能力分析一览表第一章 项目总论一、项目建设背景在泛半导体行业,国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料,只是前者对晶圆纯度要求更高,运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业,单晶硅生长
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