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BTS7960智能功率芯片中文资料

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卖家[上传人]：M****1

文档编号：427864027

上传时间：2022-08-28

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1、BTS7960智能功率芯片中文资料The BTS7960 is part of the NovalithIC family containing three separate chips in one package: One p-channel highside MOSFET and one n-channel lowside MOSFET together with a driver IC, forming a fully integrated high current half-bridge. All three chips are mounted on one common leadframe, using the chip on chip and chip by chip technology. The power switches utilize vertical MOS technologies to ensure optimum on state resistance. Due to the p-channel highside switch the need for

2、a charge pump is eliminated thus minimizing EMI. Interfacing to a microcontroller is made easy by the integrated driver IC which features logic level inputs, diagnosis with current sense, slew rate adjustment, dead time generation and protection against overtemperature, overvoltage, undervoltage, overcurrent and short circuit. The BTS7960 can be combined with other BTS7960 to form H-bridge and 3-phase drive configurations.BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分:一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动

3、晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。所有三个芯片是安装在一个共同的引线框,利用芯片对芯片和芯片芯片技术。电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。由于p型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰。通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。BTS7960可结合其他的BTS7960形成全桥和三相驱动结构。图框如下：下图显示使用的数据表2引脚结构2.1引脚分配上视图是BTS 7960B and BTS 7960P的引脚结构引脚的定义和功能引脚的定义和功能PINSYMBOLI/O功能1GND-接地2INI输入，高电位开关、低电位开关是否开启决定3INHI抑制，当设定为低电平进入睡眠状态4，8OUTO功率输出5SRI转换速率功率开关的转换速率通过SR和GND间连接的电阻调整6ISO电流取样诊断7VS-电源应用事例下图是智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片上图是正常模式和故障模式下电流检测智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic，如图 1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960通态电阻典型值为 16mQ，驱动电流可达 43A。智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic，如图 1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960通态电阻典型值为 16mQ，驱动电流可达 43A。BTS7960的引脚Is具有电流检测功能，正常模式下，从Is引脚流出的电流与流经高边 MOS管的电流成正比，若RIS=lkQ，则 VIS=Iload85；在故障条件下，从 Is引脚流出的电流等于IIS(1im)(约45mA)，最后的效果是 Is为高电平。如图3所示，图3(a)为正常模式下Is引脚电流输出，图3(b)为故障条件下IS引脚上的电流输出。

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