mm硅单晶抛光试验片.doc

ICSGB/T中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准GB/T-200X300mm硅单晶抛光试验片300mm Monocrystalline silicon as polished test slices（非等效）（征求意见稿）（本稿完成日期： ）×××× -×× -××发布 ×××× -×× -××实施国家质量技术监督局 发 布GB/T-200X前 言集成电路技术作为信息产业的基础备受全球瞩目当前，国际主流生产技术为直径 300mm，线宽0.13-0.10 微米及 90 纳米技术开始进入量产本标准是为 90 纳米线宽集成电路提供衬底材料的企业标准其指标的确定参照了国外有关标准，结合我国 300mm硅片的研制和生产情况，并考虑国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状，在原标准的基础上修订而成本标准应与和 GB/T 和 配套使用本标准由全国半导体材料与设备标准化委员会提出；本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司本标准主要起草人：闫志瑞、孙燕、盛方毓本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释IIGB/T-200X300mm硅单晶抛光试验片1 范围本标准规定了直径 300mm P<100>，电阻率 0.5-20 Ω.cm规格的硅单晶抛光试验片（简称硅抛光片）必要的相关性术语、技术要求、试验方法，检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。

本标准适用于直径 300mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足集成电路 IC 用线宽 90 纳米技术需求的衬底片2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款凡是注年代的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本凡是不注年代的引用文件，其最新版本适用于本标准GB/T 2828逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）GB/T 4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T 6621硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 12964硅单晶抛光片GB/T 14264半导体材料术语GB/T 14844半导体材料牌号表示方法GB/T 19921硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T 19922硅抛光片局部平整度非接触式检测方法YS/T 26硅片边缘轮廓检验方法YS/T 679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法SEMI MF1526使用全反射 X 光荧光光谱测量硅片表面金属玷污的标准方法SEMI MF1530硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法）SEMI MF1390 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法SEMI M1.15直径 300mm硅单晶抛光片规格（切口）SEMI M8硅单晶抛光试验片规范SEMI M24优质硅单晶抛光片规范3 术语下列术语适用于本标准。

3.1 使用本方法的术语见 GB/T14264 半导体材料术语4. 牌号硅片的牌号表示：按 GB/T 14844 规定5 要求3GB/T-200X5.1物理性能参数硅片的导电类型、掺杂剂、电阻率及径向电阻率变化、氧、碳含量应符合GB/T的规定5.2几何参数及表面要求5.2.1硅片的参数应符合表 1的规定抛光片所有参数规格在表1 中没有列出的，按供需双方协商提供表 1300mm硅抛光片几何尺寸参数及表面要求项目指标硅片直径 /mm300直径允许偏差 /mm± 0.2硅片厚度，中心点 / μm775厚度允许偏差 / μm± 20总厚度变化 / μm，不大于1.5翘曲度 / μm ，不大于45总平整度（ TIR） / μm，不大于1.0局部平整度（ SFQR） / μm，（ 25*25 ）不大于0.10局部光散射体≥ 0.12 μm<80LLSs( 前表面 )≥ 0.16 μm<40个 /cm2≥ 0.2 μm<15表面金属(Cu/Cr/Fe/Ni) atoms/cm2不大于1.0 × 1010(Al/Zn/K/Na/Ca) atoms/cm2不大于5.0 × 10105.3晶体完整性5.3.1硅抛光片的晶体完整性应符合GB/T的规定。

5.3.2氧化诱生缺陷：氧化诱生缺陷与晶体完整性，抛光工艺等诸多因素有关，氧化诱生缺陷指标由供需双方协商确定 5.4 表面取向5.4.1硅抛光片的表面取向为 {100} 5.4.2硅片表面取向的偏离为：正晶向： 0°± 0.5 °5.5基准标记5.5.1硅抛光片的切口取向及位置应符合表2 的规定表 2硅片切口位置项目导电类型表面取向切口基准轴取向副参考面指标P｛ 100｝｛110｝± 1°无对于（ 100）硅片，可允许等效{110} 的面是（ 01īīīī）、（ 011）、（ 01）和（ 0 ）晶面5.6表面质量硅抛光片表面质量应符合表3 的规定4GB/T-200X表 3 抛光片表面质量目检要求序 号项目最大缺陷限度1划伤无2蚀坑无正3雾无4亮点（个 / 片）无表5区域沾污无6崩边无7裂纹，鸦爪无面8凹坑无9沟（槽）无10小丘无11桔皮，波纹无12刀痕无背14崩边无15裂纹，鸦爪无表16区域沾污无面17刀痕无5.7 边缘轮廓硅片经边缘倒角及边缘抛光，边缘倒角、抛光处理后的边缘轮廓应符合YS/T 26 的规定，特殊要求可由供需双方协商确定6 试验方法6.1硅片直径及其公差按GB/T 14140.2 进行。

6.2硅片导电类型测量按GB/T 1550 进行6.3硅片电阻率测量按GB/T 6616 进行6.4硅片径向电阻率变化测量按GB/T 11073进行6.5硅片晶体完整性检验按GB/T 1554进行6.6 氧化层错检验按 GB/T4058进行6.7硅片边缘轮廓检验方法按YS/T 26进行6.8硅片表面质量检验按GB/T 6624 进行6.9厚度、总厚度变化、平整度测量按SEMI MF1530进行6.10 局部平整度测量按GB/T 19922 进行6.11局部光散射体测量按GB/T 19921进行6.11硅抛光片体内铁及其他金属含量测量按YS/T679 进行6.12 硅抛光片表面金属含量测量按ASTM F1526-95 进行5GB/T-200X7 检验规则7.1 检查和验收 产品应由技术 （质量）监督部门进行检验， 保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书 需方可对收到的产品进行验收 若检验结果与本标准规定不符时， 应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决7.2 组批硅抛光片以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同规格的抛光片组成，每批硅片不得少于25 片7.3检验项目7.3.1每批抛光片抽检的项目有：导电类型，晶向，晶向偏离，电阻率范围，径向电阻率变化，氧、碳含量，厚度，总厚度变化，翘曲度，总平整度，局部平整度、目检表面质量，氧化诱生缺陷，直径，切口位置、切口尺寸及深度。

7.3.2供需双方协商的检验项目局部平整度，局部光散射体的尺寸及数量，金属杂质沾污、氧、碳杂质含量7.4抽检验收7.4.1每批产品如属非破坏性测量的项目，检测按GB2828一般检查水平Ⅱ，正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行 如属破坏性测量的项目，检测按 GB2828 特殊检查水平 S-2 ，正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行7.5 检验结果的判定7.5.1 导电类型、晶向检验若有一片不合格，则该批产品为不合格 其他检验项目的合格质量水平（ AQL）见表 5表 5 检测项目及合格质量水平序号检验项目合格质量水平（ AQL）1电阻率范围1.0。