二硫化钼薄膜及其光电器件的制备和性质研究.doc

二硫化钼薄膜及其光电器件的制备和性质研究以石墨烯、二硫化钼（MoS₂为代表的二维层状纳米材料,由于 其具有良好的稳定性、丰富的结构及优异的性质 , 在电子、光电器件和传感器等 众多领域展现出巨大的应用前景 , 逐渐成为了物理、化学、材料科学等诸多领域 的研究重点不同于石墨烯的零带隙,MoS₂ifi米材料具有可调控带隙 MoS_{222v/sub>/WS2v/sub异质结复合材料，并 对材料的形貌、组分及光学性质进行表征分析成功制备了基于不同层数的 MoS222}

根据CVD法制备的样品在生长 过程中不同时间点的形貌对比分析,讨论了 MoS₂₂₂₂ 薄膜在功能器件中的应用研究奠定了基础2）开展了少层MoS_{22222/V • s3) 开展了 MoS2}

考虑到入射 光线由上至下照射到器件顶部，故设计并制备了基于少层MoS_{222v/sub>/WS2v/sub异质结构，并对 异质结的形貌、组分及光学性质进行表征分析研究中 , 我们详细讨论了异质结 样品不同区域的形貌差异及各区域间的形态演变过程 , 并通过异质结与单一 MoS2222v/sub>/WS2v/sub异质结光电晶体管的光响应度增大 50倍 而复合高功函数MoO32/MoO3}

研究结果表明,MoS₂#质结构能够有效的增强器件的光电性能 其中高功函数纳米材料可通过异质结界面处的电荷转移过程诱导产生内建电场 进而有效地促进MoS_{222230 mM此外，其还具有响应时间短（&t;1s ）,稳定性好，可实现微量检测等优势。}

本部分研究表明少层MoS₂