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2020年载流子迁移率计算方法.docx

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作者：空青山作品编号：8<9<96444588<9663Gd53022257782215002时间：2020.12.13计算公式：半导体物理书上也有载流子迁移率的公式，但是上面的是带有平均自由时间的公式，经过变换推倒，就成了上面的那个公式，因此要用vasp计算的参数有，Si,me,md,El这四个参数，其他的都是常数，可以查询出来带入公式参数：S1Sl = :,1 ,,就是需要我们先用vasp计算出声子谱，我们要对声子谱求导，取导带底处的值，对应的就是电子迁移率的S1所以需要学会怎么使用phonopyme就是电子的有效质量，要用origin对能带图求二次导，取导i r i imd:带底对应的值mx就是布里渊区X方向的有效质量，my就是y方向的有效质量，先用笔算出 G 到 K,M 向量，然后分别作这两个向量的垂直向量，在这两个向量方向上取20个权重为0的点，放到KPOINTS中，按照以前的方法，算出来的能带就是x方向上的和y方向上的，然后就可以算出x,y方向上的有效质量的体积，也就是说，我要把原来的晶胞任意改变一下大小，算出导带底能量的变化量，进而就算出了己］这个量以上这四个量算出来之后，带入公式计算就可以得出电子的迁移率公式。

电子迁移率主要受到：声学支波散射，光学支波散射，电离杂质杂质散射的影响，因为后二者没有第一个影响大，所以我们计算的迁移率包含的就是在声学支波散射作用下的迁移率半导体物理书上都很仔细的介绍作者：空青山作品编号：8<9<96444588<9663Gd53022257782215002时间：2020.12.13。

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