单晶硅培训ppt课件.ppt

数据来源：iimedia直拉单晶硅〔CZ〕或区融单晶硅〔FZ）￿￿型号：P型或N型￿￿晶向：<100>或<111>￿￿纯度：6N--9N￿￿公差：±0.01---±0.1￿￿倒角:￿C0.3-0.5×45°￿￿平行度：<0.02mm单晶硅红外透镜系列球面镜直拉单晶硅〔CZ〕或区融单晶硅〔FZ）￿￿型号：P型或N型￿￿晶向：<100>或<111>￿￿纯度：6N--9N￿￿公差：±0.01---±0.1￿￿倒角:￿C0.3-0.5×45°￿￿平行度：<0.02mm直拉单晶硅〔CZ〕或区融单晶硅〔FZ）￿￿型号：P型或N型￿￿晶向：<100>或<111>￿￿纯度：6N--9N￿￿公差：±0.01---±0.1￿￿倒角:￿C0.3-0.5×45°￿￿平行度：<0.02mm直拉单晶硅〔CZ〕或区融单晶硅〔FZ）￿￿型号：P型或N型￿￿晶向：<100>或<111>￿￿纯度：6N--9N￿￿公差：±0.01---±0.1￿￿倒角:￿C0.3-0.5×45°￿￿平行度：<0.02mm红外窗口球面毛坯棱镜称号：激光反射镜￿￿材质：直拉单晶硅￿￿型号：P型或N型￿￿纯度：5N--6N￿￿晶向：<100>或<111>￿￿公差：±0.01---±0.1mm￿￿倒角:￿C0.3-0.5×45°￿￿平行度：<0.02mm单单晶晶硅硅激激光光反反射射镜镜系系列列扫描振镜称号：激光反射镜￿￿材质：直拉单晶硅￿￿型号：P型或N型￿￿纯度：5N--6N￿￿晶向：<100>或<111>￿￿公差：±0.01---±0.1mm￿￿倒角:￿C0.3-0.5×45°￿￿平行度：<0.02mm称号：激光反射镜￿￿材质：直拉单晶硅￿￿型号：P型或N型￿￿纯度：5N--6N￿￿晶向：<100>或<111>￿￿公差：±0.01---±0.1mm￿￿倒角:￿C0.3-0.5×45°￿￿平行度：<0.02mm激光反射镜激光反射镜称号：单晶硅棒￿￿生长方式：CZ￿or￿FZ￿￿型号：P型或N型￿￿晶向：100或111￿￿直径：2英寸---8英寸￿￿位错密度〔个C㎡）无￿￿电阻率：0.001-10000￿Ω￿￿纯度：6N--9N单单晶晶硅硅棒棒及及半半导导体体硅硅片片系系列列单晶硅棒称号：单晶硅棒￿￿生长方式：CZ￿or￿FZ￿￿型号：P型或N型￿￿晶向：<100>或<111>￿￿直径：2英寸---8英寸￿￿位错密度〔个/C㎡）:无￿￿电阻率：0.001-10000￿Ω￿￿纯度：6N--9N称号：硅片￿￿生长方式：CZ￿or￿￿FZ￿￿型号：P型或N型晶向：<100>或<111>￿￿直径：2寸---8寸￿￿公差：±0.5mm￿厚度：180-2000μm￿￿公差：±10μm￿￿位错密度〔个/㎝2）:无￿￿电阻率：0.001-10000￿Ω￿￿纯度：6N--9N半导体硅片￿￿￿￿单晶硅棒称号：硅靶材￿￿材质：多晶硅￿￿纯度：5N--6N￿￿尺寸及公差：根据客户要求定制￿￿表面粗糙度：

对于尺寸精度要求较高的产品，可以在烧成后，以激光加工方法，在基片上划线、打孔，精度达到±0.05mm纯度:96%,颜色:乳白色尺寸:100x100x1.0mm以内,可以根据客户的要求切割表面粗糙度:<￿0.01um(抛光后);￿<1um(毛坯)陶瓷基片氮化铝陶瓷基片￿￿￿￿￿￿￿氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料运用：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、￿高亮度LED、电力电子器件等行业陶瓷基片氧化锆陶瓷基片参数:立方〔Cubic〕构造￿￿￿￿￿￿￿￿烧结温度:2370℃￿￿￿￿￿密度:￿6.27g/cm3￿颜色:白色￿￿￿￿￿尺寸:100x100x1.0mm以内,可根据客户要求加工￿￿￿￿￿抛光:单抛或者双抛陶瓷基片氧化锆陶瓷基片参数:立方〔Cubic〕构造￿￿￿￿￿￿￿￿烧结温度:2370℃￿￿￿￿￿密度:￿6.27g/cm3￿颜色:白色￿￿￿￿￿尺寸:100x100x1.0mm以内,可根据客户要求加工￿￿￿￿￿抛光:单抛或者双抛￿￿￿￿￿￿氧化锆陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

运用：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、￿高亮度LED、电力电子器件等行业陶瓷基片氧化锆陶瓷基片参数:立方〔Cubic〕构造￿￿￿￿￿￿￿￿烧结温度:2370℃￿￿￿￿￿密度:￿6.27g/cm3￿颜色:白色￿￿￿￿￿尺寸:100x100x1.0mm以内,可根据客户要求加工￿￿￿￿￿抛光:单抛或者双抛￿￿￿￿￿￿￿氧化锆陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料运用：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、￿高亮度LED、电力电子器件等行业陶瓷基片氧化锆陶瓷基片参数:立方〔Cubic〕构造￿￿￿￿￿￿￿￿烧结温度:2370℃￿￿￿￿￿密度:￿6.27g/cm3￿颜色:白色￿￿￿￿￿尺寸:100x100x1.0mm以内,可根据客户要求加工￿￿￿￿￿抛光:单抛或者双抛￿￿￿￿氧化锆陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

运用：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、￿高亮度LED、电力电子器件等行业外延薄膜Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si参数Pt/Ti/SiO2/Si制备方法:磁控溅射导电类型：P型￿掺B,N型掺P膜厚￿：Pt：150nm；过渡层Ti：20nm￿；￿SiO2：￿500nm硅片晶向：<100>或者<111>常规尺寸：Dia4"；Dia2"；10mm*10mm￿；10mm*5mm参数Au/Cr/Si制备方法:磁控溅射导电类型：P型￿掺B,N型掺P膜厚￿：Pt：150nm；过渡层Ti：Au,40~100nm,过渡层Cr,20nm；硅片晶向：<100>或者<111>常规尺寸：Dia2"；10mm*10mm￿；10mm*5mm外延薄膜SiO2/Si参数晶体结构：面心立方￿￿￿￿￿￿熔点：￿（℃）1420￿￿￿￿￿密度：￿2.4〔g/cm3）类型：￿N或P￿N￿P￿￿￿￿￿掺杂：￿￿￿/￿￿P(磷)￿￿B(硼)￿￿￿￿膜厚：￿￿300~￿500nm电阻率：￿>1000Ωcm￿￿￿10-3~104Ωcm￿￿￿10-3~104ΩcmE￿P￿D￿：￿≤100∕cm2￿￿￿￿≤100∕cm2￿￿￿≤100∕cm2氧含量：￿（∕cm3）≤1~1.8×1018￿￿￿≤1~1.8×1018￿￿￿≤1~1.8×1018碳含量：￿（∕cm3）≤5×1016￿￿￿≤5×1016￿￿￿￿≤5×1016尺寸：￿10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm可按照客户需求￿￿￿￿￿厚度：￿0.3-0.5mm、1.0mm尺寸公差：￿<±0.1mm￿￿￿￿￿厚度公差：￿<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm）抛光：单面或双面晶面定向精度：￿±0.5°￿￿￿￿￿边缘定向精度：￿2°（特殊要求可达到1°以内）￿￿￿取向：￿<100>、<110>、<111>蓝￿￿宝￿￿石蓝宝石基片联系我们地址：北京市海淀区信息路甲28号C座9层邮箱￿:￿txyzyhhotmail：15652542128：010-59453944Q￿Q：474421181谢谢欣赏。