清华大学模拟电子技术基础习题解答与答案.doc

.第一章 半导体根底知识自测题 一、〔1〕√ 〔2〕 〔3〕√ 〔4〕 〔5〕√ 〔6〕二、〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V四、UO1＝6V UO2＝5V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线六、1、UO＝UCE＝2V2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区习题1.1〔1〕A C 〔2〕A 〔3〕C 〔4〕A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏1.3ui和uo的波形如下图 1.4ui和uo的波形如下图1.5uo的波形如下图1.6ID＝〔V－UD〕/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA1.7 〔1〕两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值 〔2〕两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ1.9 〔1〕当UI＝10V时，假设UO＝UZ＝6V，那么稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿故 当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V 当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V 〔2〕29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏1.10 〔1〕S闭合 〔2〕1.11 波形如下图1.12 60℃时ICBO≈32μA1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好1.14 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。

当VBB＝1V时，T处于放大状态因为当VBB＝3V时，T处于饱和状态因为1.17 取UCES＝UBE，假设管子饱和，那么1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V 当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V因为1.19〔a〕可能 〔b〕可能 〔c〕不能 〔d〕不能，T会损坏 〔e〕可能1.20 根据方程逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS〔off〕的点连接起来，便为予夹断线1.211.22 过uDS为某一确定值〔如15V〕作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f〔uGS〕坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区1.24 〔a〕可能 〔b〕不能 〔c〕不能 〔d〕可能 2章第二章 根本放大电路自测题 一、〔1〕 〔2〕√ 〔3〕 〔4〕 〔5〕√ 〔6〕 〔7〕 二、〔a〕不能因为输入信号被VBB短路。

〔b〕可能 〔c〕不能因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真〔d〕不能晶体管将因发射结电压过大而损坏〔e〕不能因为输入信号被C2短路 〔f〕不能因为输出信号被VCC短路，恒为零 〔g〕可能 〔h〕不合理因为G-S间电压将大于零 〔i〕不能因为T截止 三、〔1〕 〔2〕四、〔1〕A 〔2〕C 〔3〕B 〔4〕B 五、〔1〕C，D E 〔2〕B 〔3〕A C D 〔4〕A B D E 〔5〕C 〔6〕B C E，A D六、习题 2.1 e b c 大 大 中 大c b c 小 大 大 小b e c 大 小 小 大2.2〔a〕将－VCC改为＋VCC 〔b〕在＋VCC 与基极之间加Rb 〔c〕将VBB反接，且加输入耦合电容 〔d〕在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。

2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V2.5〔1〕 〔2〕 〔3〕 〔4〕√ 〔5〕 〔6〕 〔7〕 〔8〕√〔9〕√ 〔10〕 〔11〕 〔12〕√2.6 〔1〕6.4V 〔2〕12V 〔3〕0.5V 〔4〕12V 〔5〕12V2.72.8〔a〕饱和失真，增大Rb，减小Rc 〔b〕截止失真，减小Rb 〔c〕同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC2.9 〔a〕截止失真 〔b〕饱和失真 〔c〕同时出现饱和失真和截止失真2.10 〔1〕〔2〕2.11 空载时，2.12 ②①②①③③②①③①③③①③③2.13〔1〕静态及动态分析：(2) Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.922.142.15 Q点： 动态：2.162.17 图略2.18 〔1〕求解Q点： 〔2〕求解电压放大倍数和输入电阻： 〔3〕 求解输出电阻：2.19 (1)(2)2.20〔a〕源极加电阻RS。

〔b〕输入端加耦合电容，漏极加电阻RD 〔c〕输入端加耦合电容 〔d〕在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD2.21 〔1〕在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD〔RD＋RS〕，与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V 〔2〕2.22 〔1〕求Q点：UGSQ＝VGG＝3V从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V 〔2〕求电压放大倍数：2.23 2.24 〔a〕 〔b〕 〔c〕NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极 〔d〕 〔e〕 〔f〕PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极 〔g〕NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极第三章 多级放大电路自测题 一、〔1〕 〔2〕√√ 〔3〕√ 〔4〕 〔5〕√ 二、〔1〕A A 〔2〕D A 〔3〕B A 〔4〕D B 〔5〕C B 三、〔1〕B D 〔2〕C 〔3〕A 〔4〕A C 〔5〕B 〔6〕C 四、〔1〕IC3＝〔UZ－UBEQ3〕/ Re3＝0.3mA IE1＝IE2＝0.15mA〔2〕减小RC2。

当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE / RC4＝0.6mA习题3.1 〔a〕共射，共基 〔b〕共射，共射 〔c〕共射，共射 〔d〕共集，共基〔e〕共源，共集 〔f〕共基，共集3.2 图〔a〕 图〔b〕 图〔c〕 图〔d〕3.3 〔1〕〔d〕〔e〕 〔2〕〔c〕〔e〕 〔3〕〔e〕3.4 图〔a〕 图〔b〕3.5 图〔c〕 图〔e〕3.63.73.83.9 〔1〕 〔2〕 △uO＝uO－UCQ1≈－1.23V3.103.11 Ad＝－gmRD＝－40 Ri＝∞3.12 Ri＝∞3.133.14 〔1〕（2） 假设Ui＝10mV，那么Uo＝1V〔有效值〕假设R3开路，那么uo＝0V假设R3短路，那么uo＝11.3V〔直流〕第五章 放大电路的频率响应自测题 一、〔1〕A 〔2〕B A 〔3〕B A 〔4〕C C二、〔1〕静态及动态分析估算： 〔2〕估算：〔3〕 〔4〕，频率特性曲线略 三、〔1〕60 103 〔2〕10 10 〔3〕习题5.1〔1〕①① 〔2〕①①①③5.2 5.35.4 〔1〕直接耦合； 〔2〕三级； 〔3〕当f＝104Hz时，φ’＝－135o；当f＝105Hz时，φ’＝－270o 。

5.5 5.6 〔1〕 〔2〕图略 5.7 图略5.8 〔1〕〔a〕 〔2〕〔c〕 〔3〕〔c〕5.9 5.10〔1〕C1〔Rs＋Ri〕＝C2〔Rc＋RL〕，C1 : C2＝5 : 1 〔2〕 5.11减小，因为在同样幅值的作用下，将减小，随之减小，必然减小fL减小，因为少了一个影响低频特性的电容 fH减小，因为会因电压放大倍数数值的减小而减小5.12 5.13 〔1〕 〔2〕 图略5.145.15 图略5.16 〔3〕折线画法，低频段有两个拐点，f＜4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频，4Hz＜f＜50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频；高频段有一个拐点，f＞105Hz时幅频特性的斜率为－40dB/十倍频5.17 〔1〕Ce 〔2〕所在回路的τ大于所在回路的τ，第二级的上限频率低5.18 在折线化幅频特性中，频率小于10H。