材料科学与技术第三部分复习资料.ppt

化合物半导体：化合物半导体： 族：族： 族：族：（锑化铟）（锑化铟） 族：族：（硫化镉），（硫化镉），（碲化锌）（碲化锌）宽禁带、大功率半导体材料宽禁带、大功率半导体材料 物性物性346 熔点熔点 2839 2700 2800 1420 禁带宽禁带宽 2.2 2.9 3.2 1.1 击穿场强击穿场强热导率热导率 4.9 4.9 5.0 1.5与的物性比较与的物性比较2021/1/42把一对原子和把一对原子和C原子看作一个原子看作一个小球小球若把第一层作为若把第一层作为A层，层，第第2层有层有B和和C两种可能，两种可能，B上的层有上的层有C和和A两种可能，两种可能，C上的层有上的层有A和和B两种可能，两种可能，2021/1/433 の積層順序の積層順序4 の積層順序の積層順序6 の積層順序の積層順序2021/1/44本征本征 原子键合与导电机制：原子键合与导电机制：电场电场每当一个电子从价带被激发到导带，便在价带中留下一个电每当一个电子从价带被激发到导带，便在价带中留下一个电子空位，子空位， 空穴空穴导带电子和价带空穴成对导带电子和价带空穴成对出现出现:导带电子导带电子:准自由电子、可在电场的作用下定向运动、准自由电子、可在电场的作用下定向运动、形成电流形成电流导带电子导带电子2021/1/45价带空穴价带空穴:电场电场等效载流子等效载流子其导电过程实质上是电场其导电过程实质上是电场的作用下价电子向空穴的的作用下价电子向空穴的跳跃过程跳跃过程等效于带正电的空穴沿与价电子相反方向的运动等效于带正电的空穴沿与价电子相反方向的运动空穴带正电量：空穴带正电量：本征半导体导电：本征半导体导电：导带电子和价带空穴的共同贡献导带电子和价带空穴的共同贡献电导率：电导率：导带电子和价带空穴的数密度。

导带电子和价带空穴的数密度导带电子导带电子2021/1/46导带电子和价带空穴的迁移率导带电子和价带空穴的迁移率通常：通常：本征半导体本征半导体:材料本征半导体基本参数本征半导体基本参数2021/1/47一、欧姆定律一、欧姆定律三、金属的电阻第三章第三章 材料的物性材料的物性第一节第一节 材料的电性质材料的电性质二、固体电子能带结构二、固体电子能带结构四、半导体四、半导体（一）本征半导体（一）本征半导体（二）非本征半导体（二）非本征半导体 — 杂质半导体杂质半导体2021/1/48（二）非本征半导体（二）非本征半导体 — 杂质半导体杂质半导体实际使用的半导体都是杂质半导体实际使用的半导体都是杂质半导体杂质半导体：对本征半导体掺杂、实现改变其电性或杂质半导体：对本征半导体掺杂、实现改变其电性或获得某种功能获得某种功能杂质半导体分类：杂质半导体分类：N型半导体和型半导体和 P型半导体（掺杂种类不同）型半导体（掺杂种类不同）1、、N型半导体型半导体5价价P原子原子束缚电子束缚电子5价原子以替位式参入本征价原子以替位式参入本征 或或 中中掺杂原子：掺杂原子：P, , 未键合电子受杂质原子的束缚很弱未键合电子受杂质原子的束缚很弱结合能：结合能：2021/1/49单晶单晶PN型半导体能带结构型半导体能带结构5价杂质原子掺入相当在导带底引入施主价杂质原子掺入相当在导带底引入施主杂质能级杂质能级杂质能级上的束缚电子很易被（热和电）激杂质能级上的束缚电子很易被（热和电）激发到导带发到导带5价杂质原子向导带提供电子价杂质原子向导带提供电子5价杂质原子：施主杂质价杂质原子：施主杂质室温下施主激发产生的电子数远大于本征激发的电子或空穴数室温下施主激发产生的电子数远大于本征激发的电子或空穴数N型半导体：电子是多数载流子；空穴是少数载流子型半导体：电子是多数载流子；空穴是少数载流子2021/1/4102、、P型半导体型半导体3价原子以替位式参入本征价原子以替位式参入本征 或或 中中掺杂原子：掺杂原子：, B, 3价原子的周围共价键缺一个电子、价原子的周围共价键缺一个电子、周围价电子很容易被激发到这个周围价电子很容易被激发到这个电子空缺上电子空缺上结合能：结合能：3价价B原子原子空位空位缺电子的位置可看作缺电子的位置可看作与杂质原子结合微弱与杂质原子结合微弱的空位。

的空位价电子向空位跳跃的过程等效于空位向价带的运动价电子向空位跳跃的过程等效于空位向价带的运动3价杂质原子：受主杂质价杂质原子：受主杂质接受来自价带的电子接受来自价带的电子2021/1/411P 型半导体能带结构型半导体能带结构3价杂质原子掺入相当在价带顶引入受主价杂质原子掺入相当在价带顶引入受主杂质能级杂质能级价带电子很易被（热和电）激发到受主价带电子很易被（热和电）激发到受主能级上能级上单晶单晶B室温下受主激发在价带中产生的空穴数远大于本征激发的电室温下受主激发在价带中产生的空穴数远大于本征激发的电子或空穴数子或空穴数P 型半导体：电子使少数载流子；空穴是多数载流子型半导体：电子使少数载流子；空穴是多数载流子等效于空位被激发到价带中、成为空穴等效于空位被激发到价带中、成为空穴2021/1/4123、半导体掺杂工艺、半导体掺杂工艺掺杂：掺杂：将微量的施主或受主杂质加入本征半导体中、使之成为将微量的施主或受主杂质加入本征半导体中、使之成为 N 或或P型型半导体的过程半导体的过程掺杂物：掺杂物：被掺入的物质被掺入的物质掺杂工艺方法：扩散法和离子注入法掺杂工艺方法：扩散法和离子注入法（（1）扩散法：气相法和预沉积、高温热处理法）扩散法：气相法和预沉积、高温热处理法 a、气相法：置硅片于、气相法：置硅片于 1000 — 1100 的扩散炉中，的扩散炉中，扩散炉中充满掺杂原子气体。

扩散炉中充满掺杂原子气体控制杂质浓度和掺杂深度的工艺参数：控制杂质浓度和掺杂深度的工艺参数：温度、时间、气相中掺杂原子浓度温度、时间、气相中掺杂原子浓度2021/1/413（（2）离子注入法：）离子注入法：b、预沉积、高温热处理法：、预沉积、高温热处理法：基板基板预沉积杂质层预沉积杂质层热处理热处理基板基板扩散层扩散层比气相法更易精确控制比气相法更易精确控制掺杂掺杂控制杂质浓度和掺杂深度的工艺参数：控制杂质浓度和掺杂深度的工艺参数：掺杂浓度和深度由温度和时间掺杂浓度和深度由温度和时间决定决定50~100电压加速杂电压加速杂质离子质离子轰击基板轰击基板轰击深度：取决于杂质原子的质量、轰击深度：取决于杂质原子的质量、基板的晶格损伤可在适当的温度下退火处基板的晶格损伤可在适当的温度下退火处理消除理消除可在室温下进行、能精确控制掺杂浓度和深度、适于集成可在室温下进行、能精确控制掺杂浓度和深度、适于集成电路制作电路制作加速电压、及基板的表面状态加速电压、及基板的表面状态杂质量由预沉积层厚度决定杂质量由预沉积层厚度决定2021/1/414五、绝缘体五、绝缘体禁带宽度大、常温下价电子不能被激发到导带、电导率低禁带宽度大、常温下价电子不能被激发到导带、电导率低绝缘材料的主要性能指标：绝缘材料的主要性能指标：电阻率、介电系数、介质损失和介电强度电阻率、介电系数、介质损失和介电强度（一）体电阻率和面电阻率（一）体电阻率和面电阻率体电阻率：表征载流子在材料体内输运时的能耗特征体电阻率：表征载流子在材料体内输运时的能耗特征面电阻率：表征载流子在材料表面或界面输运时的能耗特征面电阻率：表征载流子在材料表面或界面输运时的能耗特征测量方法：测量方法： 欧姆定律欧姆定律1、体电阻率、体电阻率A电极电极试样试样试样厚度试样厚度电极面积电极面积电极被蒸镀在试样电极被蒸镀在试样上上2021/1/4152、面电阻率、面电阻率A电极电极试样试样（（1）平行电极）平行电极电极间距，电极间距，电极长度电极长度（（2）对环状电极）对环状电极A芯电极芯电极环电极环电极试样试样2021/1/416芯电极直径芯电极直径环电极内径环电极内径绝缘材料：陶瓷、高分子聚合物绝缘材料：陶瓷、高分子聚合物制作或合成过程引入的杂质会降低材料电阻率制作或合成过程引入的杂质会降低材料电阻率影响聚合物电阻率的因素：影响聚合物电阻率的因素：未反应的单体、残留的引发剂、辅助剂及吸附的水分等未反应的单体、残留的引发剂、辅助剂及吸附的水分等潮湿空气中吸附的表面水分会使表面电阻率大幅度降低潮湿空气中吸附的表面水分会使表面电阻率大幅度降低2021/1/417（二）电介质（二）电介质隔断或减弱电场的性质隔断或减弱电场的性质介电性：介电性：金属能完全隔断电场、金属的介电性最强：金属能完全隔断电场、金属的介电性最强：绝缘体只能减弱体内的电场：绝缘体只能减弱体内的电场：电介质：电介质：用于把带电体隔离、并能长期经受强电场作用的用于把带电体隔离、并能长期经受强电场作用的绝缘材料绝缘材料电介质介电性的起因：电介质在外电场中的极化电介质介电性的起因：电介质在外电场中的极化电介质极化机制：（电介质极化机制：（1）、分子的极化；）、分子的极化；（（3)、、 空间电荷极化。

空间电荷极化2）、弛豫极化（电子、离子弛豫极化）；）、弛豫极化（电子、离子弛豫极化）；1、电介质极化、电介质极化2021/1/418(1)、分子的极化、分子的极化电介质由分子组成、在外电场的作用下分子中电荷分布发生电介质由分子组成、在外电场的作用下分子中电荷分布发生变化，变化，— 极化极化分子极化包括：分子极化包括：电子位移极化、离子位移极化，及有极分子（具有电偶极矩）电子位移极化、离子位移极化，及有极分子（具有电偶极矩）的取向极化的取向极化A、电子位移极化、电子位移极化外电场的作用下、原子中的电子相对原子核外电场的作用下、原子中的电子相对原子核发生位移：发生位移：| |电子轨道位移电子轨道位移原子正、负电中心不再原子正、负电中心不再重合重合电子轨道位移：原子中的所有电子都发生、电子轨道位移：原子中的所有电子都发生、但价电子显著、内层电子不显著但价电子显著、内层电子不显著2021/1/419电子质量小、对电场反应快电子质量小、对电场反应快电子位移极化建立时间：电子位移极化建立时间：可以跟随光频变化电可以跟随光频变化电场场原子玻尔模型原子玻尔模型电子平均极化率：电子平均极化率：原子或离子半径原子或离子半径B、离子位移极化、离子位移极化离子在外电场的作用下偏离平衡位置、相当于一离子在外电场的作用下偏离平衡位置、相当于一感生偶极矩感生偶极矩结合键被拉长结合键被拉长据经典弹性振动理论据经典弹性振动理论离子位移极化率：离子位移极化率：晶格常数；晶格常数；电子层斥力指数电子层斥力指数离子晶体离子晶体 2021/1/420C、有极分子的取向极化、有极分子的取向极化离子质量远大于电子质量，离子极化建立时间比电子的长离子质量远大于电子质量，离子极化建立时间比电子的长离子极化建立时间：离子极化建立时间：有极分子电介质在电场的作用下除电子、离子的位移极化外，有极分子将沿电有极分子电介质在电场的作用下除电子、离子的位移极化外，有极分子将沿电场方向有序化。

场方向有序化取向极化：有极分子电介质主要极化方式取向极化：有极分子电介质主要极化方式+- -+ +- -+- -+- -+ +- -+ +- -+- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -无电场无电场无电场时无电场时有极分子的取向杂乱无章，宏观有极分子的取向杂乱无章，宏观上电介质对外不显电性上电介质对外不显电性2021/1/421+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -+ +- -E0有电场有电场有外电场时有外电场时在外电场力矩作用下，偶极子（有极分在外电场力矩作用下，偶极子（有极分子）转向电场的方向，场强越强偶极子子）转向电场的方向，场强越强偶极子的取向与电场越一致的取向与电场越一致分子的热运动会破坏分子排列分子的热运动会破坏分子排列有序化有序化温度不太高、外电场不太强时，平衡状态下有极分子的温度不太高、外电场不太强时，平衡状态下有极分子的取向极化率：取向极化率：分子的固有偶极矩，分子的固有偶极矩， 常数常数取向极化的建立时间：取向极化的建立时间：较长较长2021/1/422D、分子极化总结、分子极化总结非（无）极性分子（可能存在对称的离子性结构）非（无）极性分子（可能存在对称的离子性结构）极化率：极化率：极化率：极化率：（诱导）偶极矩：（诱导）偶极矩：有极分子（可能存在对称的离子性结构）有极分子（可能存在对称的离子性结构）偶极矩：偶极矩：2021/1/423谢谢。