TP(电容式)镀膜技术要求.doc

触摸屏镀膜线成套设备技术规格一、镀膜线成套设备技术指标及功能要求：序号 指标项 技术规格要求1 安装场所最大尺寸 L29m*W7.3m*H3.5m(其中装卸区 H3m)2 工件尺寸 370mm*470mm；400mm*500mm 厚度 0.33mm—1.1mm3 生产能力 每月满足 TP sensor 产品 5 万片的生产能力4 极限真空 1.33*10-4Pa5 温度 350℃（基板表面温度）6 温度均匀性 ±5℃ 装片小车范围内所有基板7 膜层 SiO2；ITO；MOALMO 等8 靶位配置 2MF +6DC9 功率密度 视用户膜层品质可调整10 膜厚及均匀性SiO2:10～100nm ≤±7% ITO：20～200nm ≤±5%MO:20～250nm ≤±5% AL:50～250nm ≤±5%11 靶材利用率 ITO 靶材、金属靶材 ≥40%12 ITO 方块电阻 膜厚 200nm 时，基板内：＜10Ω/□13 ITO 透过率当 λ=550nm， ITO：200nm 时 基板内：≥93%，以基板为参考14 ITO 附着性 在光玻璃上成膜后，用 3M 胶带快速拉扯 300 次；附着性测试后的膜厚，电阻率，透过率变化＜5%15 溅射稳定性 异常放电出现机率小于 1%16 成膜绕射 不能绕射到基板背面17 颗粒基片架传送一次后基板内颗粒增加的情况：装载位置→腔内→卸载位置.：＜1 对于颗粒尺寸D＞20μm：＜3 对于颗粒尺寸17≦D≦20μm：＜100 对于颗粒尺寸10≦D≦17μm18 电源品牌 MF：德国霍丁格 DC：美国 AE19 真空泵 德国莱宝或日本真空，要求：不能有漏油20 等离子清洗和蚀刻 通过调节可以满足：1、基板清洁；2、蚀刻 10nm 金属膜层。

21 工控方式 日本三菱机电或德国西门子22 设备稳定性 设备连续运行 150 小时无故障23 UTT电力规格：3φ、50Ｈｚ、200V 和 380 V冷却水：压力 0.5Mpa，18℃±2℃压缩空气：0.5 ~0.7 MPa（标准）气压氮气：0.5 ~0.7 MPa（标准）气压说明：双面 ITO 钼铝钼玻璃1）、产品结构：双面玻璃 ITO 电阻 70~90Ω 正面：钼/ 铝 /钼膜层厚度：50um /250um /50um 电阻：小于 0.3Ω2）、加工玻璃基板规格：最大 1500mmx800mm、厚度 0.4mm--3.2mm 单面 ITO 钼铝钼玻璃 双面 ITO 钼铝钼玻璃二、 镀膜线成套设备验收标准编号项目 规格 测量与认证方法 说明1) 极限压力加热/传送腔、反转腔、溅射腔： ≦1.33ｘ10-4 Pa･测量工具：电离真空计 ･测试值获取条件：在室温下洁净的真空腔中,不放入样品和基板的情况下,并安装内部治具,进行12 小时连续排气后测得2） 排气速度进/出片腔：在 50 秒内从大气压抽至 26.6Pa 。

･测量工具：皮拉尼真空计 ･排气速度的测量：当充满氮气的腔回到大气压后立即进行排气3) 漏率加热/传送腔、反转腔、溅射腔：≦6.7 x 10-4Pa.m3/sec･方式：确认到达极限压力后关闭主阀，在10 分钟后测量真空腔压力.･测量工具：电离真空计 ･公式：(10 分钟后压力 – 极限压力)×VQ=10×60 秒Q：漏率 (Pa.m3/sec)V：每个腔的内容积(m3)4) 工作压力溅射腔：0.4 – 1.3 Pa･方法：氩气和氧气的 P-Q 曲线图 .･测量工具：测氩气压力用隔膜式真空计 测氧气压力用电离式真空计･P-Q 曲线图通过调节 TMP 的旋转速度，以及氩气和氧气的流量来获得1 真空要求5) 工作压力加热/传送腔、反转腔：0.4 – 1.3 Pa･方法：氩气和氧气的 P-Q 曲线图 .･测量工具：测氩气和氧气压力用电离式真空计･P-Q 曲线图通过调节氩气、氧气的流量来获得编号项目 规格 测量与认证方法 说明1 真空要求 6）腔室从大气状态到抽气完成所需的时间･测量工具：电离真空计 抽气完成：装、卸片以外的所有腔室气压需≦1.33ｘ10-3 Pa1) 膜厚：约 10～1000nm2) 膜厚均一性.基板内：≦7% 基板间：≦5% ･生产节拍：设备设计节拍.･基板温度： 160℃.･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･所用 AC 阴极：同时用 2 台･溅射压力：大约 0.5 Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点：9 点/基板×2 基片架基板･公式 基板内： (T max - T min) ( ax + in) ×10 (%) ≦ 基板间： (Tave.max – Tave.min) (ave.ax＋ ave.i) ×10 (%) ≦ Tmax:：一片玻璃上 9 点的最大值Tmin：一片玻璃上 9 点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值･测量点请见备注1。

3）SIO2 折射率λ=550nm 时，折射率＜1.462 SiO2 溅射要求4）Na+析出 44 小时水煮实验，Na+析出量≤10μg/dm 23 ITO 溅射要求1) 膜厚：约 20～200nm2) 膜厚均一性基板内：≦5% 基板间：≦5% ･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：300℃.･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･所用 ITO 阴极：同时用 2 台･溅射压力：大约 0.5 Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点：9 点/基板×2 基片架基板･公式基板内： (T max - T min) ( + i) ×10 (%) ≦ ･测量点请见备注1编号项目 规格 测量与认证方法 说明1) 膜厚：约 20～200nm2) 膜厚均一性基板内：≦5% 基板间：≦5%基板间：(Tave.max – Tave.min) (ave.ax＋ ave.i) ×10 (%) ≦ Tmax:：一片玻璃上 9 点的最大值Tmin：一片玻璃上 9 点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值3 ITO 溅射要求3) ITO 方块电阻基板内：在膜厚为 200nm 时＜10Ω/□･生产节拍： 设备设计节拍 .･基板加热温度：300℃･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･所用 ITO 阴极：同时用 2 台･溅射压力：约 0.5 Pa･测量工具： 4 端子方块电阻仪･基板：抛光玻璃･测量点：9 点/基板×2 基片架基板･测量点请见备注1。

4) ITO 透过率基板内：在膜厚为 200nm 时当 λ=550nm, ITO 200nm, ≧90%以基板为参考･生产节拍： 设备设计节拍 .･基板加热温度：300℃･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･所用 ITO 阴极：同时用 2 台･溅射压力：约 0.5 Pa･测量工具：双波长分光计･基板：抛光玻璃･测量点：9 点/基板×2 基片架基板･测量点请见备注15）ITO 附着性附着性测试后膜厚，电阻率，透过率变化率：＜5% ･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･测量工具： 3M 胶带300 次快速拉扯后脱落･基板：抛光玻璃4 Mo 溅射要求1) 膜厚：约 20～250nm2) 膜厚均一性.基板内：≦5% 基板间：≦5%･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：150℃.･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･所用 Mo 阴极：同时用 2 台･溅射压力：大约 0.5 Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点请见备注1编号项目 规格 测量与认证方法 说明1) 膜厚：约 20～250nm2) 膜厚均一性.基板内：≦5% 基板间：≦5%･测量点：9 点/基板×2 基片架基板･公式：基板内： (T max - T min) ( ax + in) ×10 (%) ≦ 基板间： (Tave.max – Tave.min) (ave.ax＋ ave.i) ×10 (%) ≦ Tmax:：一片玻璃片上 9 点的最大值。

Tmin：一片玻璃片上 9 点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值･测量点请见备注14 Mo 溅射要求3）百目测试 百目后使用 3M-610 胶带黏贴后无脱落测试基板：ITO 玻璃和白玻璃两种5 Al 溅射要求1) 膜厚：约 50～250nm2) 膜厚均一性.基板内：≦5% 基板间：≦5%･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：150℃.･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･所用 Al 阴极：同时用 2 台･溅射压力：大约 0.5 Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点 : 9 点/基板×2 基片架基板･公式：基板内： (T max - T min) ( ax + in) ×10 (%) ≦ 基板间： (Tave.max – Tave.min) (ave.ax＋ ave.i) ×10 (%) ≦ Tmax:：一片玻璃片上 9 点的最大值Tmin：一片玻璃片上 9 点的最小值･测量点请见备注1Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值3）百目测试 百目后使用 3M-610 胶带黏贴后无脱落基板：ITO 玻璃和白玻璃两种编号项目 规格 测量与认证方法 说明6 加热要求 1) 1st 溅射腔: 160℃±5℃SiO2 成膜前2) 2nd 溅射腔: 350℃±5℃ITO 成膜前3) 3rd 溅射腔: 150℃±5℃Mo&Al 成膜前测量范围：装片小车范围内所有基板･生产节拍： 设备设计节拍 .･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･测量工具：温度测量器 ･基板：抛光玻璃･测量点： 3 点 /基片･加热条件由设备生产厂家选择。

･测量点请见备注2所有加热器规格一样，需保证玻璃基片表面温度可以达到 350℃7 ITO 与金属靶材利用率1)靶材利用率：≧45% wt(重量效率)在靶材耗尽时的利用率･公式：重量效率 = (含新靶材的 B.P 重量－含残靶材的B.P.)÷最初靶材重量 ×(靶材厚度÷残靶材的最大腐蚀深度)8 颗粒 1) 传送颗粒基片架传送一次后基板内颗粒增加的情况：装载位置→腔内→卸载位置.：＜1 对于颗粒尺寸D＞20μm：＜3 对于颗粒尺寸17≦D≦20μm：＜100 对于颗粒尺寸10≦D≦17μm･生产节拍：设备设计节拍.･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)･测量工具：激光计数器･基板：抛光玻璃･方程：颗粒的增加 = 腔内传送前后基板的颗粒平均值的差值 (一台基片架) 9 SiO2 镀膜稳定性1） 膜稳定性：异常放电出现机率小于 1%10 SiO2 绕射 1） 绕射程度正面镀 SIO2 膜(50nm)时,背面不能出现绕射现象･检验方法：背面涂正性胶，经过溅射后，再把正型胶剥膜，看是否有正型胶残留来判断11 设备可靠性 1）可靠性测试：＞150 小时无故障2) 膜质缺陷率：可靠性测试时特性数据（膜厚分布、方块电阻、透过率/反射率）变化＜5% ･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：实际工艺条件･基板尺寸： 400×500×0.7 (mm)编号项目 规格 测量与认证方法 说明12 手动操作 每种模式的功能检查 ･手动操作检查各部件的操作正常无误.13 自动操作 每种模式的功能检查 ･检查各种模式的操作正常无误.14 互锁机构 互锁机构检查 ･检查手动和自动操作中的互锁机构.･检查每个报警电路。