晶振电路原理.pdf

晶振震荡电路原理介绍晶振震荡电路原理介绍 晶体振荡器， 简称晶振 在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电 容的二端网络， 电工学上这个网络有两个谐振点， 以频率的高低分其中较低的频率是串联谐 振，较高的频率是并联谐振由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这 个极窄的频率范围内， 晶振等效为一个电感， 所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会 组成并联谐振电路这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路， 由于晶振等效为电感的频率范围很窄， 所以即使其他元件的参数变化很大， 这个振荡器的频 率也不会有很大的变化 晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可 以得到晶振标称的谐振频率 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器 （注意是放大器不是反相器） 的两端接入晶 振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容 量值就应该等于负载电容，请注意一般 IC 的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略 一般的晶振的负载电容为 15p 或 12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两 个 22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。

晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型无源晶振与有源晶振（谐振）的英文 名称不同，无源晶振为 crystal（晶体），而有源晶振则叫做 oscillator（振荡器）无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并 不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器 谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC 谐振器等 晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器 石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片 的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相 应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应如在极板间所加的是交变电压，就会产生机 械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电场一般来说，这种机械振动的振幅是比较 小的，其振动频率则是很稳定的但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片 的尺寸）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为压电谐振，因此石英晶体又称 为石英晶体谐振器 其特点是频率稳定度很高 石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。

石英晶体振 荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置 IC 来共 同作用来工作的振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供 3.3V 电压来维持 工作振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求 RR 的大小直接影响电路的性能，也是各商家竞争的一个重要参数 概述 微控制器的时钟源可以分为两类： 基于机械谐振器件的时钟源， 如晶振、 陶瓷谐振槽路； 基于相移电路的时钟源，如：RC (电阻、电容)振荡器硅振荡器通常是完全集成的 RC 振 荡器，为了提高稳定性，包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等图 1 给出了两种 时钟源图 1 给出了两个分立的振荡器电路，其中图 1a 为皮尔斯振荡器配置，用于机械式 谐振器件，如晶振和陶瓷谐振槽路图 1b 为简单的 RC 反馈振荡器 机械式谐振器与 RC 振荡器的主要区别 基于晶振与陶瓷谐振槽路(机械式)的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温 度系数相对而言，RC 振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电 源电压范围内精度较差， 会在标称输出频率的 5%至 50%范围内变化。

图 1 所示的电路能产 生可靠的时钟信号， 但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响 需认 真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局 在使用时， 陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必 须根据特定的逻辑系列进行优化具有高 Q 值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱 动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰(EMI)、 机械震动与冲击、湿度和温度这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有 些情况下，还会造成振荡器停振 振荡器模块 上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免 这些模块自带振荡器、 提供低阻方波 输出，并且能够在一定条件下保证运行最常用的两种类型是晶振模块和集成硅振荡器晶 振模块提供与分立晶振相同的精度硅振荡器的精度要比分立 RC 振荡器高，多数情况下能 够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度 功耗 选择振荡器时还需要考虑功耗 分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电 路内部的电容值所决定CMOS 放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容 值比如，HC04 反相器门电路的功率耗散电容值是 90pF在 4MHz、5V 电源下工作时， 相当于 1.8mA 的电源电流。

再加上 20pF 的晶振负载电容，整个电源电流为 2.2mA 陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流 相比之下，晶振模块一般需要电源电流为 10mA 至 60mA 硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可 编程器件的几个毫安一种低功率的硅振荡器，如 MAX7375，工作在 4MHz 时只需不到 2 mA 的电流 结论 在特定的微控制器应用中， 选择最佳的时钟源需要综合考虑以下一些因素： 精度、 成本、 功耗以及环境需求下表给出了几种常用的振荡器类型，并分析了各自的优缺点 晶振的基本原理及特性晶振的基本原理及特性 晶振一般采用如图 1a 的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路； 实际的晶振交流等效 电路如图 1b， 其中 Cv 是用来调节振荡频率， 一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现， 这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图 1c其中 Co，C1，L1，RR 是 晶体的等效电路 分析整个振荡槽路可知，利用 Cv 来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容 C=Cbe,Cce,Cv 三个电容串联后和 Co 并联再和 C1 串联。

可以看出：C1 越小，Co 越大，Cv 变化时对整个槽路电容的作用就越小因而能“压控”的频率范围也越小实际上，由于 C1 很小(1E-15 量级)，Co 不能忽略(1E-12 量级，几 PF)所以，Cv 变大时，降低槽路频率的 作用越来越小，Cv 变小时，升高槽路频率的作用却越来越大这一方面引起压控特性的非 线性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe 上的电压)却 越来越小，最后导致停振 采用泛音次数越高的晶振，其等效电容 C1 就越小；因此频率的变化范围也就越小 晶振的指标 总频差： 在规定的时间内， 由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器 频率与给定标称频率的最大偏差 说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载 特性等共同造成的最大频差 一般只在对短期频率稳定度关心， 而对其他频率稳定度指标不 严格要求的场合采用例如：精密制导雷达 频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不同而已一个晶振的输出频率随 时间变化的曲线如图 2图中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳 曲线 1 是用 0.1 秒测量一次的情况，表现了晶振的短稳；曲线 3 是用 100 秒测量一次 的情况，表现了晶振的漂移；曲线 4 是用 1 天一次测量的情况。

表现了晶振的老化 频率温度稳定度： 在标称电源和负载下， 工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或 带隐含基准温度的最大允许频偏 ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin) ftref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜] ft：频率温度稳定度(不带隐含基准温度) ftref：频率温度稳定度(带隐含基准温度) fmax ：规定温度范围内测得的最高频率 fmin：规定温度范围内测得的最低频率 fref：规定基准温度测得的频率 说明：采用 ftref 指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用 ft 指标的晶体振荡器,故 ftre f 指标的晶体振荡器售价较高 开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间(如 5 分钟)的频率到开机后另一段 时间(如 1 小时)的频率的变化率表示了晶振达到稳定的速度这指标对经常开关的仪器如 频率计等很有用 说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频 繁的开机和关机， 这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到 （尤其是对于在苛刻环境中使用 的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用 OCXO 作为本振， 频率稳定预热时间将不少于 5 分钟，而采用 MCXO 只需要十几秒钟)。

频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系 这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的， 因此， 其频率偏移的 速率叫老化率，可用规定时限后的最大变化率（如±10ppb/天，加电 72 小时后），或规定 的时限内最大的总频率变化（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来表示 晶体老化是因为在生产晶体的时候存在应力、 污染物、 残留气体、 结构工艺缺陷等问题 应力要经过一段时间的变化才能稳定，一种叫“应力补偿”的晶体切割方法（SC 切割法）使 晶体有较好的特性 污染物和残留气体的分子会沉积在晶体片上或使晶体电极氧化， 振荡频率越高， 所用的 晶体片就越薄，这种影响就越厉害这种影响要经过一段较长的时间才能逐渐稳定，而且这 种稳定随着温度或工作状态的变化会有反复——使污染物在晶体表面再度集中或分散因 此，频率低的晶振比频率高的晶振、工作时间长的晶振比工作时间短的晶振、连续工作的晶 振比断续工作的晶振的老化率要好 说明：TCXO 的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十 年）（除特殊情况，TCXO 很少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下， 温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化， 因此这个指标 失去了实际的意义）。

OCXO 的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电 72 小时后）， ±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年） 短稳：短期稳定度，观察的时间为 1 毫秒、10 毫秒、100 毫秒、1 秒、10 秒 晶振的输出频率受到内部电路的影响(晶体的 Q 值、元器件的噪音、电路的稳定性、工 作状态等)而产生频谱很宽的不稳定测量一连串的频率值后，用阿伦方程计算相位噪音 也同样可以反映短稳的情况(要有专用仪器测量) 重现性：定义：晶振经长时间工作稳定后关机，停机一段时间 t1(如 24 小时)，开机一 段时间 t2(如 4 小时)，测得频率 f1，再停机同一段时间 t1，再开机同一段时间 t2，测得频 率 f2重现性=(f2-f1)/f2 频率压控范围： 将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压， 晶体振荡器频率的最 小峰值改变量 说明：基准电压为＋2.5V，规定终点电压为＋0.5V 和＋4.5V，压控晶体振荡器在＋0.5 V 频率控制电压时频率改变量为-2ppm， 在＋4.5V 频率控制电压时频率改变量为＋2.1ppm， 则 VCXO 电压控制频率压控范围表示为：≥±2ppm(2.5V±2V)，斜率为正，线性为+2.4%。