NF4 BIOS Memory 操作指南.doc

如何进一步理解 ”时间参数” 怎样影响记忆性能， 你应该了解有关现代随机存取储存器(RAM)的一切 "RAM Timming"下面的图表将给你它怎样工作的概述 AMD A64 CPU 包含了记忆控制单元，控制单元地址可以正确的存取 内存 芯片 而此控制单元是透过列和排的寻址找到每个交叉点即代表一个记忆数据 最佳化时间参数将加速进入内存的过程 存储器控制器首先确定它打算处理的储存数据的 Row 地址，定 Row 地址所花费的时间称为tRCD； 接下来定 Column 地址所发费的时间称为 tCL 在等待 tRAS 和 tRP 之后即完成一个地址的数据储存，然后重复以上过程就可以完成资料的存取 这是来自 Corsair 的一个 RAM 的多媒体解释︰ 以下是一个非常简短的解释 在你开始之前，这里是一张我制作用以帮助你超频(或只是在 nF4 主机板上稳定?#092;作的设定)的空白窗体， 这窗体应该可以适用在 nF4 的所有版本，这个点子是从 masterwoot 那得来的，我修改并制作一个更新的版本，谢谢 masterwood! 如果要用 IE 浏览器顺利印出此窗体，请将页面设定为左右两边的留白区为 0.5 吋 在你打印前----请设定为画像模式，计算机可能需要几秒钟的时间做存取… NF4 Memory & Voltages Bios Settings Chart Additional Information on TCCD A great Guide for TCCD memory only: Kakaroto's TCCD Memory Guide NForce4 系列产品 内存最佳化设定指南 : Dram Frequency Set(Mhz) Settings = 100(Mhz)(1/02), 120(Mhz)(3/05), 133(Mhz)(2/03), 140(Mhz)(7/10), 150(Mhz)(3/04), 166(Mhz)(5/06), 180(Mhz)(9/10), 200(Mhz)(1/01) 这是你的 “Divider” 设定-----大部份的用户主张 FSB 与 Memclock 以同步(1:1)的方式执行，通常使用此方式 ”超频” 将会得到最好的效能(必须拥有较强的 RAM)，但是有另外一种方式可以允许你使用较弱的 RAM 然后得到更高的 CPU 超频，称之为异步处理，此时内存频率(memclock)必须透过一个分配器计算你的记忆速度。

例如 1/01 的比率(同步) ----内存频率(Memclock)简单公式 ：(HTT)x 2 FSB，如果 FSB(HTT)跑 240MHz 则 DDR 速度实际上将是 DDR480 以下表格是异步处理时，以分配器计算 Memclock 的实例： 关于频宽的大影响 ----如果使用更便宜的 RAM，在 1︰1 设定时能用来提供稳定性 我们建议值为︰ 200MHz(1/01) Command Per Clock(CPC) Settings: Auto, Enable(1T), Disable(2T) Command Per Clock(CPC)也称之为 Command Rate. 系统在搭配 2 支 512MB 的内存时最好将 CPC 设定为 Disable(2T)才能得到比较好的稳定性，而 CPC 的设定值对于 效能/ 稳定性 影响很大 CPC 的设定特征是允许你在单一数据存取的延迟选择，信号在内存控制器开始把命令送到内存的时间 设定值愈低记忆控制单元能送到外部内存的命令就越快 当 CPC 设定为 Enable 时，记忆控制器读写一次数据花费一个频率周期或者 1T 的命令延迟 当 CPC 设定为 Disable 时，记忆控制器读写一次数据发费两个时钟周期或者 2T 的命令延迟。

设定为 Auto 时允许记忆控制单元命令延迟使用记忆模件的 SPD 内定值 如果 SDRAM 命令延迟太长，内存存取将会因等待发布命令的时间太长而降低效能 但是， 如果 SDRAM 命令延迟太短， 记忆控制器来不及翻译地址及存取结果将引起数据损失和无效命令 我们在此建议你为了更好的内存效能，试着将SDRAM 1T 的指令设为 enable. 但是如果你面临稳定性问题，则必须将 SDRAM 1T 的指令设定为 Disable 2T我们 建议设定︰ 每当内存够强，使 1T 成为可能 CAS Latency Control(tCL) Settings = Auto, 1, 1.5, 2, 2.5 3, 3.5, 4, 4.5. 这是随机存起内存公司第一个会拿来做评比的时间参数， 例如，你可能看见 RAM 被评为 3-4-4 -8 @ 275mhz第一的设定值 3，如被评为 2 产生最好的性能，CAS 3 通常能提供较好的稳定性 请注意； 如果你有 Winbond-BH 5/6，你可能无法使用 CAS3 数据来自于右列地址的 CAS 控制时间的数量( 在收到命令并且按照那命令执行之间循环(2，2.5，和 3)里。

自从 CAS 主要控制 16 进位的地址的位置， 或是记忆区段，在存储矩阵内，最重要的是将此时间参数尽可能的设低来让系统能在稳定的情况下接受这样的设定， 在存储矩阵里面有行和列 当请求是时，首先透过电子设定在内存内的某个点，第一个引发的响应是 tRAS(启动为 Precharge 延迟) 透过电子请求的数据是 precharge，并且实际上去启动 RAS 存储器为开启状态 一旦 tRAS 为开启的，RAS，或者行地址观测器开始为被要求的数据找到地址的一半 一旦行被建立， tRCD 被起动，循环结束， 然后确实的 16 位位置上的被要求数据将会透过 CAS 来存取 CAS 从开始到结束的时间被称为 CAS latency 既然 CAS 是找出正确数据的最后依个阶段，所以它也是内存最重要的计时步骤 这个 BIOS 在 CAS 信号的维护与来自目标存储组件的可用性数据之间，具有控制延迟(在时钟周期里)的能力 它也决定了完成第一步骤爆发转换的频率循环周期数 换句话说， CAS latency 越低，内存读写的速度就会越快 请注意一些内存模块可能无法处理更低的latency 并且可能遗失数据数据。

因此， 当推荐你把 SDRAM CAS 潜伏时间降低到 2 或者 2.5 个更好的记忆性能的时钟周期时， 如果你的系统变得不稳定，你应该增加它 有趣的是，增加 CAS 潜伏时间经常允许内存模块以更高的频率?#092;转 所以，如果你在超频时遇到意外困难，试着增加 CAS 潜伏时间 频宽的些微影响/ 稳定度的大影响我们 建议设定︰ 1.5，2，2.5，和 3设定值小 = 效能高) RAS# to CAS# Delay(tRCD) Settings = Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7. 这是大多数随机存取内存公司会拿来做评比的第二个时间参数 例如，你可能看见 ram 被评比为 3-4-4-8@275mhz 这里的第 1 个 4，在那种情形 这个 BIOS 具备的功能允许你去设定在 RAS 和 CAS 信号之间的延迟 你的记忆器模块的适当延迟被反映在它时间参数的评价 在JEDEC 的规格里，这是在 3 或者 4 个数列的第 2 位数 因为这次延迟发生每当排被更新或者一个新排被开动时，降低延迟改进性能因此，推荐你把延迟降低到 3 或者更好的记忆性能 2 请注意如果你使用对于你的内存模块来说太低的价值，这有可能引起系统的不稳定。

如果你的系统在降低 RAS 对 CAS 的延迟之后变得不稳定，你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟 有趣的是，增加 RAS 对 CAS 的延迟可以允许内存模块以更高的频率?#092;转 因此，如果你遇到意外困难超频 你 SDRAM 模件，你可以试着增加 RAS 对 CAS 的延迟 关于频宽的影响大/ 稳定性 为我们 建议底座︰ 2-5 ----2 产生最好性能，和 4-5 产生最好超频(5 通常过度杀伤) 通常便宜的 RAM 将不能使用 2，并且达到他们的最大的 OC (设定值小 = 效能高) Min RAS# Active Timing(tRAS) Settings = Auto, 00, 01, 02, 03, 04, 05, 06, 07, 08, 09, 10, 11, 12, 13, 14, 15. 这是大多数随机存取内存公司会拿来做评比的第 4 个时间参数例如，你可能看见 ram 被评比为 3-4-4 -8 @ 275mhz 这里指的是这个 8，在那种情形 他的 BIOS 控制记忆空间的最小排活跃的时间(tRAS) 开动直到时间，这形成一排是的时间相同的排可能被解散。

如果 tRAS 时期过长，它会因非必要停用活跃的记忆排而降低表现 降低 tRAS 时期允许活跃的排被更早停用 不过，如果 tRAS 时间太短，可能没有足够时间完成爆发转移 此降低性能表现而且数据可能遗失或失真 为了性能最佳化，使用你能用的最低的值 通常，这应该是 CAS 潜伏+ tRCD + 2 个时钟周期 例如， 如果你把 CAS 潜伏设为 2 个频率周期同时 tRCD 到 3 个频率周期，最佳 tRAS 价将是 7 个时钟周期 如果你开始得到记忆错误或者系统崩溃，一次增加 tRAS 一个频率周期直到你的系统变得稳定 在整个网络上呈现出来这是一很有争议的时间参数 一些可以表明 00，05，或者 10 是更快 /非常稳定的 对这个问题来说或许没有一个正确答案，它全部取决于你的 ram 你通常最需要一好的起点，通常如果/ 全部 ram 能够在 10 tRAS 时能达到他们的最大的 OC， 即使其中之一的设定是更快的 关于带宽/ 稳定的轻微的影响 为我们 建议底座︰ 建议你只使用 00，和 5-10 我开始 8 并且从那里嬉戏 (设定值小 = 效能高 ) 对频宽与稳定性有些微的影响 Row Precharge Timing(tRP) Settings = Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 这是大多数随机存取内存公司会拿来做评比的第 3 个时间参数。

例如，你可能看见 ram 被评比在 3-4-4 -8 @ 275mhz 这是第 2 个 4，在那种情形下 他的 BIOS 具备有对相同的 DDR 设备指定在连续的活动指令之间的最小时间 更短的延迟，下一个储存排可能被更快速的启动来做读或写 不过，因为内存的排被启动需要很多电流，使用短的延迟可能引起过度的电流激增 对桌上型计算机来说，建议一次延迟 2 个循环，因为电流激增其实不是重要的 使用更短的 2 次循环延迟的性能好处大过负面的影响 更短的延迟表明一切一个接一个的内存活动将带得较短一个频率周期做秀 这改进 DDR 设备读与写性能 只有当有 2 个循环的稳定问题时，才转换 3 个循环 关于带宽/ 稳定的大的影响 为我们 建议底座︰ 2-4 ----2 产生最好性能，和 4-5 产量 over clocking(5 通常重复击中)什么时候的最好稳定 许多 RAM 将不能使用 2，并且达到他们的最大的 OC (设定值小 = 效能高) Row Cycle Time(tRC) Settings = Auto, 7-22 in 1.0 increments. 他的 BIOS 具有控制记忆模块的排周期或者 tRC。

从储存排起动到预先执行，储存排的周期取决于一储存排完成整个循环的最小频率周期数， 和公式有关，排周期(tRC)。