三极管电路的基本分析方法演示文稿.ppt

三极管电路的基本分析方法演示文稿1页，共25页，星期三引言引言基本思想基本思想三极管非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠三极管非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分加定理，分别分析电路中的交、直流成分一、分析三极管电路的基本思想和方法一、分析三极管电路的基本思想和方法第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管三极管三极管电路的电路的基本分基本分析方法析方法直流分析（静态直流分析（静态分析）分析）确定电路的直确定电路的直流工作点（静流工作点（静态工作点）态工作点）分析方法：分析方法：1、画直流通路、画直流通路2、图解分析法或工程、图解分析法或工程 近似分析法近似分析法交流分析（动态交流分析（动态分析）分析）确定电路交、确定电路交、直流工作情况直流工作情况分析方法：分析方法：1、画交流通路、画交流通路2、大信号时：图解分、大信号时：图解分 析法析法 小信号时：等效电小信号时：等效电 路法路法2页，共25页，星期三画交流通路原则：画交流通路原则：1. 固定不变的电压源都视为短路；固定不变的电压源都视为短路；2. 固定不变的电流源都视为开路；固定不变的电流源都视为开路；3. 视电容对交流信号短路视电容对交流信号短路画直流通路原则：画直流通路原则：1. 固定不变的电压源保留不变；固定不变的电压源保留不变；2. 固定不变的电流源保留不变；固定不变的电流源保留不变；3. 视电容对直流信号开路视电容对直流信号开路3页，共25页，星期三。

基本方法基本方法图解法：图解法：在在输输入入、输输出出特特性性图图上上画画交交、直直流流负负载载线线，求求静静态态工作点工作点“Q”，分析动态波形及失真等分析动态波形及失真等解析法：解析法：根据发射结导通压降估算根据发射结导通压降估算“Q”用小信号等效电路法分析计算电路动态参数用小信号等效电路法分析计算电路动态参数第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管4页，共25页，星期三二、电量的符号表示规则二、电量的符号表示规则AAA大写表示电量与时间无关大写表示电量与时间无关( (直流、平均值、有效值直流、平均值、有效值) )；A小写表示电量随时间变化小写表示电量随时间变化( (瞬时值瞬时值) )大写表示直流量或总电量大写表示直流量或总电量( (总最大值，总瞬时值总最大值，总瞬时值) )；小写表示交流分量小写表示交流分量总瞬时值总瞬时值直流量直流量交流瞬时值交流瞬时值交流有效值交流有效值直流量往往在下标中加注直流量往往在下标中加注 QA 主要符号；主要符号； A 下标符号下标符号tuOuBE = UBE + ube第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管5页，共25页，星期三。

2.3.1 直流分析直流分析一、图解分析法一、图解分析法+RBRC+uCE+ uBE +VCCVBB3 V5 ViBiC输入直流负载线方程：输入直流负载线方程：uCE = VCC iC RCuBE = VBB iBRB输出直流负载线方程：输出直流负载线方程：输入回路图解输入回路图解QuBE/ViB/ A静态工作点静态工作点VBBVBB/RB115 k UBEQIBQ0.720输出回路图解输出回路图解uCE/ViC/mAVCCVCC/RCO1 k Q23UCEQICQOiB = 20 A第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管在三极管的特性曲线上用作图的方法求得电路中各在三极管的特性曲线上用作图的方法求得电路中各直流电流、电压量的方法直流电流、电压量的方法令令iB0，则，则uBE=VBB，得到，得到A点点A令令uBE0，则，则iBVBB/RB=26uA,得到得到B点点B连接连接A、B为直线，与输入特性曲线的交为直线，与输入特性曲线的交点点Q为静态工作点由为静态工作点由Q点横纵坐标点横纵坐标确定确定UBEQ0.7V，IBQ20uA令令iC0，则，则uCE=VCC=5V，得到，得到M点点M令令uCE0，则，则iCVCC/RC=5mA,得到得到N点点连接连接M、N为直线，与为直线，与iB20uA的曲线的曲线交点交点Q为静态工作点。

由为静态工作点由Q点横纵坐标点横纵坐标确定确定UCEQ3V，ICQ2mAN6页，共25页，星期三二、工程近似分析法二、工程近似分析法+RBRC+uCE+ uBE +VCCVBB3 V5 ViBiC115 k 1 k = 100第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管 要么已知，要么由输出要么已知，要么由输出特性曲线求得特性曲线求得7页，共25页，星期三三、电路参数对静态工作点的影响三、电路参数对静态工作点的影响1. 改变改变 RB，其他参数不变，其他参数不变uBEiBuCEiCVCCVBBVBBRBR B iB Q 趋近截止区；趋近截止区；R B iB Q 趋近饱和区趋近饱和区2. 改变改变 RC ，其他参数不变，其他参数不变RC Q 趋近饱和区趋近饱和区iCuBEiBuCEVCCUCEQICQVCCRC第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管8页，共25页，星期三iC 0iC = VCC /RC例例 2.3.1 设设 RB = 38 k ，求求 VBB = 0 V、3 V 时的时的 iC、uCERBRC+uCE+ uBE +VCCVBB3V5ViBiC1 k 解解 uCE/ViC/mAiB= 010 A20 A30 A40 A50 A60 A41O235当当VBB= 0 V：iB 0，iC 0，5 VuCE 5 V当当VBB = 3 V：0.3uCE 0.3 V 0，iC 5 mA三极管的开关等效电路三极管的开关等效电路截止截止状态状态SBCEVCC+ RCRBiB 0uCE 5ViB饱和饱和状态状态uCE 0判断是否饱和判断是否饱和临界饱和电流临界饱和电流 ICS和和IBS ：iB IBS，则三极管饱和。

则三极管饱和第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管9页，共25页，星期三例例 2.3.2 耗耗尽尽型型 N 沟沟道道 MOS 管管，RG = 1 M ，RS = 2 k ，RD= 12 k ，VDD = 20 VIDSS = 4 mA，UGS( (off) ) = 4 V，求，求 iD 和和 uO iG = 0 uGS = iDRSiD1= 4 mAiD2= 1 mAuGS = 8 V Ibm OQibOttOuBE/ViBuBE/ViBui uCEiCict OOiCOtuCEQuce交流负载线交流负载线非线性失真非线性失真第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管17页，共25页，星期三2. “Q”过高引起饱和失真过高引起饱和失真ICS集电极临界集电极临界饱和电流饱和电流NPN 管：管：底部失真为饱和失真底部失真为饱和失真PNP 管：管：顶部失真为饱和失真顶部失真为饱和失真IBS 基极临界饱和电流基极临界饱和电流不接负载时，交、直流负载线重合，不接负载时，交、直流负载线重合，V CC= VCC不发生饱和失真的条件：不发生饱和失真的条件： IBQ + I bm IBSuCEiCt OOiCO tuCEQV CC第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管18页，共25页，星期三。

饱和失真的本质：饱和失真的本质：负载开路时：负载开路时：接负载时：接负载时：受受 RC 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能超过 VCC/RC 受受 R L 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能超过 V CC/R L C1+ RCRB+VCCC2RL+uo +iBiCVui( (R L= RC / RL) )第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管19页，共25页，星期三选择工作点的原则：选择工作点的原则：当当 ui 较较小小时时，为为减减少少功功耗耗和和噪噪声声，“Q” 可可设设得得低低一一些；些；为提高电压放大倍数，为提高电压放大倍数，“Q”可以设得高一些；可以设得高一些；为获得最大输出，为获得最大输出，“Q” 可设在交流负载线中点可设在交流负载线中点第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管20页，共25页，星期三二、小信号等效分析法二、小信号等效分析法( (微变等效电路法微变等效电路法) )1. 晶体三极管电路小信号等效电路分析法晶体三极管电路小信号等效电路分析法三极管电路三极管电路可当成双口可当成双口网络来分析网络来分析( (1) ) 晶体三极管晶体三极管 H ( (Hybrid) )参数小信号模型参数小信号模型从输入端口看进去，相当于电阻从输入端口看进去，相当于电阻 rberbe Hie从输出端口看进去为一个受从输出端口看进去为一个受 ib 控制的电流源控制的电流源 ic = ib ， Hfe+uce+ube ibicCBErbe Eibic ib+ube +uce BCrbb 三极管基区体电阻三极管基区体电阻第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管 当输入交流信号很小时，可将静态工作点当输入交流信号很小时，可将静态工作点Q附近一段曲线当作直线，附近一段曲线当作直线，因此，当因此，当uCE为常数时，输入电压的变化量为常数时，输入电压的变化量u uBEBE（即交流量（即交流量u ubebe）与输入）与输入电流的变化量电流的变化量iB（即交流量（即交流量ib）之比是一个常数，可用符号）之比是一个常数，可用符号rbe表示。

表示 rbe称为三极管输出端交流短路时的输入电阻，常用称为三极管输出端交流短路时的输入电阻，常用Hie表示三极管三极管CE之间可用输出电流为之间可用输出电流为 ib 的电流源表示 是三极管输出端交流短是三极管输出端交流短路时的电流放大系数，常用路时的电流放大系数，常用Hfe表示21页，共25页，星期三 (2) ) 晶体三极管电路交流分析晶体三极管电路交流分析步骤：步骤： 分析直流电路，求出分析直流电路，求出“Q”，计算，计算 rbe 画电路的交流通路画电路的交流通路 在交流通路上把三极管画成在交流通路上把三极管画成 H 参数模型参数模型 分析计算叠加在分析计算叠加在“Q”点上的各极交流量点上的各极交流量微变等效电路的画法微变等效电路的画法第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管22页，共25页，星期三例例 2.3.4 = 100，uS = 10sin t (mV)，求，求叠加在叠加在“Q” 点上点上的各交流量的各交流量uo + iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+ + RS+uCE +uBE 12 V12 V510470 k 2.7 k 3.6 k 解解 令令 ui = 0(即即uS为为0)，求静态电流，求静态电流 IBQ 求求“Q”，计算，计算 rbeICQ = IBQ = 2.4 mAUCEQ = 12 2.4 2.7 = 5.5 (V)第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管23页，共25页，星期三。

交流通路交流通路+uo + iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+ + RS+uCE +uBE ubeuce 小信号等效小信号等效+uo + RBRLRSrbe Eibic ibBCusRC+ube 分析各极交流量分析各极交流量 分析各极总电量分析各极总电量uBE = (0.7 + 0.0072sin t )ViB = (24 + 5.5sin t) AiC = ( 2.4 + 0.55sin t ) mAuCE = ( 5.5 0.85sin t ) V第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管24页，共25页，星期三2. 场效应管电路小信号等效电路分析法场效应管电路小信号等效电路分析法小信号模型小信号模型rgs Sidgmugs+ugs +uds GD从输入端口看入，相当于电阻从输入端口看入，相当。