DDR的电源.pdf

以前在DDR硬件电路设计过程中，关于DDR的电源设计部分存在着不合理的部分，下面简单介绍一下DDR的电源： DDR的电源可以分为三类： （1）主电源VDD和VDDQ， 主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可 电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等 电源电压的要求一般在±5%以内 电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算由于 DDR 的电流一般都比较大，所以 PCB 设计时，如果有一个完整的电源平面铺到管脚上，是最理想的状态，并且在电源入口加大电容储能，每个管脚上加一个10nF~100nF的小电容滤波 （2）参考电源Vref， 参考电源Vref要求跟随VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用电源芯片提供，也可以采用电阻分压的方式得到由于Vref一般电流较小，在几个 mA~几十mA的数量级，所以用电阻分压的方式，即节约成本，又能在布局上比较灵活，放置的离Vref管脚比较近，紧密的跟随VDDQ电压，所以建议使用此种方式。

需要注意分压用的电阻在100~10K均可，需要使用1%精度的电阻 Vref参考电压的每个管脚上需要加10nF的电容滤波，并且每个分压电阻上也并联一个电容较好 （3）用于匹配的电压VTT(Tracking Termination Voltage) VTT为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2DDR的设计中，根据拓扑结构的不同，有的设计使用不到VTT，如控制器带的DDR器件比较少的情况下如果使用VTT，则VTT的电流要求是比较大的，所以需要走线使用铜皮铺过去并且VTT要求电源即可以提供电流，又可以灌电流（吸电流）一般情况下可以使用专门为 DDR 设计的产生 VTT 的电源芯片来满足要求（曾经使用过程中用了简单的线性稳压器也没发现出现什么问题，这种方式还是不建议的！） 而且，每个拉到VTT的电阻旁一般放一个10nF~100nF的电容，整个VTT电路上需要有uF级大电容进行储能 一般情况下，DDR的数据线都是一驱一的拓扑结构，且DDR2和DDR3内部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到较好的信号质量而地址和控制信号线如果是多负载的情况下，会有一驱多，并且内部没有ODT，其拓扑结构为走T点的结构，所以常常需要使用VTT进行信号质量的匹配控制。

从上面简单的介绍可以看到，用来匹配的电源 VTT 是需要 SINK/SOURCE 的，这就和我介绍的题目扯上关系啦，现在我们的工业级产品中全部使用 TI的TPS51200，电路简单实用，低成本，详细的介绍还是多参考一下TPS51200的datasheet 下面图片是在相关设计的示例，仅供参考。