微电子器件刘刚前三章课后答案.docx

课后习题答案1.1为什么经典物理无法准确描述电子的状态在量子力学中又是 用什么方法来描述的解：在经典物理中，粒子和波是被区分的然而，电子和光子是 微观粒子，具有波粒二象性因此，经典物理无法准确描述电子 的状态在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率和波矢k建立联系的，即E hh '「p ——n k c上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率和波矢k O量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律解：波函数 是空间和时间的复函数与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布， 是一种几率波如果用 r,t表示粒子的德布洛意波的振幅，以r,t|2 r,t r,t表示波的强度，那么，t时刻在r附近的小体积元x y z中检测到粒子的概率正比于r,tx y zo试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差 异 导伟fa）翱绛体 （b）牛与体 U）导性酊1 3导体.半寻住和生绪住的能耕解：如图所示，从能带的观点来看， 半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大（6〜7eV）,室 温下本征激发的载流子近乎为零， 所以绝缘体室温下不能导电。

半导 体禁带宽度较小，只有1〜2eV,室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带所以半导体在室温下就有一定的导电能力而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力为什么说本征载流子浓度与温度有关解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发由此产生的载流子称为本征载流子 本征激发过程中电子和空穴是 同时出现的，数量相等，no po n对于某一确定的半导体材料， 其本征载流子浓度为ni2 n0p° NcNveEgkT式中，Nc Nv以及Eg都是随着温度变化的，所以，本征载流子 浓度也是随着温度变化的什么是施主杂质能级什么是受主杂质能级它们有何异同 解：当半导体中掺入施主杂质后，在其导带底的下方，距离导带底很近的范围内可以引入局域化的量子态能级 该能级位于禁带中，称之为施主杂质能级同理，当半导体中掺入受主杂质后，在其价带顶的上方， 距离价带顶很近的范围内也可引入局域化的受主杂质能级施主能级距离导带底很近， 施主杂质电离后， 施主能级上的电子跃迁进入导带，其结果向导带提供传导电流的准自由电子；而受主能级距离价带顶很近， 受主杂质电离后， 价带顶的电子跃迁进入受主能级，其结果向价带提供传导电流的空穴。

试比较 N 型半导体与P 型半导体的异同解： 对同种材料制作的不同型号的半导体来说， 具有以下相同点：二者都具有相同的晶格结构， 相同的本征载流子浓度， 都对温度很敏感不同点是， N 型半导体所掺杂质是施主杂质，主要是靠电子导电，电子是多数载流子，空穴是少数载流子：而P 型半导体所掺杂质是受主杂质，主要靠空穴导电，空穴是多数载流子，电子是少数载流子从能带的角度说明杂质电离的过程解： 杂质能级距离主能带很近， 其电离能一般都远小于禁带宽度因此， 杂质能级与主能带之间的电子跃迁也比较容易完成 以施主杂质为例，施主能级上的电子就是被该施主原子束缚着的电子 它在室温下吸收晶格振动的能量或光子的能量 （只要其能量高于杂质的电离能）后，就可以挣脱施主原子核对它的束缚，跃迁进入导带成为准自由电子 这一过程称之为杂质电离 电离以 后的杂质带有正电荷，电离以前的杂质是电中性的什么是迁移率什么是扩散系数二者有何关系解：迁移率是描述载流子在电场作用下输运能力的一个物理量； 扩散系数是描述载流子在其浓度梯度作用下输运能力的物理量二者可以通过以下爱因斯坦关系建立联系：D kTq说明载流子的两种输运机制，弁比较它们的异同。

解：载流子的输运机制可分为扩散运动和漂移运动两种扩散运动是在半导体中存在载流子的浓度梯度时，高浓度一边的载流子 将会向低浓度一边输运这种运动称为载流子的扩散运动 扩散 运动的强弱与浓度梯度的大小成正比，即与载流子的分布梯度有 关漂移运动是半导体中的载流子在电场力作用下的定向运动其强弱只与电场的大小成正比，与载流子的分布没有关系什么是费米能级什么是准费米能级二者有何差别解：在热平衡条件下，半导体中能量为E的能级被电子占据的几 率f(E)服从费米-狄拉克分布E Ef1 e kT式中的Ef就是费米能级它是一个描述半导体电子系统中电子 填充能带水平的标志性参数，也称为热平衡系统的化学势准费米能级是半导体系统在非平衡条件下(如关照或有电注入下)，有非平衡载流子存在时，为了描述导带电子在导带各能 级上的分布以及价带空穴在价带各个能级上的分布而引入的一个参考量其大小也反映了电子和空穴填充能带的水平值得注意的是，一个能带内消除非平衡的影响仅仅需要10 11 ~10 12s,而少子寿命约为10 6s所以，在非平衡载流子存在的绝大部分时间 内主能带的电子都处于平衡分布什么是扩散长度扩散长度与非平衡少数载流子寿命有何关系解：扩散长度是描述载流子浓度随着扩散深度增加而衰减的特征长度。

扩散长度与非平衡少数载流子寿命的关系如下:■.Dp P，Ln...Dn n简述半导体材料的导电机理解：半导体的导电机理与金属是不同的金属中只有一种载流子（电子）参与导电，而半导体中同时有两种载流子 （电子和空穴） 参与导电本征半导体中导电的载流子是由于本征激发而产生的 电子和空穴它们是同时出现的，且 no po n「两种载流子对电 流的贡献相同但是，在杂质半导体中往往有 no P或者 no po,存在着多数载流子和少数载流子所以，多数载流子对 电流的贡献占据主要地位，而少数载流子对电流的贡献却可以忽 略不计计算速度为io7cm/s的自由电子的德布洛意波长解:h 2 6.626 131 5p mv 9.1 io 31 io57.28 1o 9 m如果在单晶硅中分别掺入1o15/cm3的磷和1o15/cm3的硼，试计算300K时，电子占据杂质能级的概率根据计算结果检验常温下 杂质几乎完全电离的假设是否正确解:查表可知，磷作为硅晶体中的施主杂质，其电离能为Ed0.044eV,硼作为硅晶体中的受主杂质，其电离能为Ea0.045eV 于是有EgEd-Ef ED-Ei —Ed 0.56 0.044 0.516 eV2能级为日的量子态被被电子占据的几率为119fEn 2.4 10 9DEd Ei0.516dexp -- exp1kT0.026上述结果说明，施主能级上的电子几乎全部电离。

能级为Ea的量子态被空穴占据的几率为119fEA 2.4 109AEi Ea/0.515,exp 1 exp1kT0.026上述计算结果说明受主能级上的空穴几乎全部被电离o硅中的施主杂质浓度最高为多少时材料是非简弁的解：若假设非简弁的条件为EC Ef 2kT,那么，非简弁时导带电子浓度为n0 NC expEC EfkTNC exp鲁 2.8 1019e2 3.8 1018 cm 3非简弁时，最高施主杂质浓度为ND n0 3.8 1018 cm 3某单晶硅样品中每立方厘米掺有1015个硼原子，试计算300K时该 样品的准自由电子浓度、 空穴浓度以及费米能级 如果掺入的是 磷原子它们又是多少 解：硼原子掺入硅晶体中可以引入受主杂质， 材料是P型半导体:153Na 10cm该样品的空穴是多子，其浓度为p0 NA 1015cm 3电子是少子，其浓度为2n0丑 P10 21.02 10 5 31.04 10 cm1015费米能级为EF Ei kTln p nieV Ei10150.026ln Ei 0.299eV1.02 10即费米能级在本征费米能级的下方处某硅单晶样品中掺有 1016cm 3的硼、1016cm 3的磷和1015cm 3钱，试分析该材料是N型半导体还是P型半导体准自由电子和空穴浓度各为多少解：由硼、磷、钱掺入硅中分别成为受主、施主和受主，它们在硅晶体中引入的杂质浓度依次为16 3 16 3N A1 10 cm 、 N D 10 cm153N a2 10 cm由于 NA1 NA2 Nd 1015cm 3 0即受主原子总数大于施主原子总数，所以该材料是P型半导体。

此时，硅材料中空穴浓度为P0 1015cm 3210 2准自由电子浓度为no :J 105 cm 3有两块单晶硅样品，它们分别掺有1015cm 3的硼和磷，试计算300K 时这两块样品的电阻率，弁说明为什么N型硅的导电性比同等掺 杂的P型硅好解：查图1.4.2可得空穴迁移率 p 400cm2/V s ,电子迁移率1200 cm2, V s于是，掺硼的单晶硅电阻率为1Poq p1 1015 1.6 10 19 40015.625cm掺磷的单晶硅电阻率为1n0q n 1 1015 1.6 10 19 12005.208cm因为电子的迁移率大于空穴的迁移率， 所以在其它条件不变的情况下，N型硅的导电性较P型硅的导电性高实验测出某均匀掺杂 N型硅的电阻率为2 cm,试估算施主杂质解：本查附录A可得Nd浓度2.3 1015cm 3,再查图1.4.2可得电子的迁移率为 n 1200 cm2.. V s则施主杂质的浓度为Nd , nq n2 1.6 10 19 12002.6 1015 cm 3假设有一块掺有1018cm 3施主杂质的硅样品，其截面积为0.2 m 0.5 m ,长度为2 m如果在样品两端加上5V电压，通过样品的电流有多大电子电流与空穴电流的比值是多少解：掺有施主杂质浓度Nd 1018cm 3的硅样品，其电子浓度为n0 Nd 1018 cm 3 ,再查可得电子的迁移率n 380cm7 V s ,于是，该材料的电导率为1819n0q n 101.6 10380 60.8 1/ cm在该样品两端加上 5V 电压后的电场强度为E V —5-^ 2.5 104 V cmL 2 10 4于是，电子电流密度为jn E 60.8 2.5 104 1.52 106 A cm2如果在样品两端加上5V电压，通过样品的电流为In jn A 1.52 106 0.2 10 4 0.5 10 4 1.52 10 3 A2平衡空穴浓度为P0曳Ao- 21.02 101018104.04 cm 3再查图1.4.2可得空穴迁移率为p 190cm7 V s ,于是电子电流与空穴电流的比值为n。

nPo p1018 380104 1901.92 1016有一块掺杂浓度为1017cm 3的N型硅样品，如果在1 m的范围内, 空穴浓度从1016cm 3线性降低到1013cm 3 ,求空穴的扩散电流密度解：查图1.4.2可得当N 1017cm 3时，p 210cm2/V s,。