XPS的应用及举例.ppt

X射线光电子谱(XPS) X-ray Photoelectron Spectroscopy,,冷永祥 西南交通大学 材料科学与工程学院,引 言,X射线光电子谱是重要的表面分析技术之一它不仅能探测表面的化学组成，而且可以确定各元素的化学状态，因此，在化学、材料科学及表面科学中得以广泛地应用表面几个原子层进行分析X射线光电子能谱是瑞典Uppsala大学K.Siegbahn及其同事经过近20年的潜心研究而建立的一种分析方法他们发现了内层电子结合能的位移现象，解决了电子能量分析等技术问题，测定了元素周期表中各元素轨道结合能，并成功地应用于许多实际的化学体系K.Siegbahn给这种谱仪取名为化学分析电子能谱(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)，简称为“ESCA”，这一称谓仍在分析领域内广泛使用随着科学技术的发展，XPS也在不断地完善目前，已开发出的小面积X射线光电子能谱，大大提高了XPS的空间分辨能力XPS  引言,X光电子能谱分析的基本原理 一定能量的X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。

该过程可用下式表示: hn=Ek+Eb+Er （10.3） 式中: hn：X光子的能量； Ek：光电子的能量； Eb：电子的结合能； Er：原子的反冲能量 其中Er很小，可以忽略对于固体样品，计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子，而是选用费米能级，由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，式(103)又可表示为： hn=Ek+Eb+Φ （10.4） Eb= hn- Ek-Φ （10.5） 仪器材料的功函数Φ是一个定值，约为4eV，入射X光子能量已知，这样，如果测出电子的动能Ek，便可得到固体样品电子的结合能各种原子，分子的轨道电子结合能是一定的因此，通过对样品产生的光子能量的测定，就可以了解样品中元素的组成元素所处的化学环境不同，其结合能会有微小的差别，这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移，由化学位移的大小可以确定元素所处的状态例如某元素失去电子成为离子后，其结合能会增加，如果得到电子成为负离子，则结合能会降低因此，利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。

X光电子能谱法是一种表面分析方法，提供的是样品表面的元素含量与形态，而不是样品整体的成分其信息深度约为3-5nm如果利用离子作为剥离手段，利用XPS作为分析方法，则可以实现对样品的深度分析固体样品中除氢、氦之外的所有元素都可以进行XPS分析X-ray Beam,X-ray penetration depth ~1mm. Electrons can be excited in this entire volume.,,,X-ray excitation area ~1x1 cm2. Electrons are emitted from this entire area,,,Electrons are extracted only from a narrow solid angle.,,1 mm2,,10 nm,,一、光电效应,Core level electrons are ejected by the X-ray radiationThe K.E. of the emitted electrons is dependent on: Incident energy Instrument work function Element binding energy,XPS  光电效应,XPS  光电效应,根据Einstein的能量关系式有：h = EB + EK,,XPS的仪器Instrumentation for XPS,钯的XPS（XPS spectrum obtained from a Pd metal sample using Mg Ka radiation) ; 主峰在330, 690, 720, 910 and 920 eV。

将KE转换为BE， 得到下页图-注意坐标左右颠倒1. 价带 (4d,5s) 出现在 0 - 8 eV 2 4p 、 4s 能级出现在 54 、88 eV 3. 335 eV 的最强峰由 3d 能级引起 4 3p 和3s 能级出现在 534/561 eV 和 673 eV 5. 其余峰非 XPS 峰， 而是Auger 电子峰例：试作出在Mg Ka ( hn = 1253.6 eV ) 作用下Na的XPS示意谱图， Na的能级分布如右图 解：由KE = hv - BE , KE1s = ( 1253.6 - 1072 ) = 182 eV KE2s = ( 1253.6 - 64 ) = 1190 eV KE2p = ( 1253.6 - 31 ) = 1223 eV,电子能级、X射线能级和电子数,,,用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用考虑荷电效应有：其中ES=VSe为荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向低动能端偏移，即所测结合能值偏高。

荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生一定的影响XPS  X射线光电子谱仪的能量校准,4.3 荷电效应,荷电效应的来源主要是样品的导电性能差 荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关 实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差XPS  X射线光电子谱仪的能量校准,制备超薄样品； 测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使Ec<0.1eV，这种方法一方面需要在设备上配置电子中和枪，另一方面荷电效应的消除要靠使用者的经验XPS  X射线光电子谱仪的能量校准,4.4 荷电效应的解决－中和法,在处理荷电效应的过程中，人们经常采用内标法即在实验条件下，根据试样表面吸附或沉积元素谱线的结合能，测出表面荷电电势，然后确定其它元素的结合能在实际的工作中，一般选用(CH2)n中的C1s峰，(CH2)n一般来自样品的制备处理及机械泵油的污染也有人将金镀到样品表面一部分，利用Au4f7/2谱线修正这种方法的缺点是对溅射处理后的样品不适用另外，金可能会与某些材料反应，公布的C1s谱线的结合能也有一定的差异有人提出向样品注入Ar作内标物有良好的效果Ar具有极好的化学稳定性，适合于溅射后和深度剖面分析，且操作简便易行。

选用Ar2p3/2谱线对荷电能量位移进行校正的效果良好这时，标准Ar2p3/2谱线的结合能0.2 eVXPS  X射线光电子谱仪的能量校准,4.5 荷电效应的解决－内标法,五、XPS中的化学位移,由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移化学位移的分析、测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据 例如：三氟化乙酸乙脂中四个不同C原子的C1s谱线XPS  XPS中的化学位移,六、XPS分析方法,同AES定性分析一样，XPS分析也是利用已出版的XPS手册XPS  XPS分析方法,6.1 定性分析 6.1.1 谱线的类型,在XPS中可以观察到几种类型的谱线其中有些是XPS中所固有的，是永远可以观察到的；有些则依赖于样品的物理、化学性质光电子谱线 ：在XPS中，很多强的光电子谱线一般是对称的，并且很窄但是，由于与价电子的耦合，纯金属的XPS谱也可能存在明显的不对称谱线峰宽：谱线的峰宽一般是谱峰的自然线宽、X射线线宽和谱仪分辨率的卷积高结合能端弱峰的线宽一般比低结合能端的谱线宽1~4 eV绝缘体的谱线一般比导体的谱线宽0.5 eV。

XPS  XPS分析方法,Auger谱线：在XPS中，可以观察到KLL, LMM, MNN和NOO四个系列的Auger线因为Auger电子的动能是固定的，而X射线光电子的结合能是固定的，因此，可以通过改变激发源(如Al/Mg双阳极X射线源)的方法，观察峰位的变化与否而识别Augar电子峰和X射线光电子峰X射线的伴峰：X射线一般不是单一的特征X射线，而是还存在一些能量略高的小伴线，所以导致XPS中，除K1,2所激发的主谱外，还有一些小的伴峰XPS  XPS分析方法,6.1.2 谱线的识别,因C, O是经常出现的，所以首先识别C, O的光电子谱线，Auger线及属于C, O的其他类型的谱线 利用X射线光电子谱手册中的各元素的峰位表确定其他强峰，并标出其相关峰，注意有些元素的峰可能相互干扰或重叠 识别剩余弱峰此步，一般假设这些峰是某些含量低的元素的主峰若仍有一些小峰仍不能确定，可检验一下它们是否是某些已识别元素的“鬼峰” 确认识别结论对于p, d, f 等双峰线，其双峰间距及峰高比一般为一定值p峰的强度比为1:2；d线为2:3；f线为3:4对于p峰，特别是4p线，其强度比可能小于1:2。

XPS  XPS分析方法,6.2 化合态识别,在XPS的应用中，化合态的识别是最主要的用途之一识别化合态的主要方法就是测量X射线光电子谱的峰位位移 对于半导体、绝缘体，在测量化学位移前应首先决定荷电效应对峰位位移的影响 化合态识别-光电子峰 由于元素所处的化学环境不同，它们的内层电子的轨道结合能也不同，即存在所谓的化学位移如表所示） 其次，化学环境的变化将使一些元素的光电子谱双峰间的距离发生变化，这也是判定化学状态的重要依据之一如图所示） 元素化学状态的变化有时还将引起谱峰半峰高宽的变化如表所示）,,XPS  XPS分析方法,S的2p峰在不同化学状态下的结合能值,,XPS  XPS分析方法,Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离,,XPS  XPS分析方法,C1s在不同化学状态下半峰高宽的变化,,XPS  XPS分析方法,6.3 定量分析 -元素灵敏度因子法,XPS中一般以谱峰面积计算XPS  XPS分析方法,氧分压对薄膜性能的影响 实验方法,10#,3#,3#,4#,表1 Ti 解谱结果,XRD Pattern Significance of Peak Shape in XRD,Peak position Peak width Peak intensity,Peak Position — d-spacings and lattice parameters,Fix l (Cu k)=1.54Å dhkl = 1.54Å/2sinhkl,Note: Most accurate d-spacings are those calculated from high-angle peaks.,For a simple cubic (a=b=c=a0),a0 = dhkl /(h2+k2+l2)½,e.g., for BaTiO3, 2220=65.9o, 220=32.95o, d220 =1.4156Å, a0=4.0039Å,,Peak Width — Full Width at Half Maximum,Effect of Particle (Grain) Size,As grain size decreases hardness increases and peak become broader,Effect of Lattice Strain on Diffraction Peak Position and Width,No Strain,Uniform Strain(d1-do)/do,Non-uniform Straind1constant,。