常见mos管的型号参数.pdf

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如未买到相应电流的，可用更多大额定电流的代替注意注意，，焊接ＭＯＳ管应防焊接ＭＯＳ管应防止静电TO-220TO-220TO-252TO-252TO-3TO-3附 SO-8SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管 IRF7805Z 的引脚图上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补充）封装形式极性型号电流(A) 耐压(V)导通电阻 (mΩ) SO-8N 型SI433622304.2 SO-8N 型IRF783121303.6 SO-8N 型IRF783220304 SO-8N 型IRF78221830 SO-8N 型IRF783617305.7 SO-8N 型IRF811317305.6 SO-8N 型SI440417308 SO-8N 型FDS668816306 SO-8N 型IRF7805Z16306.8 SO-8N 型IRF747714308.5SO-8N 型IRF872114308.5 SO-8N 型IRF78051330 SO-8N 型IRF7805Q133011 SO-8N 型IRF7413123018 SO-8N 型TPC800312306 SO-8N 型IRF7477113020 SO-8N 型IRF7811113012 SO-8N 型IRF7466103015 SO-8N 型SI4410103014 SO-8N 型SI4420103010 SO-8N 型A27009307.3 SO-8N 型IRF78078.330 SO-8N 型SI48127.33028 SO-8N 型SI94106.93050 SO-8N 型IRF731363029 SO-8P 型SI440517307.5 SO-8P 型STM4439A143018 SO-8P 型FDS667913309 SO-8P 型SI441113308 SO-8P 型SI446312.32016 SO-8P 型SI44071230 SO-8P 型IRF7424113013.5 SO-8P 型IRF7416103020 SO-8P 型IRF7416Q103020 SO-8P 型SI442593019 SO-8P 型IRF74248.83022 SO-8P 型SI443583020 SO-8P 型SI4435DY83020 SO-8P 型A271673011.3 SO-8P 型IRF74065.83045 SO-8P 型SI94355.33050 SO-8P 型IRF72054.63070 TO-252N 型FDD668884305 TO-3N 型IRF1504010055 TO-220N 型IRF3703210302.8 TO-220N 型IRL3803140306 TO-220N 型IRF1405131555.3 TO-220N 型IRF3205110558 TO-220N 型BUZ111S80558 TO-220N 型05N0575509.5 TO-220N 型IRF280475402 TO-220N 型60N06606014 TO-220N 型50N03L282521 TO-220N 型BTS12019100100 TO-220N 型BTS11010100200TO-220N 型06N605.5600750MOS 管应用电路设计本文来自:DZ3W.COM 原文网址： MOS 管应用电路设计MOS 管最显著的特性是开关特性好， 所以被广泛应用在需要电子开关的电路中， 常见的如开关电源和马达驱动， 也有照明调光。

现在的 MOS 驱动，有几个特别的需求，1，低压应用当使用 5V 电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的 be 有 0.7V 左右的压降，导致实际最终加在 gate 上的电压只有 4.3V这时候，我们选用标称 gate 电压 4.5V 的 MOS 管就存在一定的风险同样的问题也发生在使用 3V 或者其他低压电源的场合本文来自:DZ3W.COM 原文网址： 2，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动这个变动导致 PWM 电路提供给 MOS 管的驱 动电压是不稳定的为了让 MOS 管在高 gate 电压下安全，很多 MOS 管内置了稳压管强行限制 gate电压的幅值在这种情况下， 当 提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗同时，如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS 管工作良好，而输 入电压降低的时候 gate 电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗3，双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的 5V 或者 3.3V 数字电压，而功率部分使用 12V 甚至更高的电压两个 电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的 MOS 管，同时高压侧的 MOS 管也 同样会面对 1 和 2 中提到的问题在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的 MOS 驱动 IC，似乎也没有包含 gate 电压限制 的结构于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求 电路图如下：图 1 用于 NMOS 的驱动电路图 2 用于 PMOS 的驱动电路这里我只针对 NMOS 驱动电路做一个简单分析：Vl 和 Vh 分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是 Vl 不应该超过VhQ1 和 Q2 组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管 Q3 和 Q4 不会同时导通R2 和 R3 提供了 PWM 电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在 PWM 信号波形比较陡直的位置Q3 和 Q4 用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3 和 Q4 相对 Vh 和 GND 最低都只有一个 Vce 的压降，这个压降通常只有 0.3V 左右，大大低于 0.7V 的 VceR5 和 R6 是反馈电阻，用于对 gate 电压进行采样，采样后的电压通过 Q5 对 Q1 和 Q2 的基极产生一个强烈的负 反馈，从而把 gate 电压限制在一个有限的数值。

这个数值可以通过 R5 和 R6 来调节最后，R1 提供了对 Q3 和 Q4 的基极电流限制，R4 提供了对 MOS 管的 gate 电流限制，也就是 Q3 和 Q4 的 Ice 的限制必要的时候可以在 R4 上面并联加速电容这个电路提供了如下的特性：1，用低端电压和 PWM 驱动高端 MOS 管2，用小幅度的 PWM 信号驱动高 gate 电压需求的 MOS 管3，gate 电压的峰值限制4，输入和输出的电流限制5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗6，PWM 信号反相NMOS 并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题DC-DC 转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电目前 DC-DC 转换器设计技术发 展主要趋势有： （1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升， 动态响应得到改善小功率 DC-DC 转换器的开关频率将上升到兆赫级 （2）低输出电压技术：随着半导体制造技术的 不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的 DC-DC 变换器能够提供低输出电压以适 应微处理器和便携式电子设备的要求。

这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求首先，随着开关频率的不断提高，对于开关元件的 性能提出了很高的要求， 同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作 其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压 2.5～3.6V） ，因此，电源 芯片的工作电压较低MOS 管具有很低的导通电阻， 消耗能量较低， 在目前流行的高效 DC－DC 芯片中多采用 MOS 管作为功率开关 但是由于 MOS 管的寄生电容大，一般情况下 NMOS 开关管的栅极电容高达几十皮法这对于设计高工作频率 DC－ DC 转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求在低电压 ULSI 设计中有多种 CMOS、BiCMOS 采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路 这些电路能够在低于 1V 电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容 1～2pF 的条件下工作频率能够达到几十兆甚 至上百兆赫兹本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率 升压型 DC－DC 转换器的驱动电路电路基于 Samsung AHP615 BiCMOS 工艺设计并经过 Hspice 仿真验证，在供电电 压 1.5V ，负载电容为 60pF 时，工作频率能够达到 5MHz 以上。

本文来自:DZ3W.COM 原文网址： .1 .1作用作用1、场效应管可应用于放大由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换常用于多级放大器的输入级作阻抗变换3、场效应管可以用作可变电阻4、场效应管可以方便地用作恒流源5、场效应管可以用作电子开关2常用场效应管的脚位图1 1 1 1使用注意事项使用注意事项对于 P 沟道 mos 管，VDS = -6 V, VGS = -4.5 V， ID = - 2.8 A也就是栅极低于源极电压时开始导通相反对于 N 沟道 mos 管，VDS = 6 V, VGS = 4.5 V， ID=2.8 A也就是栅极高于源极电压时开始导通容易出现的错误容易出现的错误大家注意到无论是大家注意到无论是 N N N N 还是还是P P P Pmosmosmosmos 管在管在 D-D-D-D-S S S S 之间都有二极管，此二极管起保护作用之间都有二极管，此二极管起保护作用——————————————————————————————————————————————————— ——————————————————————————————————————————————————— ———————————————————————————————————————————————————型 号 材料 管脚 用 途 参 数3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放功放开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放功放开关 140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放功放开关 60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放功放开关 60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放功放开关 60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激 励 60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.122SK30 。