《数字电子技术》理论课总复习提纲.docx
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本文格式为Word版，下载可任意编辑《数字电子技术》理论课总复习提纲 《数字电子技术》理论课程总复习提纲 复习思路：概念 → 原理 → 应用 第一章： 一、模拟量与数字量 二、数制及其之间的转换 三、二进制算术运算 1、无符号数 P8 2、有符号数 原码、反码和补码 ①P10，图1.4.2；②[例1.4.1] ，-8的表示；③[例1.4.2] 四、码制及其之间的转换 1、代码定义 2、码制定义及常用码制 ①BCD码，表1.5.1，补上5421码，有权码和无权码；②格雷码，表1.5.2（用卡诺图记忆）；③ASCII，表1.5.3 3、BCD码之间转换 其次章： 一、规律、规律运算、二值规律概念 二、常用的规律运算 ①与和与非，图2.2.2、图2.2.3；②或和或非；③异或和同或（只有两个输入），两者关系；④非（取反）；⑤那种门电路可以实现其它门电路功能 三、根本公式和常用公式 ①公式8、18（摩根定理）和17；②公式21和25 四、公式法化简 五、规律代数根本定理及应用 ①三个定理含义；②原式、反式、对偶式之间转换，[例2.4.2]、[例2.4.3] 六、规律函数表示方法及其两种标准式 6种表示方式，最小项之和形式（与或式）和最大项之积（或与式）； 七、如何将已知式写成两种标准式 ①最小项数量和性质；②最大项数量和性质；③[例2.5.6]；④[例2.5.7] 八、卡诺图及其化简 九、规律函数表示方法之间的转换 十、无关项及其化简 第三章： 一、分立元件门电路 1.正规律和负规律 P67，图3.1.2 2.二极管与门（P71，图3.2.5） 二极管共阳极连接。
3.二极管或门（P72，图3.2.6） 二极管共阴极连接 4.三极管反相器（P114，图3.5.6） 5.MOS管反相器（P75，图3.3.4） 二、CMOS反相器 1.电路布局（P80，图3.3.11） VIH ≈ VDD， VDD >> VGS(th)N+︱VGS(th)P︱ 2.电压和电流传输特性（P81，图3.3.12、图3.3.13） 阈值电压VTH=1/2VDD 3.输入噪声容限 P82，图3.3.14、图3.3.15 4.带载才能 P85，低电平输出时，图3.3.18、图3.3.19；高电平输出时，图3.3.20、图3.3.21 三、其它类型MOS电路 1.OD门（P94，图3.3.31） ①普遍门输出端不能并联；②线与概念；③上拉电阻计算 2.CMOS传输门（P94，图3.3.35） 3.三态门（P99，图3.3.40） 何为三态？指输出Y可能是0、1、高阻（Z）三种状态。
四、TTL反相器 1.电路布局（P117，图3.5.9） — 4 —。
