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第 1 章 自 测 题一、 填空题：1、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的这种半 导体内的多数载流子为 —自由电子—，少数载流子为—空穴—，定域的杂质离子 带_正_电2、 双极型三极管内部有 _基_区、—发射—区和—集电—区，有—发射—结和 集电_结及向外引出的三个铝电极3、 因PN结具有 单向导电 性，当PN结正向偏置时，内、外电场方向 相 反_，PN结反向偏置时，其内、外电场方向 _相同_4、 二极管的伏安特性曲线可划分为四个区，分别是 _死_区、—正向导通 区、—反向截止—区和—反向击穿—区5、 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 _RX 1k_档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 —阴—极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 _阳_极检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前 后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 —击穿两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 —老化不通_6、 BJT中，由于两种载流子同时参与导电因之称为双极型三极管， 属于—电流 控制型器件；FET中，由于只有多子一种载流子参与导电而称为单极型三极管， 属于—电压—控制型器件。

7、 当温度升高时，二极管的正向电压 —减小反向电压—增大_8、 稳压二极管正常工作应在 —反向击穿—区；发光二极管正常工作应在 —正 向导通—区；光电二极管正常工作应在—反向截止—区9、 晶闸管有阳极、—阴—极和—门控—极三个电极10、 晶闸管既有单向导电的 —整流—作用，又有可以控制导通时间的作用晶闸管正向导通的条件是 —阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压 关断的条件是—晶闸管反偏或电流小于维持电流 —二、 判断下列说法的正确与错误 ：1、 P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明 P型半导体带负电.错）2、 双极型三极管 和场效应管一样， 都是两种载流子同 时参与导电错）3、 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档 RX 10k档位错）4、 温度升高时，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等对）5、 无论任何情况下，三极管都具有电流放大能力错）6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通 错）7、二极 管只要工作在反向击穿区 ， 一定会被击穿 而造 成永久损坏 错）8、在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可改变成 P 型半导体 对）9 、双极型三极管 的集电极和发射 极 类型相同，因此可 以互换使用。

错）10 、 晶 闸 管 门 极 上 加 正 向 触 发 电 压 ， 晶 闸 管 就 会 导 通 错）三、单项选择题：1、单极型半导体器件是（ C ）A、二极管 B、双极型三极管 C、场效应管 D、稳压管2、 P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的A、三价 B 、四价 C 、五价 D、六价3、 在掺杂半导体中，多子的深度主要取决于（ B ）A、温度 B 、掺杂浓度 C 、掺杂工艺 D 、晶体缺陷4、 稳压二极管正常工作区是（ D ）A、死区 B 、正向导通区 C、反向截止区 D 、反向击穿区5、 PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成A、多子扩散 B 、少子扩散 C 、多子漂移 D 、少子漂移6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为 Ve= 2.1V , Vb= 2.8V 4.4V ,说明此三极管处在（ A ）A、放大区 B 、饱和区穿区7、绝缘栅型场效应管的输入电流（A、较大 B 、较小 C&当PN结未加外部电压时，扩散电流A、大于 B 、小于 CC 、截止区 D 、反向击C ）为零 D 、无法判断C ）漂移电流等于 D 、负于9、三极管超过（ C ）所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流Icm B 、集一射极间反向击穿电压 U（BR） CEOC集电极最大允许耗散功率 PCm D、管子的电流放大倍数10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是（ B ）A、发射结正偏、集电结正偏 B 、发射结反偏、集电结反偏C发射结正偏、集电结反偏 D 、发射结反偏、集电结正偏四、简答题：1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子， P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说 N型半导体带负电，P型半导体带正电上述说法对吗？为什么?答：这种说法是错误的因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电 子或少了电子，从而获得了 N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电 子也没有得电子，所以仍呈电中性2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚① 12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极答：管脚③和管脚②电压相差 0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极, 而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个 NPN型硅管再根据管子在 放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极3、齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生 质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。

0 II—riO Al正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压 U答：分析：根据电路可知，当 Ui>E时，二极 Uo=Ui，当Ui

8、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同?答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极 时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子幵关；普通三极管在放大电 路中起放大作用，在数字电子技术中起幵关作用，普通三极管用于放大作用时， 只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作幵关元件时，当发射结和集电结都正偏时， 它就会饱和导通， 当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时， 晶体管就截止，阻断信号通过晶闸管属于硅可控整流器件， 只有导通和关断两种状态 晶闸管具有PNPN四层 半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极晶闸管加正向电压且门极有触发电 流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要 承受正向电压的情况下才能导通 (晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用)；当晶 闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或 者晶闸管在导通情况下，其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时，晶闸管 也会自动关断9、晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发？如果不采用同步触发，对 电路输出电压将产生什么影响？答：实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发” 。

只有当触发脉冲与主电路 电压同步时，在晶闸管承受的正半周电压范围内，门控极才能获得一个时刻相同 的正向触发脉冲，晶闸管也才可能“触发”起到可控导通作用因此，晶闸管可 控整流电路中必须采用同步触发，否则由于每个正半周的控制角不同，输出电压 就会忽大忽小发生波动，从而产生失控现象五、计算分析题：1、图1.42所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的 参数进行分析计算UCe=3V,I c=4mA UCe=3V,(1)(2)(3)=?I b=60 口 A, I c= ? UCe=4V， I cB= ?I b由40〜60口 A时,I c (mA)543211 2 3 4 5 6 C 8 图 1.42解：A区是饱和区，B区是放大 区是截止区(1)UCe=3V 处，(2)UCe=4V 处，(3)2、已知NPN型三极管的输入一输出特性曲线如图、o观察图1.42，对应I b=60 集电极电流Ic约为3.5mA观察图1.42，对应I c=4mAI b约小于80 g A和大于70 g A;对应△ I b=20 g A、UCe=3V处，△ I c" 1mA100 g A80 g A60 g A40 g A20 g AI b= 0 -U=E (V)自测题五.1电路图所以 B" 1000/20 〜501.43所示，当区，C(1) UBe=0.7V，UCe=6V, I c=?2) I b=50 g A, UCe=5V, Ic=?3) U=6V, UBe从0.7V变到0.75V时，求I b和Ic的变化量，此时的 ？U=e (V)⑻输入特性曲43自测题五（特性出特性曲线解：（1）由（a）所示输入特性曲线查得 输出特性曲线查得I c-3.6mA;（2）由（b）输出特性曲线可查得此时Ube=0.7V 时，对应 I B=30 口 A,由(b)I c— 5mA（3）由输入特性曲线可知， Lbe从0.7V变到0.75V的过程中，△ IB— 30卩A,由输出特性曲线可知，△ Ic— 2.4mA，所以 卩—2400/30 — 80是负载电阻，稳压管的稳压值为 8V，稳流值IzI zmin= 2mA Rm= 240mW，分析稳压二极管能否正常 解：稳压管正常工作必须满足两个条件：一 向击穿，即稳压管两端所加反向电压大于或等于 电压；二是击穿后，流过稳压管的电流必须满足 I Z< I Zmax.IR = 1kQ+25V Vd 8VZE R1kQ+UO图1.43自测题五.3电路=5mA工作。

是被反 其稳定I Zmin<据此可先算出稳压管工作时的实际电压应是多少,当输入电压为图示25V时,3、利用稳压二极管组成的稳压电路如图 1.43所示，其中R是限流电阻，R.UZS 25111 12.5V>UZ，稳压管被反向击穿但流过稳压管的反向电流：流过稳压二极管的最大稳定电流:符合：lZmin IZ IZmam的正常工作条件，所以该稳压管可以起稳压作用， 稳压 值为8V4、…稳。