1DRAM控制器.docx

1 DRAM 掌握器1.1 DRAM 掌握器概述1.1.1 DRAM 掌握器介绍DRAM 掌握器是一种先进的微掌握器总线架构〔AMBAtm〕AXI 兼容的附属接口外部的 JEDEC DDR-类 SDRAM 设备为了支持高速存储设备，DRAM 掌握器承受的是 SEC DDR PHY 接口该掌握器包括一个先进的嵌入式调度器来有效地利用存储装置,以及一个优化的流水线级，来削减等待时间 S5PV210 拥有两个独立的 DRAM 掌握器和端口，即 DMC0 和 DMC11.1.2 DRAM 掌握器的主要特点● 兼容 JEDEC 的 DDR2，低功耗 DDR 和低功耗的 DDR2 SDRAM 规格● 承受了 SECLPDDR2 PHY 接口，支持高速存储设备● 支持每一个芯片两个外部芯片选择和 1/2/4/8 banks● 支持 128 MB，256 MB，512 MB，1 GB，2 GB 和 4 GB 的存储容量● 支持 16/32 位宽度的存储器数据宽度● 优化了流水线级的低延时● 支持 QoS 方案，确保对于某些应用程序的低延时● 先进的嵌入式调度使得优于挨次操作，以有效地利用存储设备● 支持快速的芯片/ bank 的切换和内存中断● 支持系统的功率掌握 AMBA AXI 低功耗通道● 适用于各种低功耗的方案，以削减内存的动态和静态电流● 支持快速的独立访问● 支持 bank 有选择性的预充电策略1.1.3 支持时钟频率高达 200MHz 框图图 1-1 总体框图图 1-1 显示了掌握器的总体框图。

该框图显示总线接口模块，调度程序模块和存储器接口模块，连接和接口与 SEC LPDDR2 的 PHY总线接口模块将保存来自 AXI 从端口的内存访问总线交易命令队列此外， 它保存写入数据写入缓冲区或通过发送读数据到主在 AXI 总线假设 AXI 主还没有预备好它也作为一个读 FIFO，并具有 APB 接口的特别功能存放器/直接命令和AXI 低功耗通道接口调度程序块使用的内存条有限状态机〔FSM〕的信息来仲裁总线交易中的命令队列，并变换指令到存储器命令类型，它被发送在内存接口模块它也可以掌握写入和读出的存储器和 AXI 之间的数据流总线依据来自的 memory 命令存储器接口块更每个存储器状态，调度和发送bank 状态恢复到调度它依据内存延迟创立了一个存储命令并通过 PHY 接口发送命令给 SEC LPDDR2 的 PHY1.2 功能描述1.2.1 初始化初始化过程包括物理层 DLL 初始化，设置掌握存放器和存储器初始化对于内存的初始化，参考 JEDEC 规格和存储设备数据表有三种不同的内存类型，即， LPDDR，LPDDR2 和 DDR2依据存储器的类型，初始化序列如下1.2.1.1 LPDDRLPDDR 内存类型初始化序列：1. 为了供给稳定的电源掌握器和存储设备，掌握器必需维护和保持 CKE 为规律高电平,然后承受稳定的时钟。

注：XDDR2SEL 应当为低电平来保持CKE 为高2. 根 据 时 钟 频 率 来 设 置 PhyControl0.ctrl_start_point 和PhyControl0.ctrl_inc 位来校正频率值设置 PhyControl0.ctrl_dll_on 位字段为”1”来激活 PHY 的 DLL3. DQS 去除：依据时钟频率和内存 TAC 参数设置 PhyControl1.ctrl_shiftc和 PhyControl1.ctrl_offsetc 位的正确值4. 将 PhyControl0.ctrl_start 位置”1”5. 设置 ConControl此时自动刷计数器应当关闭6. 设置 MemControl此时全部的省电模式应当关闭7. 设置 MemConfig0 存放器假设有两个外部存储器芯片，还要设置MemConfig1 存放器8. 设置 PrechConfig 和 PwrdnConfig 存放器9. 依据内存 AC 参数设置 TimingAref ， TimingRow ， TimingData 和TimingPower 存放器10. 假设需要QoS 方案，设置 QosControl0〜15 和QosConfig0〜15 存放器。

11. 等待 PhyStatus0.ctrl_locked 位字段变为”1”检查 PHY DLL 是否被锁定12. PHY 的 DLL 存储操作过程中补偿的延迟量由工艺，电压和温度〔PVT〕 变化的变化因此，为了运行牢靠它不应当被关闭假设频率低，PHY DLL 可以被 关 闭 假设 采 用 了 关 闭 模 式 ， 根 据 固 定 延 迟 量 的PhyStatus0.ctrl_lock_value[9:2]位字段来设定 PhyControl0.ctrl_force 位字段的正确值去除 PhyControl0.ctrl_dll_on 位域关闭 PHY 的 DLL13. 上电后确认时钟运行是否稳定在最低 200us14. 使用 DirectCmd 存放器发出 PALL 命令15. 使用 DirectCmd 存放器发出两个自动刷命令16. 使用 DirectCMD 存放器发出 MRS 命令对操作参数进展编程17. 使用直接 CMD 存放器的操作参数进展编程发出 EMRS 命令18. 假设有两个外部存储器芯片，对片 1 存储设备执行步骤 14〜1719. 设置 ConControl 开启自动刷计数器。

20. 假设需要掉电模式，设置 MIME 掌握存放器1.2.1.2 LPDDR2LPDDR2 内存类型初始化序列：1. 为掌握器和存储设备供给稳定的电源，掌握器必需维护和保持 CKE 为规律低电平然后应用稳定的时钟注：XDDR2SEL 应当是高级别保持 CKE 为低2. 根 据 时 钟 频 率 设 置 PhyControl0.ctrl_start_point 和PhyControl0.ctrl_inc 位以正确的值设置 PhyControl0.ctrl_dll_on 位字段”1”激活 PHY 的 DLL3. DQS 复位：依据时钟频率和内存 TAC 参数将 PhyControl1.ctrl_shiftc和 PhyControl1.ctrl 偏移量 c 位的正确值4. 将 PhyControl0.ctrl_start 位设置为”1”5. 设置 ConControl此时自动刷计数器应当关闭6. 设置 MemControl此时全部的省电模式应当关闭7. 设置 MemConfig0 存放器假设有两个外部存储器芯片，同时设置MemConfig1 存放器8. 设置 PrechConfig 和 PwrdnConfig 存放器。

9. 依据内存 AC 参数设置 TimingAref ， TimingRow ， TimingData 和TimingPower 存放器10. 假设 QoS 方案是必需的，设置 QoS 掌握 0〜15 和 QoS 配置 0〜15 的存放器11. 等待PhyStatus0.ctrl_locked 位字段转变为”1”时检查PHY DLL 是否被锁定12. PHY 的 DLL 存储操作过程中补偿的延迟量由工艺，电压和温度〔PVT〕 变化的变化因此，为了运行牢靠它不应当被关闭除了运行在低频率也可以是关闭假设关闭模式时，依据本PhyStatus0.ctrl_lock_value[9:2]位字段来解决 延 迟 量 设 定 PhyControl0.ctrl_force 位 字 段 来 修 正 值 清 除PhyControl0.ctrl_dll_on 位字段关闭 PHY 的 DLL13. 设置 PhyControl1.fp_resync 位字段”1”，更 DLL 的信息14. 上电后确认 CKE 仍旧维持在最小 100 ns 的规律低电平15. 使用直接 CMD 存放器和 HOLD 键规律高电平发出 NOP 命令。

16.至少等待 200us17. 使用直接 CMD 存放器复位存储器装置和编程操作参数发出 MRS 命令18. 至少等待 1us19. 使用直接CMD 存放器轮询状态存放器的DAI 位查询设备的自动初始化是否发出 MRR 命令20. 假设有两个外部存储器芯片，执行步骤 15〜19 片 1 存储设备21. 设置 ConControl 开启自动刷计数器22. 假设需要掉电模式，设置 MIME 掌握存放器1.2.1.3 DDR2支持 DDR2 内存类型初始化序列：1. 为掌握器和存储设备供给稳定的电源，掌握器必需维护和保持 CKE 为规律低电平然后应用稳定的时钟注：XDDR2SEL 应当是高级别保持 CKE 为低2. 根 据 时 钟 频 率 设 置 PhyControl0.ctrl_start_point 和PhyControl0.ctrl_inc 位字段的正确值设置 PhyControl0.ctrl_dll_on 位字段为”1”以开启所述 PHY 的 DLL3. DQS 清洗：依据时钟频率和内存 TAC 参数设置 PhyControl1.ctrl_shiftc和 PhyControl1.ctrl_offsetc 位字段的正确值。

4. 将 PhyControl0.ctrl_start 位置为”1”5. 设置 ConControl此时自动刷计数器应当关闭6. 设置 MemControl此时全部省电模式应当关闭7. 设置 MemConfig0 存放器假设有两个外部存储器芯片，设置 MemConfig1存放器8. 设置 PrechConfig 和 PwrdnConfig 存放器9. 依据内存 AC 参数设置 TimingAref ， TimingRow ， TimingData 和TimingPower 存放器10. 假设 QoS 方案是必需的，设置 QoS 掌握 0〜15 和 QoS 配置 0〜15 的存放器11. 等待PHY 状态0.ctrl 锁定位字段转变为”1”检查PHY DLL 是否被锁定12. PHY 的 DLL 存储操作过程中补偿的延迟量由工艺，电压和温度〔PVT〕 变化的变化因此，为了运行牢靠它不应当被关闭除了运行在低频率也可以是关闭假设关闭模式时，依据本PhyStatus0.ctrl_lock_value[9:2]位字段来解决 延 迟 量 设 定 PhyControl0.ctrl_force 位 字 段 来 修 正 值 。

清 除PhyControl0.ctrl_dll_on 位字段关闭 PHY 的 DLL13. 上电后确认时钟是否稳定在最低 200us14. 使用直接 CMD 存放器断言和 HOLD 键规律高电平发出 NOP 命令15. 等待至少 400ns16. 使用 DirectCmd 存放器发出 PALL 命令17. 使用直接 CMD 存放器的操作参数进展编程发出 EMRS2 命令18. 使用直接 CMD 存放器的操作参数进展编程发出 EMRS3 命令19. 使用直接 CMD 存放器，使内存的 DLL 发出 EMRS 命令20. 使用直接 CMD 存放器复位存储器 DLL 发出 MRS 命令21. 使用直接 CMD 存放器发出 pull 命令22. 使用直接 CMD 存放器发出两个自动刷命令23. 。